本文關(guān)鍵詞：基于SiC MOSFET的高頻感應(yīng)加熱電源關(guān)鍵技術(shù)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：Si C MOSFET是一種剛投入市場(chǎng)工業(yè)應(yīng)用還未成熟的半導(dǎo)體器件,雖然Si C MOSFET一經(jīng)問(wèn)世就受到了廣泛關(guān)注,但其在實(shí)際工程應(yīng)用中的的開(kāi)關(guān)特性、靜態(tài)特性及功率損耗等表現(xiàn)還有待進(jìn)一步明確驗(yàn)證,在工程實(shí)踐前采用仿真軟件對(duì)其電源電路工作特性、效率等進(jìn)行分析和評(píng)估是極為必要的。為了給下文的超高頻感應(yīng)加熱電源關(guān)鍵技術(shù)研究奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),本文通過(guò)對(duì)Si C MOSFET的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)的研究,以廠(chǎng)家提供的內(nèi)部模型程序?yàn)榛A(chǔ)對(duì)其結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn),采用PSpice仿真軟件建立Si C MOSFET的精確模型,模型中引入溫控電壓源、電壓控制開(kāi)關(guān)、具有精確數(shù)學(xué)函數(shù)關(guān)系的電阻、電容等PSpice子電路對(duì)Si C MOSFET關(guān)鍵參數(shù)的設(shè)置進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn),使模型可精確仿真器件的實(shí)際工作特性。并搭建動(dòng)、靜態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)對(duì)模型的正確性、有效性進(jìn)行驗(yàn)證。為將Si C MOSFET進(jìn)一步應(yīng)用于工程實(shí)踐,驗(yàn)證其工業(yè)推廣價(jià)值,本文著重分析研究了高頻感應(yīng)加熱電源設(shè)計(jì)中的整流器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、槽路選擇、控制技術(shù)中的調(diào)功方式等關(guān)鍵技術(shù)。為了保證Si C功率MOSFET能可靠驅(qū)動(dòng)觸發(fā),專(zhuān)門(mén)從驅(qū)動(dòng)芯片的選擇、驅(qū)動(dòng)路徑的優(yōu)化、電氣隔離和驅(qū)動(dòng)保護(hù)等方面研究設(shè)計(jì)了高可靠性、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力的驅(qū)動(dòng)電路。并且最終給出了電源系統(tǒng)整體控制方案,完成器件計(jì)算選型等硬件電路的設(shè)計(jì),最后搭建一臺(tái)感應(yīng)加熱電源的實(shí)驗(yàn)樣機(jī),對(duì)文中提出的設(shè)計(jì)方案進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
【關(guān)鍵詞】：Si C MOSFET PSpice仿真模型 高頻感應(yīng)加熱電源 驅(qū)動(dòng)電路
【學(xué)位授予單位】：華北電力大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：TM924.01;TN86
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-9
• 第1章 緒論9-16
• 1.1 課題研究背景及意義9-12
• 1.1.1 課題研究背景9-11
• 1.1.2 課題研究意義11-12
• 1.2 SiC MOSFET的研究現(xiàn)狀12-14
• 1.2.1 SiC MOSFET的器件研發(fā)12-13
• 1.2.2 SiC MOSFET的高頻應(yīng)用13-14
• 1.3 本文的主要研究工作14-16
• 第2章 SiC MOSFET的建模16-25
• 2.1 MOSFET基本建模方法介紹16-17
• 2.2 SiC MOSFET等效電路及建模17-24
• 2.2.1 SiC MOSFET靜態(tài)特性關(guān)鍵參數(shù)建模及實(shí)驗(yàn)18-20
• 2.2.2 SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性關(guān)鍵參數(shù)建模及實(shí)驗(yàn)20-24
• 2.3 本章小結(jié)24-25
• 第3章 固態(tài)高頻感應(yīng)加熱電源關(guān)鍵技術(shù)分析25-41
• 3.1 諧振整流器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)25-26
• 3.2 諧振逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)26-28
• 3.3 負(fù)載諧振槽路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)28-33
• 3.4 固態(tài)高頻感應(yīng)加熱電源的功率調(diào)節(jié)方式33-40
• 3.5 本章小結(jié)40-41
• 第4章基于SiC MOSFET的高頻感應(yīng)加熱電源設(shè)計(jì)41-56
• 4.1 硬件電路設(shè)計(jì)41-43
• 4.1.1 電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)41-42
• 4.1.2 整流電路參數(shù)分析與選擇42-43
• 4.1.3 逆變電路參數(shù)分析與選擇43
• 4.2 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)43-52
• 4.2.1 SiC MOSFET導(dǎo)通過(guò)程分析及驅(qū)動(dòng)要求44-46
• 4.2.2 驅(qū)動(dòng)板主電路設(shè)計(jì)46-47
• 4.2.3 信號(hào)檢測(cè)電路與保護(hù)電路設(shè)計(jì)47-49
• 4.2.4 驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)與分析49-52
• 4.3 采用SiC MOSFET的高頻感應(yīng)加熱電源實(shí)驗(yàn)52-55
• 4.3.1 觸發(fā)脈沖的實(shí)驗(yàn)波形52-53
• 4.3.2 死區(qū)時(shí)間實(shí)驗(yàn)波形53-54
• 4.3.3 實(shí)驗(yàn)樣機(jī)負(fù)載側(cè)的電壓電流實(shí)驗(yàn)波形54-55
• 4.4 本章小結(jié)55-56
• 第5章 總結(jié)與展望56-58
• 5.1 全文工作總結(jié)56-57
• 5.2 展望57-58
• 參考文獻(xiàn)58-62
• 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文及其它成果62-63
• 致謝63

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  本文關(guān)鍵詞：基于SiC MOSFET的高頻感應(yīng)加熱電源關(guān)鍵技術(shù)研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：387313