本文關(guān)鍵詞：基于SiC MOSFET的高頻感應(yīng)加熱電源關(guān)鍵技術(shù)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：Si C MOSFET是一種剛投入市場工業(yè)應(yīng)用還未成熟的半導(dǎo)體器件,雖然Si C MOSFET一經(jīng)問世就受到了廣泛關(guān)注,但其在實際工程應(yīng)用中的的開關(guān)特性、靜態(tài)特性及功率損耗等表現(xiàn)還有待進(jìn)一步明確驗證,在工程實踐前采用仿真軟件對其電源電路工作特性、效率等進(jìn)行分析和評估是極為必要的。為了給下文的超高頻感應(yīng)加熱電源關(guān)鍵技術(shù)研究奠定堅實基礎(chǔ),本文通過對Si C MOSFET的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)的研究,以廠家提供的內(nèi)部模型程序為基礎(chǔ)對其結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn),采用PSpice仿真軟件建立Si C MOSFET的精確模型,模型中引入溫控電壓源、電壓控制開關(guān)、具有精確數(shù)學(xué)函數(shù)關(guān)系的電阻、電容等PSpice子電路對Si C MOSFET關(guān)鍵參數(shù)的設(shè)置進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn),使模型可精確仿真器件的實際工作特性。并搭建動、靜態(tài)特性實驗平臺對模型的正確性、有效性進(jìn)行驗證。為將Si C MOSFET進(jìn)一步應(yīng)用于工程實踐,驗證其工業(yè)推廣價值,本文著重分析研究了高頻感應(yīng)加熱電源設(shè)計中的整流器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、槽路選擇、控制技術(shù)中的調(diào)功方式等關(guān)鍵技術(shù)。為了保證Si C功率MOSFET能可靠驅(qū)動觸發(fā),專門從驅(qū)動芯片的選擇、驅(qū)動路徑的優(yōu)化、電氣隔離和驅(qū)動保護(hù)等方面研究設(shè)計了高可靠性、強(qiáng)驅(qū)動能力的驅(qū)動電路。并且最終給出了電源系統(tǒng)整體控制方案,完成器件計算選型等硬件電路的設(shè)計,最后搭建一臺感應(yīng)加熱電源的實驗樣機(jī),對文中提出的設(shè)計方案進(jìn)行實驗驗證。
【關(guān)鍵詞】：Si C MOSFET PSpice仿真模型 高頻感應(yīng)加熱電源 驅(qū)動電路
【學(xué)位授予單位】：華北電力大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TM924.01;TN86
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-9
• 第1章 緒論9-16
• 1.1 課題研究背景及意義9-12
• 1.1.1 課題研究背景9-11
• 1.1.2 課題研究意義11-12
• 1.2 SiC MOSFET的研究現(xiàn)狀12-14
• 1.2.1 SiC MOSFET的器件研發(fā)12-13
• 1.2.2 SiC MOSFET的高頻應(yīng)用13-14
• 1.3 本文的主要研究工作14-16
• 第2章 SiC MOSFET的建模16-25
• 2.1 MOSFET基本建模方法介紹16-17
• 2.2 SiC MOSFET等效電路及建模17-24
• 2.2.1 SiC MOSFET靜態(tài)特性關(guān)鍵參數(shù)建模及實驗18-20
• 2.2.2 SiC MOSFET動態(tài)特性關(guān)鍵參數(shù)建模及實驗20-24
• 2.3 本章小結(jié)24-25
• 第3章 固態(tài)高頻感應(yīng)加熱電源關(guān)鍵技術(shù)分析25-41
• 3.1 諧振整流器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)25-26
• 3.2 諧振逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)26-28
• 3.3 負(fù)載諧振槽路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)28-33
• 3.4 固態(tài)高頻感應(yīng)加熱電源的功率調(diào)節(jié)方式33-40
• 3.5 本章小結(jié)40-41
• 第4章基于SiC MOSFET的高頻感應(yīng)加熱電源設(shè)計41-56
• 4.1 硬件電路設(shè)計41-43
• 4.1.1 電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)41-42
• 4.1.2 整流電路參數(shù)分析與選擇42-43
• 4.1.3 逆變電路參數(shù)分析與選擇43
• 4.2 SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計43-52
• 4.2.1 SiC MOSFET導(dǎo)通過程分析及驅(qū)動要求44-46
• 4.2.2 驅(qū)動板主電路設(shè)計46-47
• 4.2.3 信號檢測電路與保護(hù)電路設(shè)計47-49
• 4.2.4 驅(qū)動實驗與分析49-52
• 4.3 采用SiC MOSFET的高頻感應(yīng)加熱電源實驗52-55
• 4.3.1 觸發(fā)脈沖的實驗波形52-53
• 4.3.2 死區(qū)時間實驗波形53-54
• 4.3.3 實驗樣機(jī)負(fù)載側(cè)的電壓電流實驗波形54-55
• 4.4 本章小結(jié)55-56
• 第5章 總結(jié)與展望56-58
• 5.1 全文工作總結(jié)56-57
• 5.2 展望57-58
• 參考文獻(xiàn)58-62
• 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文及其它成果62-63
• 致謝63

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 ;高頻感應(yīng)加熱設(shè)備[J];電爐;1973年01期

2 王連生,周桂興,曹善;防止高頻感應(yīng)加熱設(shè)備對人的危害[J];勞動保護(hù);1983年09期

3 王國蛟;高頻感應(yīng)加熱設(shè)備自動延時后冷[J];工程機(jī)械;1983年03期

4 郭向勇;;高頻感應(yīng)加熱裝置與負(fù)載匹配中的兩個重要因素[J];電工技術(shù);1989年03期

5 陳若愚,殷守偉;高頻感應(yīng)加熱設(shè)備屏蔽實踐[J];勞動保護(hù);1993年04期

6 羅俊生;金列夫;;高頻感應(yīng)加熱設(shè)備的節(jié)能改造[J];電工技術(shù);1994年01期

7 段哲青;高頻感應(yīng)加熱設(shè)備的節(jié)能改造[J];電機(jī)電器技術(shù);1998年02期

8 林小娥,吳兆磷;固態(tài)高頻感應(yīng)加熱裝置移相調(diào)功方法[J];電工技術(shù)雜志;2000年06期

9 秦中平,閆林平,李英華,劉峰海;高頻感應(yīng)加熱設(shè)備輸出功率的調(diào)節(jié)[J];新技術(shù)新工藝;2001年02期

10 孟天星,景慧;高頻感應(yīng)加熱電源裝置安裝與調(diào)試淺議[J];陰山學(xué)刊;2001年06期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 李華芳;郝利君;;高頻感應(yīng)加熱設(shè)備作業(yè)環(huán)境電磁輻射防護(hù)技術(shù)研究[A];中國職業(yè)安全健康協(xié)會2011年學(xué)術(shù)年會論文集[C];2011年

2 雷源源;梁益龍;田琴;;鋼絲表面激光加熱和高頻感應(yīng)加熱的初步探索[A];2008年全國冶金物理化學(xué)學(xué)術(shù)會議專輯（下冊）[C];2008年

3 徐鴻博;李明雨;張麗卿;;基于微電子互連應(yīng)用的無鉛高頻感應(yīng)加熱重熔技術(shù)研究[A];2008中國電子制造技術(shù)論壇論文集[C];2008年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 游本鳳;好家伙 幾十秒燒開一鍋水[N];中國航天報;2007年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 李亞斌;固態(tài)高頻感應(yīng)加熱電源控制技術(shù)的研究[D];華北電力大學(xué)（河北）;2008年

2 劉慶豐;基于多電平變換技術(shù)的高頻感應(yīng)加熱電源的研究[D];西安理工大學(xué);2008年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 李榮榮;基于SiC MOSFET的高頻感應(yīng)加熱電源關(guān)鍵技術(shù)研究[D];華北電力大學(xué);2015年

2 趙虎;高頻感應(yīng)加熱鋁箔封口機(jī)電源的研究與實現(xiàn)[D];山東大學(xué);2013年

3 范進(jìn)秋;具有快速響應(yīng)能力的高頻感應(yīng)加熱電源逆變控制與調(diào)功關(guān)系的研究[D];上海交通大學(xué);2010年

4 馬慶強(qiáng);基于可編程邏輯器件的高頻感應(yīng)加熱電源的研究[D];山東大學(xué);2006年

5 王愛國;超高頻感應(yīng)加熱逆變電源研究[D];鄭州大學(xué);2011年

6 孫琪;用于水加熱裝置的高頻感應(yīng)加熱電源設(shè)計[D];西安理工大學(xué);2010年

7 孫晉坤;一種新型高頻感應(yīng)加熱拓?fù)涞难芯縖D];西安理工大學(xué);2009年

8 周慶紅;高頻感應(yīng)加熱逆變電源擴(kuò)容技術(shù)的研究[D];西安理工大學(xué);2005年

9 周軍偉;并聯(lián)型高頻感應(yīng)加熱電源的研究[D];浙江大學(xué);2005年

10 陳維;固態(tài)高頻感應(yīng)加熱電源的研究[D];西安理工大學(xué);2000年

  本文關(guān)鍵詞：基于SiC MOSFET的高頻感應(yīng)加熱電源關(guān)鍵技術(shù)研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：387313