封裝結構對內(nèi)置天線性能的影響
發(fā)布時間:2021-09-01 15:43
天線集成封裝日益復雜,針對內(nèi)置定向平板天線結構,研究分析了天線輻射方向上封裝蓋板厚度、蓋板與輻射體間距離對天線性能的影響。設計了一個工作在5.2 GHz的天線案例,通過仿真與實物測試有無平面封裝陶瓷蓋板的天線,驗證了封裝蓋板厚度以及輻射體與蓋板間距離在一定范圍內(nèi)會影響天線的工作頻率,造成天線工作頻帶偏移等。
【文章來源】:電子與封裝. 2020,20(09)
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
有蓋板和無蓋板下天線的響應
射頻Si P封裝結構
由于定向天線上方引入了陶瓷蓋板,需分析蓋板對天線特性的影響。引入了如圖2所示的微帶天線模型。圖2所示的模型主要包括頂層的陶瓷蓋板(其中介電常數(shù)εr1=9.3、厚度0.25 mm)、中間層的貼片輻射體、底層的金屬大地及50ΩSMA(Sub-Miniature-A),通過背饋的方式激勵天線。輻射體與陶瓷蓋板間嵌入了等效為空氣的泡沫,以此模擬蓋板與輻射體間的間隙。封裝中使用的是一款定向天線,因此只在天線的輻射方向(z軸方向)引入陶瓷蓋板,主要分析陶瓷蓋板變化后對內(nèi)置天線特性的影響。驗證模型的物理尺寸如表1所示。本文的全波仿真采用的是電磁仿真工具CST 2018.0 (Computer Simulation Technology2018.0)。圖3展示與帶有封裝蓋板的貼片天線的性能對比。從圖3(a)可知,在h=0 mm的情況下,與貼片天線相比,其上方引入封裝蓋板后其工作頻帶有明顯的下移現(xiàn)象;天線的增益始終為6.8 d Bi,不受封裝蓋板的影響。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]系統(tǒng)級封裝(SiP)技術研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢[J]. 胡楊,蔡堅,曹立強,陳靈芝,劉子玉,石璐璐,王謙. 電子工業(yè)專用設備. 2012(11)
[2]RF-MEMS的系統(tǒng)級封裝[J]. 楊宇,蔡堅,劉澤文,王水弟,賈松良. 半導體技術. 2004(05)
本文編號:3377248
【文章來源】:電子與封裝. 2020,20(09)
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
有蓋板和無蓋板下天線的響應
射頻Si P封裝結構
由于定向天線上方引入了陶瓷蓋板,需分析蓋板對天線特性的影響。引入了如圖2所示的微帶天線模型。圖2所示的模型主要包括頂層的陶瓷蓋板(其中介電常數(shù)εr1=9.3、厚度0.25 mm)、中間層的貼片輻射體、底層的金屬大地及50ΩSMA(Sub-Miniature-A),通過背饋的方式激勵天線。輻射體與陶瓷蓋板間嵌入了等效為空氣的泡沫,以此模擬蓋板與輻射體間的間隙。封裝中使用的是一款定向天線,因此只在天線的輻射方向(z軸方向)引入陶瓷蓋板,主要分析陶瓷蓋板變化后對內(nèi)置天線特性的影響。驗證模型的物理尺寸如表1所示。本文的全波仿真采用的是電磁仿真工具CST 2018.0 (Computer Simulation Technology2018.0)。圖3展示與帶有封裝蓋板的貼片天線的性能對比。從圖3(a)可知,在h=0 mm的情況下,與貼片天線相比,其上方引入封裝蓋板后其工作頻帶有明顯的下移現(xiàn)象;天線的增益始終為6.8 d Bi,不受封裝蓋板的影響。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]系統(tǒng)級封裝(SiP)技術研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢[J]. 胡楊,蔡堅,曹立強,陳靈芝,劉子玉,石璐璐,王謙. 電子工業(yè)專用設備. 2012(11)
[2]RF-MEMS的系統(tǒng)級封裝[J]. 楊宇,蔡堅,劉澤文,王水弟,賈松良. 半導體技術. 2004(05)
本文編號:3377248
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