發(fā)布時(shí)間：2021-08-10 10:53

　　T/R組件是有源相控陣?yán)走_(dá)的核心,其性能直接影響有源相控陣?yán)走_(dá)整機(jī)的性能。隨著基于移動(dòng)武器平臺(tái)的現(xiàn)代雷達(dá)技術(shù)不斷發(fā)展和雷達(dá)系統(tǒng)的目標(biāo)環(huán)境和電磁環(huán)境日益復(fù)雜化,對(duì)具有高性能、高可靠性、小型化、低成本的T/R組件需求越來越迫切,特別是電磁兼容、抗干擾性能良好的有源相控陣?yán)走_(dá)更是現(xiàn)代雷達(dá)技術(shù)發(fā)展的主流方向。SiP（system in package）系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的出現(xiàn)能極大地滿足現(xiàn)代雷達(dá)技術(shù)發(fā)展要求,能夠很大程度上促進(jìn)T/R組件的小型化、高集成度及高可靠性的快速發(fā)展。本文重點(diǎn)對(duì)基于SiP技術(shù)的X波段T/R組件封裝技術(shù)進(jìn)行研究,完成了組件的封裝方案設(shè)計(jì)、電磁兼容性設(shè)計(jì)和T/R組件封裝測(cè)試。首先確定了組件的封裝方案:整體尺寸為41mm×41mm×12mm,主要采用金屬銅作為封裝腔體材料（表面鍍金處理）,整個(gè)封裝為自定義24引腳封裝（21個(gè)控制端口和3個(gè)微波信號(hào)端口）�？紤]到該小型化T/R組件在狹小空間內(nèi)集成了多個(gè)MMIC芯片和其他無源器件,系統(tǒng)電路很容易產(chǎn)生諧振,出現(xiàn)自激信號(hào),本論文針對(duì)性地提出電磁兼容性設(shè)計(jì)方案,運(yùn)用金屬隔墻對(duì)電路中的射頻元器件進(jìn)行空間隔離,避免元器件之間發(fā)生空間互擾。為了減... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：75 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 基于SIP技術(shù)的X波段T/R組件封裝技術(shù)研究背景
        1.1.1 系統(tǒng)級(jí)封裝概述
        1.1.2 T/R組件封裝的電磁兼容性
    1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)
        1.2.1 國外研究動(dòng)態(tài)
        1.2.2 國內(nèi)研究動(dòng)態(tài)
    1.3 本文主要研究內(nèi)容與重要意義
第二章T/R組件的封裝方案
    2.1 T/R組件技術(shù)指標(biāo)要求
    2.2 T/R組件封裝方案設(shè)計(jì)
        2.2.1 總體方案設(shè)計(jì)及電路實(shí)施方案
        2.2.2 封裝方案設(shè)計(jì)
    2.3 仿真分析
        2.3.1 收發(fā)支路空腔諧振
        2.3.2 收發(fā)支路裝配腔諧振
        2.3.3 T/R組件總體設(shè)計(jì)
    2.4 優(yōu)化仿真
    2.5 小結(jié)
第三章T/R組件的電磁兼容設(shè)計(jì)
    3.1 基于封裝的電磁兼容設(shè)計(jì)
        3.1.1 T/R組件電磁兼容三要素分析
        3.1.2 接收通道電磁兼容特性
    3.2 T/R組件電磁兼容設(shè)計(jì)方案
        3.2.1 理論分析
        3.2.2 電磁兼容設(shè)計(jì)
    3.3 T/R組件電磁兼容設(shè)計(jì)的仿真分析
        3.3.1 加金屬化接地約束孔的微帶傳輸結(jié)構(gòu)仿真
        3.3.2 金屬隔墻仿真
    3.4 T/R組件電磁兼容設(shè)計(jì)方案優(yōu)化
    3.5 小結(jié)
第四章 鍵合互連對(duì)封裝的影響
    4.1 金絲鍵合特性研究
    4.2 金絲鍵合仿真分析
        4.2.1 鍵合金絲數(shù)量影響分析
        4.2.2 傳輸線上鍵合位置影響分析
        4.2.3 鍵合金絲直徑影響分析
        4.2.4 鍵合金絲拱高影響分析
        4.2.5 鍵合金絲長度影響分析
    4.3 小結(jié)
第五章 T/R組件的封裝測(cè)試
    5.1 接收支路裝配與測(cè)試分析
        5.1.1 逐級(jí)封裝測(cè)試與分析
        5.1.2 系統(tǒng)封裝測(cè)試與分析
            5.1.2.1 金屬隔墻測(cè)試結(jié)果
    5.2 發(fā)射支路裝配與測(cè)試分析
    5.3 T/R組件總體實(shí)物裝配
    5.4 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證分析與改良方案
    5.5 小結(jié)
第六章 全文工作總結(jié)與展望
    6.1 本文的主要貢獻(xiàn)
    6.2 下一步工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻碩期間取得的研究成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3333927