發(fā)布時(shí)間：2021-04-01 21:16

　　本文設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)一種4×4結(jié)構(gòu)、高密度、高性能的瓦片式T/R組件。該T/R組件內(nèi)部集成有16個(gè)收發(fā)分時(shí)工作的T/R通道,每個(gè)通道可以單獨(dú)開關(guān)電、單獨(dú)進(jìn)行幅度和相位控制。組件內(nèi)接收通道增益≥27.0dB,噪聲系數(shù)≤3.8dB,發(fā)射通道輸出功率≥23.5dBm,6位數(shù)控衰減均方根誤差（RMS）≤0.8dB,6位數(shù)控移相均方根誤差（RMS）≤3.5°。產(chǎn)品尺寸為46mm×38mm×9mm（微波傳輸方向9.25mm）,重量≤40g。 

【文章來源】：電子測(cè)試. 2020,(16)

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

T/R組件原理圖

圖1 T/R組件原理圖1分8功分網(wǎng)絡(luò)主要由1分8的帶狀線功分器、公共通道增益放大器、公共通道溫補(bǔ)衰減器等組成。1分8功分器主要是將外部輸入的信號(hào)采用等功分的方式輸出。公共通道增益放大器提高組件增益,降低前級(jí)放大器增益過高的壓力,提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。一般而言,當(dāng)溫度升高/降低時(shí),系統(tǒng)的輸出功率及增益將會(huì)降低/升高,系統(tǒng)的輸出功率及增益將隨溫度變化,導(dǎo)致系統(tǒng)指標(biāo)受到嚴(yán)重影響。為此在公共通道增加溫補(bǔ)衰減器,用來補(bǔ)償因?yàn)楦叩蜏刈兓瘞硇酒鲆婧凸β实淖兓?

圖3為雙向放大多功能芯片的原理圖,該芯片采用GaAs工藝,集成單刀三擲開關(guān)、50Ω負(fù)載、功率放大器、限幅器、低噪聲放大器等等。1.3 幅相多功能芯片設(shè)計(jì)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Ku波段多通道瓦片式T/R組件的設(shè)計(jì)[J]. 劉衛(wèi)強(qiáng),巨景超,郭超.  現(xiàn)代導(dǎo)航. 2019(02)
[2]基于多層PCB布線的Ku波段TR組件的設(shè)計(jì)[J]. 胡仕偉,方圓,錢志宇.  電子與封裝. 2013(11)



本文編號(hào)：3113984