有源相控陣?yán)走_(dá)是當(dāng)代軍事領(lǐng)域中重要的武器裝備之一,能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)警搜索、敵我識(shí)別、跟蹤定位、精確制導(dǎo)、無(wú)源探測(cè)等多種功能,并且具有較強(qiáng)的多目標(biāo)接戰(zhàn)能力和良好的抗干擾性能。在有源相控陣?yán)走_(dá)技術(shù)中,T/R組件承擔(dān)著至關(guān)重要的角色,作為核心部件,T/R組件性能的好壞將直接決定雷達(dá)整機(jī)指標(biāo)的優(yōu)劣。而對(duì)于移動(dòng)武器平臺(tái),其搭載的有源相控陣?yán)走_(dá)對(duì)T/R組件的小型化、輕量化及低功耗又提出了更高的要求。在這種背景下,一種新型的封裝技術(shù)——SiP（system in package）系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的誕生則能夠很大程度上推動(dòng)T/R組件的小型化進(jìn)程。其能夠最大限度的實(shí)現(xiàn)T/R組件的小型化、高密度化及高可靠性。本文基于Si P技術(shù)對(duì)T/R組件中的關(guān)鍵技術(shù)展開(kāi)研究,主要完成了一下幾個(gè)方面的工作:1、確定了組件的總體設(shè)計(jì)方案;對(duì)收發(fā)支路進(jìn)行了詳細(xì)的增益估算及功率估算;提出并詳細(xì)分析了實(shí)現(xiàn)該T/R組件三維封裝結(jié)構(gòu)的多層復(fù)合介質(zhì)基板技術(shù)。2、創(chuàng)新性的提出了單層、三層膜片加載式微帶-微帶穿層互連結(jié)構(gòu),并對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行了理論分析、仿真驗(yàn)證和加工測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明,在所需要的頻段內(nèi),信號(hào)回波損耗大于20dB,插入損耗小于2dB。3... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：106 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 基于SIP技術(shù)T/R組件的研究意義
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)
    1.3 本文主要研究?jī)?nèi)容
第二章 T/R組件設(shè)計(jì)方案
    2.1 T/R組件技術(shù)指標(biāo)
    2.2 T/R組件方案設(shè)計(jì)
        2.2.1 總體方案設(shè)計(jì)
        2.2.2 總體電路實(shí)施方案
    2.3 收發(fā)支路設(shè)計(jì)
        2.3.1 接收支路設(shè)計(jì)
        2.3.2 發(fā)射支路設(shè)計(jì)
    2.4 多層復(fù)合介質(zhì)基板
    2.5 小結(jié)
第三章 多層基板互連結(jié)構(gòu)研究
    3.1 多層基板傳輸線
        3.1.1 多層基板微帶線
        3.1.2 多層基板類接地型共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
    3.2 單層膜片加載式微帶-微帶互連結(jié)構(gòu)
        3.2.1 理論分析
            3.2.1.1 類同軸傳輸區(qū)
            3.2.1.2 單層膜片加載微帶-微帶互連區(qū)
        3.2.2 仿真分析
    3.3 三層膜片加載式微帶-微帶互連結(jié)構(gòu)
    3.4 多層基板微帶-微帶90度轉(zhuǎn)角互連結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
    3.5 雙孔式微帶-微帶互連結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
    3.6 三層復(fù)合介質(zhì)基板雙膜片加載式微帶-微帶互連結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
    3.7 小結(jié)
第四章 多層基板鍵合互連仿真研究
    4.1 微帶線之間的鍵合互聯(lián)
        4.1.1 微帶線之間金帶鍵合建模分析
        4.1.2 微帶線之間金絲鍵合建模分析
    4.2 微帶線鍵合互連處距微帶-微帶互連孔中心最短距離分析
        4.2.1 采用金帶鍵合距互連孔最短距離分析
        4.2.2 采用金絲鍵合距互連孔最短距離分析
    4.3 芯片與微帶線鍵合互連仿真分析
        4.3.1 芯片金絲鍵合仿真分析
        4.3.2 芯片與芯片之間最短距離分析
        4.3.3 芯片距離微帶線轉(zhuǎn)角的最短距離分析
        4.3.4 微帶-微帶互連結(jié)構(gòu)距離芯片的最短距離分析
    4.4 小結(jié)
第五章 多層基板加工精度誤差分析
    5.1 單層、三層膜片加載微帶-微帶互連結(jié)構(gòu)膜片半徑加工誤差分析
        5.1.1 單層膜片互連結(jié)構(gòu)
        5.1.2 三層膜片互連結(jié)構(gòu)
    5.2 信號(hào)通孔位置偏移誤差分析
    5.3 導(dǎo)體帶寬度誤差分析
    5.4 金屬通孔加工誤差分析
        5.4.1 金屬通孔加工半徑誤差
            5.4.1.1 金屬接地孔半徑誤差
            5.4.1.2 信號(hào)通孔半徑誤差
        5.4.2 接地屏蔽孔間距誤差
    5.5 復(fù)合介質(zhì)基板誤差分析
        5.5.1 CLTE介質(zhì)基板介電常數(shù)變化
        5.5.2 基板和半固化片厚度變化
    5.6 小結(jié)
第六章 T/R模塊熱仿真分析
    6.1 T/R組件散熱設(shè)計(jì)方案
        6.1.1 功率放大器散熱設(shè)計(jì)方案一
        6.1.2 功率放大器散熱設(shè)計(jì)方案二
    6.2 仿真模型的建立
        6.2.1 散熱結(jié)構(gòu)
        6.2.2 模型中的材料特性及熱源設(shè)置
    6.3 熱仿真結(jié)果及驗(yàn)證
        6.3.1 PA芯片a方案一熱仿真
            6.3.1.1 四層復(fù)合介質(zhì)基板PA芯片a方案一
            6.3.1.2 三層復(fù)合介質(zhì)基板PA芯片a方案一
        6.3.2 T/R組件所有有源芯片方案一熱仿真
        6.3.3 PA芯片b方案一熱仿真
        6.3.4 PA芯片b方案二熱仿真
    6.4 小結(jié)
第七章 加工版圖及測(cè)試分析
    7.1 多層介質(zhì)基板互連結(jié)構(gòu)加工版圖及測(cè)試
        7.1.1 三層膜片加載式微帶-微帶互連結(jié)構(gòu)加工版圖
        7.1.2 互連結(jié)構(gòu)測(cè)試結(jié)果及分析
        7.1.3 單層膜片加載互連及其他改進(jìn)型互連結(jié)構(gòu)版圖設(shè)計(jì)
    7.2 T/R組件總體版圖設(shè)計(jì)及加工測(cè)試
        7.2.1 總體版圖一
        7.2.2 總體版圖二
    7.3 接收支路及發(fā)射支路裝配及測(cè)試
        7.3.1 接收支路測(cè)試
        7.3.2 發(fā)射支路測(cè)試
    7.4 小結(jié)
第八章 全文工作總結(jié)與展望
    8.1 本文的主要貢獻(xiàn)
    8.2 下一步工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻碩期間取得的研究成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[4]國(guó)外雷達(dá)技術(shù)新進(jìn)展概述[J]. 朱崢嶸.  信息化研究. 2010(06)
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本文編號(hào)：3085722