發(fā)布時間：2020-01-26 13:24

【摘要】：為簡化大尺寸液晶面板四次光刻法的刻蝕工藝、減少有毒氣體使用、降低射頻功率消耗,在2 200mm×2 500mm大尺寸玻璃上,采用正交實驗設(shè)計,驗證了功率、氣壓、反應(yīng)氣體和比例等參數(shù)對各刻蝕步驟刻蝕速率、均一性和選擇比的影響關(guān)系,從而得到各膜層的最佳工藝條件。在Enhance Cathode Couple Plasma Mode(ECCP)刻蝕模式下,采用新刻蝕條件合并薄膜晶體管有源區(qū)非晶硅、光刻膠、濕刻后源極和漏極剩余金屬鉬以及溝道非晶硅層干法刻蝕。利用掃描電子顯微鏡(SEM)對薄膜電學(xué)特性進(jìn)行測試,結(jié)果顯示,金屬鉬的刻蝕可以采用一次兩步干法刻蝕,"2干2濕"刻蝕可以整合為"1干1濕"。整合后總刻蝕工藝時間減少16s,減少了氯氣使用量和RF總功率。試驗改進(jìn)了均一性和刻蝕率,同時對于下底襯具有良好的選擇比,保持了良好的形貌,為大批量"1干1濕"生產(chǎn)提供了依據(jù)。

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前7條

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本文編號：2573316