【摘要】：針對外場激勵下屏蔽腔體內(nèi)微帶線的耦合終端響應(yīng),提出一種基于電磁拓?fù)渚W(wǎng)絡(luò)的半解析混合算法——傳輸線網(wǎng)絡(luò)BLT(Baum-Liu-Tesche)方程法.首先建立孔縫、腔體及微帶線的電磁拓?fù)淠Ｐ?然后結(jié)合腔體格林函數(shù)法,求解磁流激勵腔體內(nèi)的電場分布,最后利用網(wǎng)絡(luò)BLT方程求解各節(jié)點(diǎn)處的電壓和電流,即可得到任意位置處的微帶線耦合終端響應(yīng).通過與實(shí)測值、其他方法計算結(jié)果對比,驗(yàn)證了所提方法的有效性.計算結(jié)果表明:在腔體和孔縫的諧振頻率附近,微帶線響應(yīng)出現(xiàn)了峰值;且微帶線距孔縫越近,產(chǎn)生的耦合電壓值越大;入射脈沖寬度越窄,相同位置處的微帶線耦合終端電壓越大.
[Abstract]:Aiming at the coupling terminal response of microstrip lines in shielded cavity under external field excitation, a semi-analytical hybrid algorithm based on electromagnetic topological network, BLT (Baum-Liu-Tesche) equation method, is proposed. Firstly, the electromagnetic topological model of hole, cavity and microstrip line is established, and then the electric field distribution in magnetic current excited cavity is solved by combining the cavity Green's function method. Finally, the voltage and current at each node are solved by using the network BLT equation, and the microstrip line coupling terminal response at any position can be obtained. Compared with the measured values and other methods, the effectiveness of the proposed method is verified. The calculation results show that the microstrip line response peaks near the resonant frequency of the cavity and the slot, and the closer the microstrip line is to the hole slit, the larger the coupling voltage is. The narrower the incident pulse width is, the larger the microstrip line coupling terminal voltage is at the same position.
【作者單位】： 解放軍信息工程大學(xué);西南電子電信研究所;
【基金】：國家高技術(shù)發(fā)展計劃項目(2012AA1373) 國家自然科學(xué)基金資助項目(61201056;61271104)
【分類號】：TN817

【參考文獻(xiàn)】

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5 宮s

本文編號：2525986