【摘要】：以碳化硅和氮化鎵為典型代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,與常規(guī)半導(dǎo)體硅或砷化鎵相比,具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),是大功率、高溫、高頻、抗輻照應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。介紹了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)在雷達(dá)中的應(yīng)用及其在美國(guó)的發(fā)展,闡述了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)與雷達(dá)技術(shù)相結(jié)合帶來(lái)的技術(shù)進(jìn)步,及其對(duì)下一代雷達(dá)技術(shù)的影響。
[Abstract]:Compared with conventional semiconductor silicon or gallium arsenide, silicon carbide and gallium nitride with wide band gap, high saturation drift velocity, high critical breakdown electric field and so on, are high power, high temperature, high frequency, and so on, which have many outstanding advantages, such as wide band gap, high saturation drift velocity, high critical breakdown electric field and so on. Ideal semiconductor materials for radiation-resistant applications. The application of wide band gap semiconductor technology in radar and its development in the United States are introduced. The technological progress brought by the combination of wide band gap semiconductor technology and radar technology and its influence on the next generation radar technology are described.
【作者單位】： 中國(guó)國(guó)防科技信息中心;
【分類號(hào)】：TN304.2;TN958

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本文編號(hào)：2443196