過模矩形波導(dǎo)中硅芯片與基模亞毫米波的作用
[Abstract]:The response of n-type silicon detector chip to TE10 mode submillimeter wave in an over-mode rectangular waveguide WR10 is simulated. According to the submillimeter wave detection structure of the n-type silicon chip embedded in the over-mode waveguide WR10, the sensitivity expression of the fundamental mode is derived. The interaction between the TE10 mode submillimeter wave and the silicon chip in the 300~400GHz frequency band in the over-mode waveguide is simulated by using the three-dimensional electromagnetic field finite difference time-domain method. The variation of voltage standing wave ratio (VSWR) and in-chip average electric field with silicon chip parameters is analyzed. The results show that the over-mode detection structure does not affect the VSWR and the average in-chip electric field under the same chip parameters, but the fluctuation degree between them increases with the frequency. In the operating band of 300~400GHz, the optimal over-mode detection structure is obtained. The VSWR is not more than 2.75 (335~380GHz band is not greater than 1.8), and the relative sensitivity of the linear workspace is about 0.127 kW-1. The range of frequency response is within 鹵20.5%, the maximum withstand power is about 0.53kW, and the response time is in the order of 100ps, which meets the requirement of direct detection of submillimeter wave high power pulse.
【作者單位】: 西北核技術(shù)研究所;高功率微波技術(shù)重點實驗室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金重點項目(61231003)
【分類號】:TN814
【參考文獻】
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【共引文獻】
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【二級參考文獻】
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6 王s,
本文編號:2411495
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