【摘要】：采用脈沖電壓法對平柵雙層膜陰極進(jìn)行處理,進(jìn)一步提高其場致發(fā)射性能。采用磁控濺射法在平行柵電極上濺射氧化鉍薄膜和氧化錫薄膜,并對薄膜進(jìn)行AFM分析,通過場致發(fā)射測試結(jié)果表明,經(jīng)過脈沖電壓法處理后的平行柵雙層膜陰極的發(fā)射性能,如亮度、均勻度等有了很大的提高,陽壓為3 000 V,柵壓為190 V,其腔體亮度可達(dá)462 cd/m2。平行柵雙層膜陰極的脈沖電壓處理可以有效改善陰極的場發(fā)射性能,為改善SED陰極結(jié)構(gòu)及材料提供了一條有效的實驗方法。
[Abstract]:The pulsed voltage method is used to treat the flat gate bilayer film cathode to further improve its field emission performance. Bismuth oxide and tin oxide thin films were deposited on parallel gate electrodes by magnetron sputtering. The AFM analysis of the films was carried out. The field emission test results showed that the emission properties of the parallel gate bilayer cathode treated by pulse voltage method were obtained. For example, brightness and uniformity have been greatly improved. The positive pressure is 3 000 V, the gate voltage is 190 V, and the luminance of the cavity can reach 462 cd/m2.. The pulse voltage treatment of parallel gate double-layer cathode can effectively improve the field emission performance of the cathode and provide an effective experimental method for improving the structure and material of SED cathode.
【作者單位】： 福建工程學(xué)院信息學(xué)院;福州大學(xué)光電顯示技術(shù)研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61106053) 福建省自然科學(xué)基金資助項目(2012D068,2012J01185) 福建工程學(xué)院科研基金資助項目(GY-Z13040)
【分類號】：TN873

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

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【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前4條

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【二級參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：2290858