基于比特重排的減少機頂盒芯片DDR接口SSN的方法
本文選題:DDR + SDRAM(雙速率靜態(tài)隨機訪問存儲器); 參考:《電子學報》2014年03期
【摘要】:封裝電感引起的SSN(Simultaneous Switching Noise,同步開關噪音)效應阻礙低成本QFP(Quad Flat Package,四方型扁平式封裝)封裝的機頂盒芯片的DDR SDRAM(Double Data Rate Static Random Access Memory,雙速率靜態(tài)隨機訪問存儲器,DDR)接口的傳輸頻率.本文利用視頻數(shù)據(jù)的相關性,及DDR顆粒的數(shù)據(jù)比特可以任意交換的特點,提出對DDR接口數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)比特重排的方法來降低SSN效應.視頻解碼器使用到的數(shù)據(jù)在二維空間上高度相關.在DDR接口版圖設計時將高比特位的數(shù)據(jù)與低比特位的數(shù)據(jù)在空間上交錯放置,可使得DDR接口的電流分布更加平衡,減少通過封裝寄生電感的平均電流,最終減少SSN.本文提出的方法成功用于臺積電55rm工藝高清機頂盒芯片的設計.QFP封裝的樣片的DDR接口傳輸速率達到1066Mbps.
[Abstract]:The SSN Access Simulant switching Noise1 (synchronous switching noise) effect hinders the transmission frequency of the DDR SDRAM double data Random Access memory (DDR SDRAM) interface of the low cost QFP Quad flat package. Based on the correlation of video data and the characteristic that DDR data bits can be exchanged arbitrarily, a method of data bit rearrangement for DDR interface data is proposed to reduce SSN effect. The data used by the video decoder is highly correlated in two-dimensional space. When the layout of DDR interface is designed, the high bit data and the low bit data are interleaved in space, which makes the current distribution of DDR interface more balanced, reduces the average current of parasitic inductor by encapsulating, and finally reduces the SSN. The method proposed in this paper has been successfully used in the design of high definition STB chip in TSMC 55rm process. The DDR interface transmission rate of the sample chip encapsulated by QFP has reached 1066 Mbps.
【作者單位】: 浙江大學信息與通信工程研究所;杭州國芯科技股份有限公司;
【基金】:國家自然科學基金(No.61072081,No.61271338) 國家科技重大專項(No.2009ZX01033-001-007)
【分類號】:TN948.55
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【共引文獻】
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,本文編號:2005831
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