本文選題：黑矩陣　切入點(diǎn)：線寬　出處：《液晶與顯示》2014年04期

【摘要】：介紹了新型TFT-LCD黑矩陣細(xì)線化研究。在原有工藝設(shè)備的基礎(chǔ)上,突破設(shè)備局限和工藝瓶頸,通過引入相掩膜技術(shù)和背面曝光設(shè)備,達(dá)到進(jìn)一步減小黑矩陣線寬的效果。實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果顯示:在普通掩膜板設(shè)計(jì)上應(yīng)用相位移掩膜板技術(shù),降低透光區(qū)邊緣衍射和散射現(xiàn)象,使曝光后黑矩陣線寬降低1.0~1.5μm。在原有工藝基礎(chǔ)上添加背面曝光工藝,使黑矩陣材料在顯影后進(jìn)行背面曝光預(yù)固化,改善黑矩陣圖形形貌,進(jìn)一步減小黑矩陣線寬達(dá)到0.3~0.5μm。通過新工藝和新設(shè)備的引入和應(yīng)用,黑矩陣線寬整體降低1.5~2.0μm,達(dá)到5.0~5.5μm,可以滿足目前高PPI(單位面積像素個數(shù))產(chǎn)品對透過率和對比度要求。
[Abstract]:The study of new TFT-LCD black matrix thinner. Based on the original equipment, equipment limitations and breakthrough technology bottlenecks, exposure equipment through the introduction of phase mask technology and back, to further reduce the black matrix effect. The linewidth test results showed that: in the ordinary mask design on the application of phase shift mask technology and reduce the transmission area edge diffraction and scattering phenomenon, the black matrix decreased after exposure to 1.0~1.5 M. linewidth add back exposure process on the basis of the original process, the black matrix material back exposure pre curing after development, improve the black matrix pattern morphology, further reducing the black matrix width reaches 0.3~0.5 M. through new technology and new equipment the introduction and application of black matrix linewidth overall 1.5~2.0 m, to 5.0~5.5 m, can meet the high PPI (pixel number) of the product rate and contrast requirements through.

【作者單位】： 成都京東方光電科技有限公司;
【分類號】：TN873.93

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號：1726943