考慮近場磁耦合干擾的傳導(dǎo)EMI仿真分析
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【摘要】:對開關(guān)電源近場磁耦合現(xiàn)象做了深入分析,通過電磁場仿真軟件仿真共模電感與變壓器間的耦合參數(shù),并用實際測量的方法來驗證所得到的耦合參數(shù)的精度;通過建立開關(guān)電源中器件的高頻模型,并用Saber搭建樣機的系統(tǒng)級EMI仿真電路,仿真其EMI噪聲并用實驗來驗證仿真的精度。
【作者單位】: 福州大學(xué)電氣工程與自動化學(xué)院;
【分類號】:TN86
【正文快照】: 1引言開關(guān)電源與線性穩(wěn)壓電源相比,具有體積小、重量輕、效率高、功耗少,穩(wěn)壓范圍寬等優(yōu)點,已廣泛用于電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域[1-4]。但是,因其集成度高,功率密度大,高頻化等,必將引起嚴(yán)重的電磁干擾,造成傳導(dǎo)EMI的測試超標(biāo)[5-8]。傳統(tǒng)EMI仿真多是考慮器件的自身的模型建立的準(zhǔn)確
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,本文編號:1294360
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