采用電子背散射衍射方法（EBSD）對X65MS抗酸管線鋼氫致開裂（HIC）的晶體學(xué)特征進(jìn)行了研究,結(jié)果表明,{111}//ND取向晶粒和回復(fù)、再結(jié)晶晶粒具有良好的抗HIC性能,而{101}//ND取向晶粒和變形晶粒具有較高的HIC裂紋敏感性;此外,低值的局部取向錯配角（KAM）和大角度晶界（HAGBs）對HIC裂紋萌生和擴(kuò)展具有抑制作用,而高值的KAM和小角度晶界（LAGBs）則易于HIC裂紋的萌生和擴(kuò)展。 

【文章來源】：電子顯微學(xué)報(bào). 2020,39(03)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 試驗(yàn)材料與方法
2 試驗(yàn)結(jié)果與討論
    2.1 HIC裂紋的形貌觀察
    2.2 晶體學(xué)分析
    2.3 晶界分析
3 結(jié)論



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