發(fā)布時間：2018-01-02 06:02

  本文關鍵詞：半空間雙相壓電介質(zhì)垂直邊界附近圓孔對SH波的散射　出處：《爆炸與沖擊》2017年04期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： 半空間 雙相壓電介質(zhì) 圓孔 SH波 動應力集中系數(shù) 電場強度集中系數(shù)

【摘要】：利用"Green函數(shù)法"和"鏡像法"對垂直邊界附近含圓孔的半空間雙相壓電介質(zhì)對SH波的散射問題進行分析,得到其穩(wěn)態(tài)解。利用鏡像法得到滿足水平邊界應力自由與電位移自由的波函數(shù)解析表達式。根據(jù)垂直邊界連續(xù)性條件,利用"契合法"建立第一類Fredholm型積分方程組,得到圓孔周邊的動應力集中系數(shù)與電場強度集中系數(shù)解析表達式。數(shù)值算例分析了入射波頻率、入射角度、介質(zhì)參數(shù)等對動應力集中系數(shù)與電場強度集中系數(shù)的影響,并與已有文獻進行比較。計算表明,高頻SH波垂直入射危害較大。
[Abstract]:Using "Green function method" and "mirror image method", the scattering problem of SH waves in half-space dielectrics with circular holes near the vertical boundary is analyzed. The analytical expressions of wave function satisfying the horizontal boundary stress freedom and electric displacement freedom are obtained by using the mirror image method. By using the "coincidence method", the first kind of Fredholm integral equations are established, and the analytical expressions of the dynamic stress concentration coefficient and the electric field intensity concentration coefficient around the circular hole are obtained. The frequency of the incident wave is analyzed by a numerical example. The influence of incident angle and medium parameters on the dynamic stress concentration coefficient and electric field intensity concentration coefficient is compared with the previous literatures. The calculation shows that the high frequency SH wave is harmful to vertical incidence.
【作者單位】： 哈爾濱工程大學航天與建筑工程學院;
【基金】：黑龍江省自然科學基金項目(A201404)
【分類號】：O343.4
【正文快照】： 壓電介質(zhì)具有機-電耦合效應,廣泛應用于智能結構和傳感器元件中,實現(xiàn)結構的自我診斷、自我修復等功能,因此其在未來航空航天飛行器設計中占有重要地位。由于加工工藝、環(huán)境變化等因素,復合材料會產(chǎn)生圓孔等缺陷,這些缺陷存在于界面附近(材料性質(zhì)變化最劇烈)時,會引起材料失效

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本文編號：1367954