本文關鍵詞：非均勻旋轉(zhuǎn)磁場對液橋表面張力對流控制的研究　出處：《西南大學學報(自然科學版)》2016年10期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：半導體晶體作為各類電子器件的基礎材料,它的發(fā)展對現(xiàn)代電子行業(yè)的發(fā)展起著重要的推動作用.為了探索生長高品質(zhì)晶體的優(yōu)化方案,建立了半浮區(qū)液橋的三維磁流體動力學模型,采用有限體積法數(shù)值研究了微重力環(huán)境下外加二極對非均勻旋轉(zhuǎn)磁場對液橋表面張力對流的控制作用.研究結果表明,由二極對非均勻旋轉(zhuǎn)磁場(7mT,50 Hz)所產(chǎn)生的周向強迫攪拌作用,有效地提高了液橋的最大周向速度,同時抑制了液橋的最大軸向速度,該作用使無磁場作用下的三維液橋表面張力對流得到有效控制轉(zhuǎn)變?yōu)槎S軸對稱定常流動.
【作者單位】： 西南大學工程技術學院;重慶大學煤礦災害動力學與控制國家重點實驗室;重慶大學工程力學系;
【基金】：國家自然科學基金項目(11402215) 重慶市自然科學基金項目(cstc2014jcyjA00013) 博士點基金項目(20110191110037)
【分類號】：O361.3;O552.421
【正文快照】： 半導體晶體是集成電路、激光器、光電器件等的主要基礎材料,它的革新對現(xiàn)代化工業(yè)的發(fā)展起著決定性的作用.各種晶體制備方法中,浮區(qū)法由于無坩鍋容器接觸可以避免污染,是一種生長高純度晶體的優(yōu)勢技術.重力環(huán)境下,一方面由重力引起的浮力流會導致晶體內(nèi)產(chǎn)生微觀不均勻性(生長

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