發(fā)布時間：2017-10-06 07:15

  本文關(guān)鍵詞：可嵌入RFID標簽的低功耗單柵非易失性存儲器

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【摘要】：采用Skysilicon 0.35μm標準CMOS工藝設(shè)計并制造了一種可嵌入射頻識別(RFID)標簽的低功耗單柵非易失性存儲器(SPNVM)。與傳統(tǒng)的采用雙柵工藝制造的電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)和快閃存儲器相比較,所提出的單柵存儲器具有更低的制造成本和功耗,更多的可編程次數(shù)以及更簡單的控制電路。該存儲器是將三個MOS晶體管的柵極連在一起作為等效浮柵,數(shù)據(jù)以電壓的形式輸出。利用Fowler-Nordheim電子隧穿機制對浮柵注入或泄放電子,這使得編程過程可以自動停止,且浮柵不會被過度編程。所提出的存儲器結(jié)構(gòu)僅使用兩個正電壓便可實現(xiàn)擦除、寫入和讀取操作。測試結(jié)果表明,對存儲單元進行擦除和數(shù)據(jù)寫入所需時間均為80 ms,存儲器可以實現(xiàn)超過1 000次的編程循環(huán),在芯片未封裝的情況下,數(shù)據(jù)保持時間至少為14天。
【作者單位】： 天津工業(yè)大學電子與信息工程學院;
【關(guān)鍵詞】： 非易失性存儲器(NVM) Fowler-Nordheim(FN)隧穿 射頻識別(RFID) 標準CMOS工藝 單柵
【基金】：天津市應用基礎(chǔ)與前沿技術(shù)研究計劃資助項目(15JCYBJC16300)
【分類號】：TP391.44;TP333
【正文快照】： 0引言隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展,作為其關(guān)鍵技術(shù)的射頻識別(radio frequency identification,RFID)技術(shù)受到了廣泛的關(guān)注。作為RFID的核心,存放產(chǎn)品信息的非易失性存儲器應具有較低的成本和功耗的特點。但由于傳統(tǒng)RFID通常采用成本和功耗較高而工藝成熟的雙柵工藝制造的電可擦可編

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