本文關(guān)鍵詞：阻變存儲(chǔ)器研究進(jìn)展

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【摘要】：阻變存儲(chǔ)器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是最具應(yīng)用前景的下一代非易失性存儲(chǔ)器之一,與傳統(tǒng)浮柵閃存相比在器件結(jié)構(gòu)、速度、可微縮性、三維集成潛力等方面都具有明顯的優(yōu)勢(shì),本文對(duì)RRAM技術(shù)進(jìn)行了綜述.首先簡(jiǎn)單介紹了阻變存儲(chǔ)器的工作原理、技術(shù)優(yōu)勢(shì)、發(fā)展歷程和面臨的基礎(chǔ)科學(xué)問題.然后深入總結(jié)了RRAM的材料體系,包括固態(tài)電解質(zhì)、多元金屬氧化物、二元金屬氧化物3類傳統(tǒng)的阻變介質(zhì)材料,總結(jié)了納米線、二維材料等低維納米材料在RRAM運(yùn)用方面的近期研究進(jìn)展,分析了絕緣/導(dǎo)電的低維材料分別用作阻變介質(zhì)、平面電極層/納米電極/側(cè)邊電極、界面插層所帶來的微縮性、阻變性能和穩(wěn)定性等的改善效果.總結(jié)和分析了細(xì)絲型電阻轉(zhuǎn)變的3類物理機(jī)制:熱化學(xué)機(jī)制(Thermochemical Mechanism,TCM)、電化學(xué)金屬化(Electrochemical Metallization,ECM)機(jī)制、化合價(jià)變化機(jī)制(Valence Change Mechanism,VCM),詳細(xì)分析了3種機(jī)制的SET/RESET轉(zhuǎn)變?cè)砗突倦妼W(xué)特性、透射電鏡觀測(cè)關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證、對(duì)阻變機(jī)制的認(rèn)識(shí)發(fā)展過程等.在阻變機(jī)制分析的基礎(chǔ)上,接著闡述了RRAM電阻轉(zhuǎn)變過程中由于納米尺度下材料微觀結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)的變化導(dǎo)致的一些新奇的物理現(xiàn)象,包括量子效應(yīng)、磁電效應(yīng)、光電效應(yīng)等.最后針對(duì)RRAM實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的關(guān)鍵——集成技術(shù),總結(jié)分析了存儲(chǔ)陣列架構(gòu)、二維/三維集成等關(guān)鍵問題及其研究進(jìn)展.
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;江蘇先進(jìn)生物與化學(xué)制造協(xié)同創(chuàng)新中心;
【關(guān)鍵詞】： 阻變存儲(chǔ)器 阻變材料 阻變機(jī)制 導(dǎo)電細(xì)絲 三維集成 選通管
【基金】：國家自然科學(xué)基金(編號(hào):61521064,61322408,61422407,61522048,61334007,61574169,61274091,61474136,61574166,61376112) 國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(編號(hào):2016YFA0201803,2016YFA0203800,2014AA032900) 科技北京百名領(lǐng)軍人才培養(yǎng)工程項(xiàng)目(編號(hào):Z151100000315008) 中國科學(xué)院前沿科學(xué)重點(diǎn)研究項(xiàng)目(編號(hào):QYZDY-SSW-JSC001)和中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室課題基金資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TP333
【正文快照】： 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是集成電路產(chǎn)業(yè)中最為重要的技術(shù)之一,廣泛應(yīng)用于信息、社會(huì)安全、航空/航天、軍事/國防、新能源和科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域,是國家競(jìng)爭(zhēng)力的重要體現(xiàn).隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的興起,需要存儲(chǔ)分析的信息正在爆炸式增長(zhǎng),因此存儲(chǔ)器有著巨大的市場(chǎng).如何不斷提高

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1 方圓,李偉華,錢莉;一種基于雙極工藝的縱向多面柵MOSFET的結(jié)構(gòu)與工藝[J];微電子學(xué);2004年04期

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本文編號(hào)：940475