本文關(guān)鍵詞：阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器RRAM專(zhuān)利技術(shù)綜述

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【摘要】：阻變存儲(chǔ)器由于其具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn)在存儲(chǔ)器的發(fā)展當(dāng)中占據(jù)著重要地位。本文從專(zhuān)利的角度出發(fā),研究了阻變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的專(zhuān)利申請(qǐng)的基本情況和阻變存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展脈絡(luò),為國(guó)內(nèi)阻變存儲(chǔ)器技術(shù)的研究和專(zhuān)利的申請(qǐng)與布局提供一定的借鑒。
【作者單位】： 國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專(zhuān)利局專(zhuān)利審查協(xié)作河南中心;
【關(guān)鍵詞】： 專(zhuān)利 阻變存儲(chǔ)器 技術(shù)發(fā)展
【分類(lèi)號(hào)】：TP333-18
【正文快照】：

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 陳鳳嬌;先進(jìn)邏輯工藝下SRAM關(guān)鍵參數(shù)波動(dòng)測(cè)試方法和性能以及RRAM在FPGA中應(yīng)用研究[D];復(fù)旦大學(xué);2012年

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本文編號(hào)：869136