本文關(guān)鍵詞：基于Matlab的憶阻器圖形用戶界面設(shè)計(jì)

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【摘要】：在基礎(chǔ)電子學(xué)教科書(shū)中列出了三個(gè)基本的無(wú)源電路元件：電阻器、電容器和電感器。而在1971年，蔡少棠教授預(yù)測(cè)了第四個(gè)電路基本元件的存在，即憶阻器，且在37年之后的2008年惠普科研小組第一次給出了憶阻器的實(shí)物模型，證實(shí)了憶阻器的存在。作為第四種基本電路元件，憶阻器有著不同于其它三種傳統(tǒng)電路元件的獨(dú)特性能，它的成功研制將推動(dòng)整個(gè)電路理論的變革。 憶阻器是一種納米級(jí)的能夠記憶自身電阻的一種新型電路元件，其納米級(jí)的尺寸，出色的存儲(chǔ)能力，低功耗，高耐久性的特點(diǎn)使其在非易失性存儲(chǔ)器、大規(guī)模集成電路和人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等方面具有非常大的應(yīng)用潛能。但憶阻器作為一種新型的電路元件，尚處于研究階段，在目前還沒(méi)有一種準(zhǔn)確而統(tǒng)一的內(nèi)部轉(zhuǎn)換機(jī)制。并且人們發(fā)現(xiàn)對(duì)于不同制作材料與制作工藝所制造出的憶阻器物理模型，其所表現(xiàn)出的特性，，除去他們共同擁有的記憶性與非易失性等基本特性之外，其他的特性都大多互不相同。因此，研究人員要獲得一個(gè)憶阻器的實(shí)物模型并不是一件簡(jiǎn)單的事情，同樣的對(duì)于初學(xué)憶阻器的人員來(lái)說(shuō)，憶阻器的特性也不能被直觀的觀測(cè)到。在現(xiàn)階段的研究中，人們都只能依靠創(chuàng)建能夠近似的表現(xiàn)憶阻器實(shí)物特性的理論模型來(lái)替代憶阻器實(shí)物。為此，本文在對(duì)憶阻器基本理論與特性研究的基礎(chǔ)上，基于Matlab開(kāi)發(fā)了憶阻器模型的圖形用戶界面。本文的主要工作包括： ①介紹了憶阻器的理論基礎(chǔ)與特性，以及四類主要的憶阻器理論模型，并以惠普憶阻器模型為基礎(chǔ)，從理論上推導(dǎo)了其各變量間的關(guān)系。 ②基于Matlab設(shè)計(jì)了一種能直觀展示憶阻器特性的圖形用戶接口，同時(shí)模擬了基于憶阻器的圖像存儲(chǔ)。該圖形用戶界面具有三大功能：1）給定輸入電壓，用戶能直觀方便地演示出憶阻器的電流-電壓磁滯現(xiàn)象，內(nèi)部狀態(tài)變量的變化情況等；2）用戶可以方便地改變輸入電壓及憶阻器的各種參數(shù)，觀察并分析輸出結(jié)果的變化情況：這為人們更直觀地了解憶阻器提供了一個(gè)有效地方法；3）在給定參數(shù)的情況下，系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)基于憶阻器的圖片存儲(chǔ)。
【關(guān)鍵詞】：憶阻器 圖形用戶接口(GUI) Matlab 圖像存儲(chǔ)
【學(xué)位授予單位】：重慶大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類號(hào)】：TM13;TP333
【目錄】：

• 摘要3-4
• ABSTRACT4-8
• 1 緒論8-17
• 1.1 憶阻器概念的提出8-11
• 1.2 憶阻器研究現(xiàn)狀及展望11-14
• 1.3 本文的研究目的14-15
• 1.4 憶阻器理論基礎(chǔ)15-16
• 1.5 論文內(nèi)容安排16-17
• 2 憶阻器相關(guān)模型17-26
• 2.1 憶阻器理論模型17
• 2.2 惠普模型17-21
• 2.3 分段線性模型21-22
• 2.4 遺忘模型22-24
• 2.5 匹配模型24-25
• 2.6 小結(jié)25-26
• 3 憶阻器圖形用戶界面設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)26-40
• 3.1 Matlab 軟件簡(jiǎn)介26-29
• 3.2 憶阻器圖形用戶界面（GUI）設(shè)計(jì)原則29
• 3.3 系統(tǒng)圖形用戶界面設(shè)計(jì)29-30
• 3.4 憶阻器圖形用戶界面實(shí)現(xiàn)30-39
• 3.4.1 憶阻器圖形用戶界面及其流程30-32
• 3.4.2 系統(tǒng)參數(shù)的傳遞32-34
• 3.4.3 正負(fù)波形的繪制34
• 3.4.4 方波信號(hào)的繪制34
• 3.4.5 方波信號(hào)的積分34
• 3.4.6 試驗(yàn)參數(shù)的選擇34-35
• 3.4.7 輸入部分35-36
• 3.4.8 輸出部分36-39
• 3.5 小結(jié)39-40
• 4 仿真結(jié)果與數(shù)據(jù)分析40-53
• 4.1 輸入為正弦波40-41
• 4.2 輸入為方波41-43
• 4.3 輸入為先正后負(fù)正弦平方波43-44
• 4.4 基于不同輸入?yún)?shù)輸出結(jié)果對(duì)比44-45
• 4.5 模擬基于憶阻器的圖像存儲(chǔ)結(jié)果45-46
• 4.6 憶阻器在兩種不同工作狀態(tài)下的比較46-47
• 4.6.1 憶阻器完全工作在不飽和狀態(tài)46-47
• 4.6.2 憶阻器工作在不飽和與飽和狀態(tài)之下47
• 4.6.3 憶阻器工作在不飽和與飽和狀態(tài)時(shí)的比較分析47
• 4.7 基于憶阻器的圖像存儲(chǔ)47-51
• 4.8 小結(jié)51-53
• 5 總結(jié)與展望53-55
• 5.1 本文工作總結(jié)53-54
• 5.2 未來(lái)工作展望54-55
• 致謝55-56
• 參考文獻(xiàn)56-58

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前4條

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本文編號(hào)：860975