本文關(guān)鍵詞：一種解決半選擇單元干擾問題的SRAM設(shè)計方案

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【摘要】：半選擇單元的干擾問題是SRAM工作電壓無法隨工藝微縮持續(xù)降低的主要原因,同時,作為常用寫穩(wěn)定性幫助策略和提高讀寫速度的策略,PWB中字線增強時間點對半選擇單元干擾問題的影響非常值得關(guān)注.本文深入分析了半選擇單元干擾問題的電路機理和PWB穩(wěn)定性策略,提出了一種基于交叉耦合PMOS管的HFPWB創(chuàng)新方案,在避免了半選擇單元干擾問題的同時,給出了字線增強的具體時間點.仿真結(jié)果表明本文提出的電路結(jié)構(gòu)可以同時提高全選單元和半選擇單元的穩(wěn)定性,并可以提高讀速度達17.1%.
【作者單位】： 復(fù)旦大學專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 靜態(tài)隨機存儲器 半選擇單元 干擾 字線增強 寫穩(wěn)定性
【分類號】：TP333
【正文快照】： 靜態(tài)隨機存儲器(Static Random Access Memory,SRAM)由于其高速讀寫特性,一直作為與微處理器的高速緩存(cache)以及直接與各種嵌入式系統(tǒng)通訊的存儲器.由于SRAM與互補金屬氧化物半導(dǎo)體存儲(Complementary Motal-Oxide Semiconductor,CMOS)邏輯工藝完全兼容,無需要增加額外的工

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 張元安;;256KbCMOS模擬SRAM[J];電子技術(shù);1987年10期

2 ;[J];;年期

，

本文編號：742640