發(fā)布時間：2017-08-16 17:12

  本文關(guān)鍵詞：動態(tài)隨機(jī)存儲器器件研究進(jìn)展

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【摘要】：動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片是集成電路中銷售量和銷售額最大的單一產(chǎn)品.本文介紹了DRAM存儲單元的基本原理并回顧了DRAM的技術(shù)發(fā)展與關(guān)鍵創(chuàng)新,總結(jié)了多種先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的DRAM芯片制造的關(guān)鍵工藝技術(shù).分析了電容結(jié)構(gòu)、陣列訪問晶體管、存儲器單元結(jié)構(gòu)等方面的技術(shù)演進(jìn).介紹了多種基于U形溝道晶體管的DRAM存儲單元以及6F2存儲單元的制造方法.基于多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)突破,對下一代DRAM芯片的關(guān)鍵器件工藝的技術(shù)發(fā)展趨勢進(jìn)行了推測.即:(1)陣列選擇晶體管持續(xù)使用U形晶體管;(2)低k材料會被大規(guī)模使用來降低位線寄生電容;(3)提高靈敏放大電路的靈敏度和隨溫度來動態(tài)調(diào)整刷新頻率來降低對存儲電容的要求;(4)更多關(guān)注低功耗設(shè)計(jì)而不是一味地增大存儲容量.
【作者單位】： 復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 動態(tài)隨機(jī)存儲器 短溝道效應(yīng) 掩埋字線 陣列訪問晶體管 存儲電容
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(編號:61322404)
【分類號】：TP333
【正文快照】： 1簡介 動態(tài)隨機(jī)存儲器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)是一種被廣泛應(yīng)用的存儲器,每年市場容量超過300億美元,幾乎占整個全球集成電路市場的1/10.作為集成電路銷售量和銷售額最大的單一產(chǎn)品,DRAM器件的核心存儲單元卻十分簡單,由一個晶體管和一個存儲電容(1 Transisto

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本文編號：684485