動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器器件研究進(jìn)展
本文關(guān)鍵詞:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器器件研究進(jìn)展
更多相關(guān)文章: 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 短溝道效應(yīng) 掩埋字線 陣列訪問晶體管 存儲(chǔ)電容
【摘要】:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片是集成電路中銷售量和銷售額最大的單一產(chǎn)品.本文介紹了DRAM存儲(chǔ)單元的基本原理并回顧了DRAM的技術(shù)發(fā)展與關(guān)鍵創(chuàng)新,總結(jié)了多種先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的DRAM芯片制造的關(guān)鍵工藝技術(shù).分析了電容結(jié)構(gòu)、陣列訪問晶體管、存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)等方面的技術(shù)演進(jìn).介紹了多種基于U形溝道晶體管的DRAM存儲(chǔ)單元以及6F2存儲(chǔ)單元的制造方法.基于多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)突破,對(duì)下一代DRAM芯片的關(guān)鍵器件工藝的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了推測(cè).即:(1)陣列選擇晶體管持續(xù)使用U形晶體管;(2)低k材料會(huì)被大規(guī)模使用來(lái)降低位線寄生電容;(3)提高靈敏放大電路的靈敏度和隨溫度來(lái)動(dòng)態(tài)調(diào)整刷新頻率來(lái)降低對(duì)存儲(chǔ)電容的要求;(4)更多關(guān)注低功耗設(shè)計(jì)而不是一味地增大存儲(chǔ)容量.
【作者單位】: 復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】: 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 短溝道效應(yīng) 掩埋字線 陣列訪問晶體管 存儲(chǔ)電容
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(編號(hào):61322404)
【分類號(hào)】:TP333
【正文快照】: 1簡(jiǎn)介 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)是一種被廣泛應(yīng)用的存儲(chǔ)器,每年市場(chǎng)容量超過(guò)300億美元,幾乎占整個(gè)全球集成電路市場(chǎng)的1/10.作為集成電路銷售量和銷售額最大的單一產(chǎn)品,DRAM器件的核心存儲(chǔ)單元卻十分簡(jiǎn)單,由一個(gè)晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容(1 Transisto
【相似文獻(xiàn)】
中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條
1 臧松干;王鵬飛;林曦;劉昕彥;丁士進(jìn);張衛(wèi);;一種新型高速嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器[J];微電子學(xué);2012年01期
2 吳進(jìn);劉路;;同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的控制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J];西安郵電學(xué)院學(xué)報(bào);2012年05期
3 Ronald.P Cenker,房振華;容錯(cuò)64K動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器[J];微電子學(xué);1983年03期
4 譚必熙;;圖象1兆位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器[J];集成電路應(yīng)用;1986年05期
5 李高積;同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器組件[J];今日電子;1996年09期
6 朱小紅,鄭東寧;鈦酸鍶鋇材料應(yīng)用于超高密度動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的研究[J];物理;2004年01期
7 衛(wèi)欣;動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器新動(dòng)向[J];世界電子元器件;1998年08期
8 姚志斌;羅尹虹;陳偉;何寶平;張鳳祁;郭紅霞;;同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器輻射效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)研制[J];強(qiáng)激光與粒子束;2013年10期
9 蘇光榮;;一個(gè)16K單元?jiǎng)討B(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器[J];電子計(jì)算機(jī)動(dòng)態(tài);1977年04期
10 ;產(chǎn)品之窗[J];電子產(chǎn)品世界;1996年06期
中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
1 魯翔;王巍;;基于FPGA的DDR2 SDRAM控制器的設(shè)計(jì)[A];全國(guó)第4屆信號(hào)和智能信息處理與應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2010年
中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條
1 馮衛(wèi)東;電路世界有了第四種基本元件[N];科技日?qǐng)?bào);2008年
2 師煒;孫清云會(huì)見美國(guó)客人[N];西安日?qǐng)?bào);2004年
3 記者 郭見洌;AMD-760與DDR共筑新平臺(tái)[N];計(jì)算機(jī)世界;2000年
4 江蘇 快樂鼠;跟著感覺走[N];中國(guó)電腦教育報(bào);2002年
5 湖北 曾安君;DVD機(jī)檢修經(jīng)驗(yàn)[N];電子報(bào);2006年
中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前8條
1 董存霖;一種應(yīng)用于增益單元嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)刷新及寫電壓調(diào)整方案[D];復(fù)旦大學(xué);2011年
2 易旭東;0.13μm堆疊式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器光刻工藝優(yōu)化的研究[D];復(fù)旦大學(xué);2011年
3 嚴(yán)冰;高速嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器可編程內(nèi)建自測(cè)試設(shè)計(jì)及優(yōu)化[D];復(fù)旦大學(xué);2012年
4 吳雨健;DRAM原理及工藝流程的研究[D];天津大學(xué);2007年
5 馬亞楠;基于2T GC的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器版圖設(shè)計(jì)及其關(guān)鍵參數(shù)表征與優(yōu)化[D];復(fù)旦大學(xué);2012年
6 曹成偉;新型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)與ZnO納米線/Si異質(zhì)結(jié)研究[D];復(fù)旦大學(xué);2013年
7 李木子;DRAM器件制造的新工藝和電性測(cè)試參數(shù)的分析[D];天津大學(xué);2007年
8 史紹偉;圖像聲納數(shù)字平臺(tái)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];哈爾濱工程大學(xué);2012年
,本文編號(hào):684485
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/jisuanjikexuelunwen/684485.html