本文關鍵詞：原子晶體非易失存儲

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【摘要】：多功能低功耗芯片中存儲、計算與通訊功能各模塊的占用面積、數(shù)據(jù)交換速率等因素已經(jīng)成為集成電路發(fā)展的瓶頸問題.可滿足大數(shù)據(jù)核內(nèi)傳輸速率的未來系統(tǒng)架構(gòu)中高密度高性能存儲技術(shù)需具備超低功耗、超小器件尺寸以及快速寫入及非易失特性.未來存儲技術(shù)包括采用新原理器件例如操控電子躍遷或離子移動代替電子輸運、使用新材料以降低熱量產(chǎn)生以及新型三維堆疊工藝提高密度.本綜述聚焦于新材料特別是二維原子晶體在非易失存儲技術(shù)中的應用.具有高電子遷移率、極限超薄溝道、超低界面態(tài)的二維原子晶體新材料因為其本征厚度約0.6 1.2 nm并具有豐富的能帶結(jié)構(gòu)為未來存儲技術(shù)提供了優(yōu)秀的解決方案,對器件進一步微縮提高集成度、提高穩(wěn)定性和擴大應用場景以及開發(fā)新型存儲器有著巨大潛力,是解決當今存儲器功耗和集成度的嶄新途徑.
【作者單位】： 復旦大學微電子學院專用集成電路和系統(tǒng)國家重點實驗室;
【關鍵詞】： 原子晶體 二維原子晶體 非易失存儲器 閃存 阻變存儲器
【基金】：國家自然科學基金資助項目(編號:61376093)
【分類號】：O73;TP333
【正文快照】： 1引言 1.1存儲技術(shù)在集成電路發(fā)展中的困境 集成電路中器件的功耗增加已經(jīng)成為電子學應用的最大瓶頸.集成度的提高之所以既能夠帶來性能的提高又能帶來功耗的降低,是因為晶體管的微縮是按照1974年Dennard提出的等比例縮小原則[1,2]進行的.按照等比例縮小原則,相比于上一代,

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本文編號：626418