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一種反向串聯憶阻突觸電路的設計及應用

發(fā)布時間:2017-08-05 10:34

  本文關鍵詞:一種反向串聯憶阻突觸電路的設計及應用


  更多相關文章: 脈沖時間依賴可塑性 憶阻器 突觸電路 交叉陣列 圖像存儲


【摘要】:憶阻器的記憶效應類似于生物神經系統(tǒng)中突觸的功能,其納米級尺寸、低功耗和高集成度等特性,使得憶阻突觸具有仿生智能的信息處理能力,這對構建神經形態(tài)系統(tǒng)具有重要意義.本文在改進憶阻器模型的基礎上,設計了一種反向串聯憶阻開關型突觸電路.當開關斷開時,周期方波電壓對憶阻值(權值)進行調節(jié),實現權值更新;當開關閉合時,突觸電路中的憶阻值被用于連接權值來存儲信息.該突觸電路具有STDP(spike-time-dependent-lasticity)仿生學習能力和阻值線性連續(xù)特性.本文將此突觸電路應用于交叉陣列的圖像存儲中,優(yōu)化了存儲方案,討論了噪聲電壓對圖像存儲的影響,進行了數值分析和仿真比較.實驗結果表明:所提出的存儲方案比單憶阻器交叉陣列存儲方法更具有可靠性和魯棒性.
【作者單位】: 西南大學電子信息工程學院;
【關鍵詞】脈沖時間依賴可塑性 憶阻器 突觸電路 交叉陣列 圖像存儲
【基金】:教育部新世紀優(yōu)秀人才支持計劃項目(批準號:教技函[2013]47號);教育部“春暉計劃”科研項目(批準號:z2011148) 國家自然科學基金項目(批準號:61372139,61101233,609-72155) 留學人員科技活動項目(批準號:渝人社辦[2012]186號) 重慶市高等學校優(yōu)秀人才支持計劃項目(批準號:渝教人[2011]65號) 重慶市高等學校青年骨干教師資助計劃項目(批準號:渝教人[2011]65號) 中央高校基本科研業(yè)務費項目(批準號:XDJK2014A009,XDJK2013B011)資助
【分類號】:TP333
【正文快照】: 1引言 神經形態(tài)系統(tǒng)是指能夠實時模擬人腦進行信息處理的智能化系統(tǒng).這一概念最早是由Mead提出來的W,它通過超大規(guī)模集成電路來模擬神經生物學,具有并行計算和分布式存儲的能力.我們知道,人腦神經元約含1000億個神經元,每個神經元平均有20000個突觸聯系.那么突觸電路的設計和

【參考文獻】

中國期刊全文數據庫 前1條

1 董哲康;段書凱;胡小方;王麗丹;;兩類納米級非線性憶阻器模型及串并聯研究[J];物理學報;2014年12期

【共引文獻】

中國期刊全文數據庫 前4條

1 劉海軍;田曉波;李清江;孫兆林;刁節(jié)濤;;基于蒙特卡洛方法的鈦氧化物憶阻器輻射損傷研究[J];物理學報;2015年07期

2 郭羽泉;段書凱;王麗丹;;納米級尺寸參數對鈦氧化物憶阻器的特性影響[J];物理學報;2015年10期

3 孟凡一;段書凱;王麗丹;胡小方;董哲康;;一種改進的WO_x憶阻器模型及其突觸特性分析[J];物理學報;2015年14期

4 蔣然;杜翔浩;韓祖銀;孫維登;;Ti/HfO_2/Pt阻變存儲單元中的氧空位聚簇分布[J];物理學報;2015年20期



本文編號:624455

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