本文關(guān)鍵詞：基于單片機(jī)的級(jí)聯(lián)型升壓逆變器的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

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【摘要】：本篇文章研究并分析了逆變器的發(fā)展過程,詳細(xì)了解了逆變器的國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,基于逆變器的需求量和要求越來越高的這一現(xiàn)狀,根據(jù)實(shí)驗(yàn)室需要,設(shè)計(jì)了一款級(jí)聯(lián)型、輸出10W的小功率數(shù)控變頻逆變器。該逆變驅(qū)動(dòng)器具有的兩個(gè)特性是:拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用DC-DC升壓變換器和逆變器級(jí)聯(lián),輸出采用數(shù)控變頻技術(shù),使輸出頻率可調(diào)。其中,整體拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,利用全橋變換器將12V直流電壓升壓為100V直流電壓,在后端電路中利用DC-AC逆變器將100V直流電源轉(zhuǎn)換為100V交流電源輸出。此外,采用數(shù)控變頻技術(shù),用戶可以通過設(shè)置控制器,使逆變器輸出相應(yīng)的頻率。本文通過對(duì)全橋變換器電路拓?fù)湓矸治?采用了全橋隔離式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)出第一級(jí)的DC-DC升壓電路,能夠提高電壓升壓倍數(shù),滿足高電壓的要求。在電路中第二級(jí)逆變驅(qū)動(dòng)電路采用的是MOSFET全橋驅(qū)動(dòng)電路,MOSFET具有的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)速度相比較快、導(dǎo)通電阻較低,可以應(yīng)用到本文的逆變驅(qū)動(dòng)方面。主要完成的工作有:針對(duì)直流12V輸入交流100V輸出的DC-AC升壓逆變進(jìn)行了以下技術(shù)的研究,其中DC-DC升壓部分主要包括全橋變換器的升壓原理與設(shè)計(jì)、MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、全橋變換器建模、峰值電流控制、反饋補(bǔ)償、隔離驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、數(shù)字變頻、MATLAB升壓仿真設(shè)計(jì)。最后對(duì)設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了測(cè)試,得出功率,效率,體積和升壓效果等基本達(dá)到預(yù)期目標(biāo)和要求。
【關(guān)鍵詞】：全橋變換 升壓 逆變 數(shù)控變頻
【學(xué)位授予單位】：吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TP368.1;TM464
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-8
• 第1章 緒論8-12
• 1.1 研究背景及意義8
• 1.2 逆變器測(cè)技術(shù)簡(jiǎn)介8-10
• 1.3 國(guó)內(nèi)外逆變器的發(fā)展現(xiàn)狀10
• 1.4 本文主要內(nèi)容10-12
• 第2章 逆變系統(tǒng)簡(jiǎn)介12-16
• 2.1 逆變系統(tǒng)基本結(jié)構(gòu)12
• 2.2 變換電路的基本形式12-15
• 2.3 逆變器的主要技術(shù)指標(biāo)15
• 2.4 本章小結(jié)15-16
• 第3章 DC-DC變換器的工作原理16-20
• 3.1 DC-DC變換器分類16-17
• 3.2 DC-DC升壓電路17
• 3.3 單相全橋逆變電路17-18
• 3.4 DC-DC-AC升壓逆變電路分析18-19
• 3.5 本章小結(jié)19-20
• 第4章 DC-DC全橋升壓變換器設(shè)計(jì)20-34
• 4.1 DC-DC升壓變換器方案設(shè)計(jì)20-22
• 4.2 電路的關(guān)鍵器件選取22-26
• 4.3 反饋電路設(shè)計(jì)26-31
• 4.4 全橋DC-DC升壓變換器建模仿真31-33
• 4.5 本章小結(jié)33-34
• 第5章 DC-AC逆變電路設(shè)計(jì)34-41
• 5.1 DC-AC逆變驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)34-35
• 5.2 功率驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)35-36
• 5.3 逆變橋路工作過程分析36-37
• 5.4 變頻數(shù)字控制器設(shè)計(jì)37-39
• 5.5 逆變橋路帶電阻負(fù)載時(shí)仿真39-40
• 5.6 本章小結(jié)40-41
• 第6章 基于單片機(jī)的反饋與保護(hù)電路設(shè)計(jì)41-46
• 6.1 控制電路方案比較與選擇41
• 6.2 MSP430單片機(jī)控制最小系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)41-42
• 6.3 反饋電壓采集電路設(shè)計(jì)42-43
• 6.4 保護(hù)及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)43-44
• 6.5 采集反饋電壓的軟件設(shè)計(jì)44-45
• 6.6 單片機(jī)數(shù)字PI補(bǔ)償器設(shè)計(jì)45
• 6.7 本章小結(jié)45-46
• 第7章 測(cè)試結(jié)果與分析46-49
• 7.1 測(cè)試指標(biāo)46
• 7.2 測(cè)試設(shè)備46
• 7.3 波形測(cè)試結(jié)果46-48
• 7.4 結(jié)論48-49
• 第8章 總結(jié)與展望49-50
• 8.1 總結(jié)49
• 8.2 下一步工作建議49-50
• 參考文獻(xiàn)50-52
• 致謝52

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