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支持ONFI和Toggle模式的NAND Flash控制器設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2017-07-31 03:19

  本文關(guān)鍵詞:支持ONFI和Toggle模式的NAND Flash控制器設(shè)計(jì)


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【摘要】:隨著智能手機(jī)、平板電腦、固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品市場(chǎng)的擴(kuò)大,對(duì)快速大容量存儲(chǔ)器的需求日益增長(zhǎng)。NAND Flash作為一種非易失性存儲(chǔ)器,具有存儲(chǔ)密度高、編程擦除速度快、成本低、壽命高等特點(diǎn),成為存儲(chǔ)芯片的主流。NAND Flash控制器的研究具有重要的價(jià)值,它負(fù)責(zé)完成NAND Flash存儲(chǔ)器與外部設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸?刂破髟O(shè)計(jì)的好壞影響到整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能。 與一般控制器不同的是,本文設(shè)計(jì)的NAND Flash控制器,既支持ONFI1.0~2.2的異步與源同步接口,又支持Toggle DDR1.0接口。控制器內(nèi)部有專門的物理層電路來(lái)產(chǎn)生高速DDR接口時(shí)序,發(fā)揮出NAND Flash的最大傳輸速度。 結(jié)合SoC開(kāi)發(fā)的需求,所設(shè)計(jì)的NAND Flash控制器是采用AHB接口,目前最主流的片上系統(tǒng)總線。內(nèi)置DMA模塊進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸引擎,主動(dòng)從外部搬運(yùn)數(shù)據(jù),無(wú)需CPU干擾,進(jìn)一步加快了數(shù)據(jù)傳輸。 由于NAND Flash存儲(chǔ)過(guò)程中出現(xiàn)比特位反轉(zhuǎn),控制器內(nèi)增加了ECC校驗(yàn)功能,,來(lái)進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)與糾正。ECC模塊采用IP核,基于BCH算法,能夠?qū)崿F(xiàn)1K字節(jié)數(shù)據(jù)中糾正32位隨機(jī)錯(cuò)誤。 最后,對(duì)NAND Flash控制器進(jìn)行功能仿真,仿真結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的NANDFlash控制器能夠完成對(duì)NAND Flash的各種存取操作,接口時(shí)序滿足ONFI與Toggle的標(biāo)準(zhǔn)要求。然后采用SMIC0.13標(biāo)準(zhǔn)工藝庫(kù)進(jìn)行邏輯綜合、布局布線,在SynopsysPrimeTime下進(jìn)行靜態(tài)時(shí)序分析與優(yōu)化,修復(fù)了建立與保持時(shí)間的違例。
【關(guān)鍵詞】:ONFI Toggle 源同步 PHY 時(shí)序分析
【學(xué)位授予單位】:華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2014
【分類號(hào)】:TP333
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • ABSTRACT5-9
  • 1 緒論9-15
  • 1.1 ONFI 與 Toggle 標(biāo)準(zhǔn)9-10
  • 1.2 NAND 與 NOR 閃存10-11
  • 1.3 SLC&MCL NAND Flash11-12
  • 1.4 選題目的及意義12-13
  • 1.5 論文組織結(jié)構(gòu)13-15
  • 2 NAND Flash 存儲(chǔ)器15-23
  • 2.1 NAND Flash 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)15-17
  • 2.2 NAND Flash 三種接口17-20
  • 2.3 NAND Flash 操作時(shí)序20-22
  • 2.4 本章小結(jié)22-23
  • 3 NAND Flash 控制器設(shè)計(jì)23-44
  • 3.1 控制器的結(jié)構(gòu)23-25
  • 3.2 控制器的接口25-27
  • 3.3 DMA 模塊27-29
  • 3.4 DATAFIFO29-31
  • 3.5 主控邏輯模塊31-36
  • 3.6 ECC 模塊36-43
  • 3.7 本章小結(jié)43-44
  • 4 NAND Flash PHY 設(shè)計(jì)44-50
  • 4.1 PHY 結(jié)構(gòu)44-45
  • 4.2 DLL45
  • 4.3 PHY 寫(xiě)通道45-46
  • 4.4 DQS 門控46-47
  • 4.5 PHY 讀通道47-48
  • 4.6 地址與控制邏輯48-49
  • 4.7 本章小結(jié)49-50
  • 5 功能仿真與時(shí)序分析50-59
  • 5.1 驗(yàn)證平臺(tái)50-51
  • 5.2 功能仿真51-53
  • 5.3 邏輯綜合53-54
  • 5.4 靜態(tài)時(shí)序分析54-56
  • 5.5 時(shí)序優(yōu)化56-58
  • 5.6 本章小結(jié)58-59
  • 6 總結(jié)與展望59-61
  • 6.1 全文總結(jié)59-60
  • 6.2 研究展望60-61
  • 致謝61-62
  • 參考文獻(xiàn)62-66
  • 附錄 作者在攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文66

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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3 李璐;周海燕;;一種含BCH編解碼器的SLC/MLC NAND FLASH控制器的VLSI設(shè)計(jì)[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2009年07期

4 張華高;陳嵐;;DDR源同步接口的設(shè)計(jì)與時(shí)序約束方法[J];計(jì)算機(jī)工程與設(shè)計(jì);2008年07期

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6 謝瑯;楊艷;;基于AMBA總線的DMA控制器IP核設(shè)計(jì)與分析[J];計(jì)算機(jī)應(yīng)用研究;2006年12期

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10 史昕蕾,楊軍,陸生禮;嵌入式SoC中的DMA控制器的設(shè)計(jì)與優(yōu)化[J];電子工程師;2004年01期

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3 李興龍;固態(tài)硬盤(pán)閃存控制設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];華中科技大學(xué);2009年

4 萬(wàn)軼;高性能DDR3存儲(chǔ)控制器的研究與實(shí)現(xiàn)[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2008年

5 方霖;DVB-S2中BCH碼編譯碼器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2007年



本文編號(hào):597272

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