發(fā)布時(shí)間：2017-07-26 13:24

  本文關(guān)鍵詞：SRAM內(nèi)嵌靈敏放大器失調(diào)電壓的影響因素研究

  更多相關(guān)文章： SRAM 靈敏放大器 失配電壓 蒙特卡羅 工藝角 良率

【摘要】：隨著第一個(gè)晶體管的誕生，微電子技術(shù)發(fā)展尤為迅速，目前已進(jìn)入了甚大規(guī)模集成電路時(shí)代。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為微電子產(chǎn)品的典型代表已越來越多的使用到各種不同的電子消費(fèi)品中，近年來，憑借著速度快和功耗低的優(yōu)點(diǎn)，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）的發(fā)展勢(shì)頭十分強(qiáng)勁，，成為了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中不可或缺的一部分。 本論文首先介紹了存儲(chǔ)器的分類和國內(nèi)外的發(fā)展現(xiàn)狀，從摩爾定律到基辛格規(guī)則。其次，著重分析了SRAM的基本結(jié)構(gòu)，從基本框架到各個(gè)模塊，通過不同結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元工作原理，介紹了其各自的設(shè)計(jì)方法及優(yōu)缺點(diǎn)，本論文以6管存儲(chǔ)單元為例，介紹了電路讀寫的時(shí)序，分析了幾種容限。接著，本文通過對(duì)幾種不同類型靈敏放大器原理的對(duì)比及分析，總結(jié)優(yōu)缺點(diǎn)，特別是本設(shè)計(jì)用到的鎖存型靈敏放大器，分析了電路失配的原因以及減小失配的方法，在深亞微米工藝下，失配電壓服從高斯分布，降低靈敏放大器失配電壓的平均值幅度空間已經(jīng)很小，良率主要取決于失配電壓標(biāo)準(zhǔn)差的值。通過對(duì)存儲(chǔ)單元以及靈敏放大器的設(shè)計(jì)和仿真，得出滿足良率下的靈敏放大器的失配電壓值。最后對(duì)整個(gè)SRAM進(jìn)行仿真，優(yōu)化。
【關(guān)鍵詞】：SRAM 靈敏放大器 失配電壓 蒙特卡羅 工藝角 良率
【學(xué)位授予單位】：蘇州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類號(hào)】：TP333;TN722
【目錄】：

• 中文摘要4-5
• Abstract5-8
• 第一章 緒論8-14
• 1.1 課題的背景8-9
• 1.1.1 摩爾定律8-9
• 1.1.2 基辛格規(guī)則9
• 1.2 存儲(chǔ)器的分類9-11
• 1.3 國內(nèi)外的存儲(chǔ)器發(fā)展11-12
• 1.4 本課題的研究內(nèi)容及目標(biāo)12-13
• 1.5 論文的章節(jié)結(jié)構(gòu)13-14
• 第二章 SRAM 框架和存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)與分析14-32
• 2.1 SRAM的基本框架14-19
• 2.1.1 控制電路分析15-16
• 2.1.2 譯碼器電路分析16-19
• 2.2 6管 SRAM 基本存儲(chǔ)單元的分析19-28
• 2.2.1 SRAM 的工作原理19-22
• 2.2.2 SRAM 性能的分析22-28
• 2.3 不同存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)分析28-31
• 2.3.1 6T單元的設(shè)計(jì)28-29
• 2.3.2 8T單元的設(shè)計(jì)29
• 2.3.3 10T單元的設(shè)計(jì)29-30
• 2.3.4 5T單元的設(shè)計(jì)30
• 2.3.5 9T單元的設(shè)計(jì)30-31
• 2.4 本章小結(jié)31-32
• 第三章 靈敏放大器的設(shè)計(jì)與分析32-37
• 3.1 電流鏡型靈敏放大器的設(shè)計(jì)32-33
• 3.2 交叉耦合型靈敏放大器的設(shè)計(jì)33
• 3.3 鎖存型靈敏放大器的設(shè)計(jì)33-36
• 3.3.1 反相器分析33-35
• 3.3.2 鎖存型靈敏放大器分析35-36
• 3.4 本章小結(jié)36-37
• 第四章 失調(diào)電壓的分析計(jì)算以及電路的仿真驗(yàn)證37-48
• 4.1 HSPICE 仿真軟件簡介37-38
• 4.2 失配的工藝原因以及 Monte Carlo 分析方法38-39
• 4.2.1 失配的工藝原因38-39
• 4.2.2 Monte Carlo 分析方法39
• 4.3 存儲(chǔ)單元的仿真39-43
• 4.4 SAC的仿真43-45
• 4.4.1 掃描法測(cè)失調(diào)電壓43-44
• 4.4.2 二分法測(cè)失調(diào)電壓44
• 4.4.3 靈敏放大器的仿真數(shù)據(jù)44-45
• 4.5 最優(yōu)化的失調(diào)電壓45-47
• 4.5.1 全概率分析45-46
• 4.5.2 Matlab 數(shù)值分析46
• 4.5.3 與傳統(tǒng)分析比較46-47
• 4.6 本章小結(jié)47-48
• 第五章 結(jié)論與展望48-49
• 5.1 本文的總結(jié)48
• 5.2 今后的展望48-49
• 參考文獻(xiàn)49-52
• 附錄52-55
• 致謝55-56

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 邵虞;;最近世界半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展特點(diǎn)漫談(下)[J];電子產(chǎn)品世界;2007年09期

2 周燕;張蓉;李正平;余群齡;;基于65nmSRAM靈敏放大器新型失調(diào)減小技術(shù)的研究[J];電腦知識(shí)與技術(shù);2012年10期

3 李文石,唐璞山,許杞安,章焱;集成電路時(shí)間延遲優(yōu)化分析與模擬[J];微電子學(xué);2004年06期

本文編號(hào)：576608