本文關(guān)鍵詞：基于ARM的大容量NAND FLASH應(yīng)用

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【摘要】：針對(duì)基于ARM的大容量NAND FLASH應(yīng)用中的問(wèn)題進(jìn)行研究,發(fā)現(xiàn)ARM的可變靜態(tài)存儲(chǔ)控制器模塊只有2個(gè)NAND FLAS H片選引腳,無(wú)法直接提供大容量NAND FLAS H所需的4個(gè)片選信號(hào);NAND FLAS H存儲(chǔ)以頁(yè)為單位,對(duì)于不足1頁(yè)的數(shù)據(jù)無(wú)法進(jìn)行存儲(chǔ)。通過(guò)對(duì)ARM的引腳復(fù)用功能和NAND FLAS H的工作特點(diǎn)進(jìn)行研究,提出了自定義NAND FLAS H片選信號(hào)解決片選不足,通過(guò)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行填充解決不足1頁(yè)的數(shù)據(jù)無(wú)法存儲(chǔ)的問(wèn)題。最終通過(guò)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證,保證了基于ARM的大容量NAND FLASH可以充分有效的應(yīng)用。
【作者單位】： 南京理工大學(xué)瞬態(tài)物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： ARM處理器 片選 大容量存儲(chǔ) NAND閃存
【分類號(hào)】：TP333
【正文快照】： 作為主流的存儲(chǔ)器之一,NAND FLASH以其存儲(chǔ)速度快、可靠性高、體積小、質(zhì)量輕、功耗低、適應(yīng)各種工作環(huán)境等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各類存儲(chǔ)設(shè)備[1]。在處理器中,ARM具有高性能、低功耗、低價(jià)格等特點(diǎn),占有很大的市場(chǎng)份額。隨著信息行業(yè)的發(fā)展,各類信息的數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,為了滿足信息

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 任萍;嵌入式NAND Flash穩(wěn)步起飛[J];電子與電腦;2005年05期

2 馬豐璽;楊斌;衛(wèi)洪春;;非易失存儲(chǔ)器NAND Flash及其在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用[J];計(jì)算機(jī)技術(shù)與發(fā)展;2007年01期

3 蔡浩;;一種NAND FLASH自啟動(dòng)的新方法[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2007年08期

4 文q，

本文編號(hào)：560662