本文關(guān)鍵詞：基于ARM的大容量NAND FLASH應(yīng)用

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【摘要】：針對基于ARM的大容量NAND FLASH應(yīng)用中的問題進行研究,發(fā)現(xiàn)ARM的可變靜態(tài)存儲控制器模塊只有2個NAND FLAS H片選引腳,無法直接提供大容量NAND FLAS H所需的4個片選信號;NAND FLAS H存儲以頁為單位,對于不足1頁的數(shù)據(jù)無法進行存儲。通過對ARM的引腳復(fù)用功能和NAND FLAS H的工作特點進行研究,提出了自定義NAND FLAS H片選信號解決片選不足,通過對數(shù)據(jù)進行填充解決不足1頁的數(shù)據(jù)無法存儲的問題。最終通過實驗進行驗證,保證了基于ARM的大容量NAND FLASH可以充分有效的應(yīng)用。
【作者單位】： 南京理工大學(xué)瞬態(tài)物理國家重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： ARM處理器 片選 大容量存儲 NAND閃存
【分類號】：TP333
【正文快照】： 作為主流的存儲器之一,NAND FLASH以其存儲速度快、可靠性高、體積小、質(zhì)量輕、功耗低、適應(yīng)各種工作環(huán)境等特點,廣泛應(yīng)用于各類存儲設(shè)備[1]。在處理器中,ARM具有高性能、低功耗、低價格等特點,占有很大的市場份額。隨著信息行業(yè)的發(fā)展,各類信息的數(shù)據(jù)量越來越大,為了滿足信息

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 任萍;嵌入式NAND Flash穩(wěn)步起飛[J];電子與電腦;2005年05期

2 馬豐璽;楊斌;衛(wèi)洪春;;非易失存儲器NAND Flash及其在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用[J];計算機技術(shù)與發(fā)展;2007年01期

3 蔡浩;;一種NAND FLASH自啟動的新方法[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2007年08期

4 文q，

本文編號：560662