發(fā)布時間：2017-07-06 01:10

  本文關鍵詞：Flash存儲器并行耐久測試方法

  更多相關文章： 閃存 存儲壽命 耐久測試 扇區(qū)等效性 并行測試

【摘要】：傳統閃存(Flash)芯片耐久測試需要對整塊芯片按扇區(qū)串行進行擦寫測試,測試時間長、效率低、成本高,不利于其批量耐久測試和產業(yè)化發(fā)展。該文基于"資源換速度"的思想提出一種高效的Flash存儲器并行耐久測試方法,通過對多片Flash芯片并行進行擦寫測試,對不同芯片擦寫不同扇區(qū)來提升其耐久測試效率,并進一步對耐久測試Flash芯片的不同扇區(qū)等效性進行分析,對等效性需要滿足的條件和要求進行探討。實驗結果表明:并行耐久測試能有效縮短測試時間,其效率提升程度與并行測試的芯片數量成正比,加速測試結果與理論曲線符合較好。
【作者單位】： 工業(yè)和信息化部電子第五研究所;
【關鍵詞】： 閃存 存儲壽命 耐久測試 扇區(qū)等效性 并行測試
【分類號】：TP333
【正文快照】： 0引言隨著移動存儲技術的快速發(fā)展和移動存儲市場的不斷擴大,Flash存儲器的市場需求快速增長[1]。由于具有低成本、高密度、掉電不丟失、便攜、可靠等優(yōu)點,其在移動產品中獲得了廣泛的應用[2-3]。隨著大規(guī)模集成電路工藝的進步,Flash存儲器的質量可靠性成為影響其大量應用的關

【相似文獻】

中國期刊全文數據庫 前10條

1 BRIAN DIPERT;;清除不合格的存儲器[J];電子設計技術;2002年03期

2 ;存儲器市場發(fā)展趨勢[J];世界電子元器件;2003年11期

3 張健;CellularRAM存儲器:2.5G/3G終端的理想方案[J];電子設計應用;2003年10期

4 ;韓國開發(fā)出新一代超高速存儲器芯片[J];世界科技研究與發(fā)展;2004年02期

5 ;韓國開發(fā)出新一代超高速存儲器芯片[J];稀有金屬;2004年03期

6 ;我國首款自主知識產權相變存儲器芯片研制成功[J];發(fā)明與創(chuàng)新(綜合科技);2011年06期

7 竇振中;未來存儲器技術[J];電子產品世界;2000年02期

8 鄒益民;存儲器的兼容性設計[J];電子工藝技術;2001年03期

9 鄒益民;存儲器的兼容性設計[J];國外電子元器件;2001年04期

10 潘立陽;朱鈞;段志剛;伍冬;;快閃存儲器技術研究與進展[J];中國集成電路;2002年11期

中國重要會議論文全文數據庫 前5條

1 衛(wèi)寧;王劍峰;杜婕;周聰莉;郭旗;文林;;抗輻射加固封裝國產存儲器電子輻照試驗研究[A];第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈沖學術年會論文集[C];2009年

2 胡勇;吳丹;沈森祖;石堅;;基于V93000測試系統的存儲器測試方法研究和實現[A];第五屆中國測試學術會議論文集[C];2008年

3 陳飛;羅運虎;周勇軍;李金猛;周濤;闞艷;;應用于飛機電路板修理的專用存儲器讀寫裝置的研制[A];面向航空試驗測試技術——2013年航空試驗測試技術峰會暨學術交流會論文集[C];2013年

4 吾勤之;許導進;王晨;劉剛;蔡小五;韓鄭生;;SRAM存儲器單粒子效應試驗研究[A];第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈沖學術年會論文集[C];2009年

5 唐民;;超深亞微米SRAM和Flash存儲器的輻射效應[A];第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈沖學術年會論文集[C];2009年

中國重要報紙全文數據庫 前10條

1 周東;朱一明：我拿輟學賭明天[N];中國高新技術產業(yè)導報;2006年

2 姜洋;恒憶進軍存儲器市場[N];中國計算機報;2008年

3 本報記者 郭濤;閃存之后,相變存儲器再受關注[N];中國計算機報;2011年

4 南京 沈永明;彩電存儲器讀寫器的制作和使用[N];電子報;2005年

5 莫大康;應用推動 存儲器重回上升軌道[N];中國電子報;2007年

6 記者 王春;上�！跋嘧兇鎯ζ鳌毖芯颗c國際前沿基本同步[N];科技日報;2011年

7 記者王俊鳴;64位存儲器在美問世[N];科技日報;2002年

8 蔡綺芝 DigiTimes;IBM Racetrack Memory將取代閃存[N];電子資訊時報;2007年

9 IDG電訊;“牛”氣沖天[N];計算機世界;2000年

10 記者 張錦芳;韓國高速芯片每秒可傳1萬本厚書[N];新華每日電訊;2004年

中國博士學位論文全文數據庫 前5條

1 袁方;新型高密度非揮發(fā)存儲器研究[D];清華大學;2014年

2 吳丹;高效能計算型存儲器體系結構關鍵技術研究與實現[D];華中科技大學;2012年

3 范雪;一種新型反熔絲存儲器的研制及其抗輻射加固方法研究[D];電子科技大學;2011年

4 劉璐;高k柵堆棧電荷陷阱型MONOS存儲器的研究[D];華中科技大學;2013年

5 周嬌;相變存儲器按比例縮小研究[D];華中科技大學;2014年

中國碩士學位論文全文數據庫 前10條

1 李延彬;基于PCM的寫操作優(yōu)化策略研究與設計[D];山東大學;2015年

2 趙志剛;基于相變存儲器電流約束下片內并行寫入操作研究[D];山東大學;2015年

3 趙志強;基于OpenRISC 1200的SoC系統搭建及LDPC整合驗證[D];電子科技大學;2015年

4 余坦秀;基于FPGA的DDR2 SDRAM控制器的設計與實現[D];西安電子科技大學;2014年

5 邵津津;40納米工藝雙模轉置存儲器的設計[D];國防科學技術大學;2014年

6 段志剛;嵌入式低壓低功耗新型快閃存儲器電路研究[D];清華大學;2004年

7 李家強;基于正交拉丁碼的存儲器抗多位翻轉設計[D];哈爾濱工業(yè)大學;2014年

8 沈菊;相變存儲器芯片電路設計與實現[D];中國科學院研究生院（上海微系統與信息技術研究所）;2008年

9 張佶;高密度阻變存儲器的設計[D];復旦大學;2010年

10 張顯敞;存儲器測試算法研究及應用實現[D];電子科技大學;2013年

，

本文編號：524235