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基于PCIE固態(tài)硬盤的嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2017-07-03 18:12

  本文關(guān)鍵詞:基于PCIE固態(tài)硬盤的嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)


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【摘要】:存儲(chǔ)系統(tǒng)是航測(cè)系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分,隨著高分辨率、高頻幀CCD相機(jī)在航測(cè)中的廣泛使用,不僅要求存儲(chǔ)系統(tǒng)可以對(duì)航測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行高速穩(wěn)定的存儲(chǔ),,還要能克服空天等惡劣環(huán)境。針對(duì)這些要求,本文提出了基于PCIE固態(tài)硬盤的嵌入式存儲(chǔ)技術(shù),就存儲(chǔ)系統(tǒng)的硬件平臺(tái)搭建和數(shù)據(jù)流設(shè)計(jì)的相關(guān)技術(shù)問題進(jìn)行了研究。 針對(duì)硬件平臺(tái)的搭建,本文深入研究了PCIE協(xié)議和CPCIE規(guī)范,提出了設(shè)計(jì)方案,采用PCIE固態(tài)硬盤的結(jié)構(gòu),以NAND Flash作為固態(tài)存儲(chǔ)芯片,以PCIE高速接口作為板卡接口,按照CPCIE3U規(guī)范設(shè)計(jì)。根據(jù)提出的設(shè)計(jì)方案和性能要求,完成了芯片選型、硬件原理圖及PCB的設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)方案一方面依靠CPCIE規(guī)范的高速高帶寬的背板連接、抗惡劣環(huán)境和緊密耦合等優(yōu)點(diǎn),提升了系統(tǒng)的可靠性和性能;另一方面借助于固態(tài)存儲(chǔ)芯片NAND Flash的功耗小、體積小、抗震能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),使系統(tǒng)的可靠性得以增強(qiáng),體積和功耗也得以降低。 針對(duì)數(shù)據(jù)流設(shè)計(jì),在硬件平臺(tái)的基礎(chǔ)上,本文提出了一種系統(tǒng)數(shù)據(jù)流的設(shè)計(jì)方案,存儲(chǔ)系統(tǒng)數(shù)據(jù)流在EDK中設(shè)計(jì)完成,以MicroBlaze處理器為系統(tǒng)CPU,以Standalone嵌入式操作系統(tǒng)作為操作系統(tǒng)。為解決系統(tǒng)PCIE高速通信,本文采用了Xilinx自帶的IP核PLBv46Bridge作為PCIE接口模塊,通過PCIE總線板卡成功被主控設(shè)備找到。為解決系統(tǒng)的高速緩存,研究了MPMC的NPI接口的讀寫時(shí)序,并在FPGA中設(shè)計(jì)了NPI控制器,成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)DDR3的讀寫,經(jīng)測(cè)試寫入DDR3的速度達(dá)到560MB/s,讀取DDR3的速度為400MB/s。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)NAND Flash芯片的高速訪問,本文首先分析了NAND Flash物理層的驅(qū)動(dòng)邏輯、FRAM芯片的讀寫,并在FPGA中實(shí)現(xiàn)了這些操作時(shí)序,研究了并行技術(shù)及流水線技術(shù),提出了片外并行片內(nèi)兩級(jí)流水的寫入技術(shù);其次給出了NAND Flash控制器的總體設(shè)計(jì),提出了NAND Flash控制器IO擴(kuò)展的一種方法,有效節(jié)省了FPGA資源;然后提出了NAND Flash壞塊的管理方法,解決了壞塊地址的快速檢索并節(jié)省了用于存儲(chǔ)壞塊地址的存儲(chǔ)空間;最后在FPGA中實(shí)現(xiàn)片外并行片內(nèi)兩級(jí)流水的寫入方式,經(jīng)過性能測(cè)試分析可達(dá)到352MB/s的寫入速度?偟膩碚f,NPI控制器和NAND Flash控制器都滿足了250MB/s存儲(chǔ)帶寬的要求,達(dá)到了預(yù)期目標(biāo),解決了高速航測(cè)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)問題。 為了形成集數(shù)據(jù)采集、存儲(chǔ)、管理于一體的ATR記錄系統(tǒng),本文在相關(guān)研究成果的基礎(chǔ)上,提出了多模塊ATR記錄系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案,整個(gè)系統(tǒng)按照CPCIE3U規(guī)范設(shè)計(jì),架構(gòu)十分靈活,并完成了主控交換板的硬件設(shè)計(jì)。
【關(guān)鍵詞】:PCIE總線 NAND Flash 嵌入式存儲(chǔ) CPCIE FPGA
【學(xué)位授予單位】:中國(guó)科學(xué)院研究生院(光電技術(shù)研究所)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2014
【分類號(hào)】:TP333
【目錄】:
  • 致謝4-5
  • 摘要5-6
  • ABSTRACT6-11
  • 1 引言11-16
  • 1.1 研究背景11
  • 1.2 國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)11-14
  • 1.2.1 固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng)的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)11-13
  • 1.2.2 系統(tǒng)架構(gòu)平臺(tái)的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)13-14
  • 1.3 研究?jī)?nèi)容與章節(jié)安排14-16
  • 2 PCIE 協(xié)議及 CPCIE 規(guī)范介紹16-23
  • 2.1 本章引言16
  • 2.2 PCIE 協(xié)議介紹16-20
  • 2.2.1 PCIE 總線拓?fù)?/span>16-17
  • 2.2.2 PCIE 體系分層17-18
  • 2.2.3 PCIE 數(shù)據(jù)傳輸18-20
  • 2.3 CPCIE 規(guī)范20-22
  • 2.4 本章小結(jié)22-23
  • 3 存儲(chǔ)系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)23-35
  • 3.1 本章引言23
  • 3.2 性能要求和主要芯片介紹23-26
  • 3.2.1 性能要求23
  • 3.2.2 芯片選型23-26
  • 3.3 原理圖設(shè)計(jì)26-31
  • 3.3.1 DDR3 電路設(shè)計(jì)26-27
  • 3.3.2 電源電路設(shè)計(jì)27-29
  • 3.3.3 時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)29
  • 3.3.4 PCIE 高速接口電路設(shè)計(jì)29-30
  • 3.3.5 配置電路和 JTAG 口電路設(shè)計(jì)30-31
  • 3.3.6 NAND Flash 電路和 FRAM 電路設(shè)計(jì)31
  • 3.4 高速 PCB 設(shè)計(jì)31-34
  • 3.4.1 高速 PCB 布線遇到的問題31-32
  • 3.4.2 高速 PCB 信號(hào)線布線規(guī)則32-34
  • 3.5 本章小結(jié)34-35
  • 4 存儲(chǔ)系統(tǒng)數(shù)據(jù)流設(shè)計(jì)35-53
  • 4.1 本章引言35
  • 4.2 系統(tǒng)數(shù)據(jù)流的整體設(shè)計(jì)35-36
  • 4.3 PCIE 接口模塊36-38
  • 4.3.1 PCIE 硬核36-37
  • 4.3.2 PCIE 接口模塊的聯(lián)調(diào)37-38
  • 4.4 數(shù)據(jù)緩存模塊38-41
  • 4.4.1 MPMC 控制器38
  • 4.4.2 NPI 控制器38-40
  • 4.4.3 Chipscope 采樣結(jié)果和分析40-41
  • 4.5 NAND Flash 控制器41-52
  • 4.5.1 讀 NAND Flash ID42-43
  • 4.5.2 讀 NAND Flash 頁數(shù)據(jù)43-44
  • 4.5.3 寫 NAND Flash 頁數(shù)據(jù)44-45
  • 4.5.4 擦除 NAND Flash 數(shù)據(jù)45-46
  • 4.5.5 讀當(dāng)前狀態(tài)46
  • 4.5.6 壞塊掃描46-47
  • 4.5.7 FRAM 控制器47-48
  • 4.5.8 并行技術(shù)48
  • 4.5.9 流水線技術(shù)48
  • 4.5.10 片外并行片內(nèi)兩級(jí)流水48
  • 4.5.11 NAND Flash 控制器總體架構(gòu)48-50
  • 4.5.12 Chipscope 采樣結(jié)果與分析50-52
  • 4.6 本章小結(jié)52-53
  • 5 多模塊 ATR 記錄系統(tǒng)53-58
  • 5.1 本章引言53
  • 5.2 多模塊 ATR 記錄系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案53
  • 5.3 主控交換板的硬件設(shè)計(jì)53-57
  • 5.3.1 主控交換板芯片選型54-56
  • 5.3.2 主控交換板原理圖及 PCB 設(shè)計(jì)56-57
  • 5.4 本章小結(jié)57-58
  • 6 全文總結(jié)與展望58-60
  • 6.1 全文工作總結(jié)58-59
  • 6.2 論文創(chuàng)新點(diǎn)59
  • 6.3 下一步工作展望59-60
  • 參考文獻(xiàn)60-63
  • 作者簡(jiǎn)歷及攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文63

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 劉燎原;;基于VHDL語言的漢明碼編碼器和譯碼器的設(shè)計(jì)[J];安徽職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報(bào);2006年04期

2 王輝;黃致新;張峰;劉敏;;硬盤磁記錄介質(zhì)的發(fā)展與展望[J];信息記錄材料;2006年03期

3 吳曉薇;郭子政;;磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)的原理與研究進(jìn)展[J];信息記錄材料;2009年02期

4 侯瑩瑩;關(guān)丹丹;;高速PCB中的過孔設(shè)計(jì)研究[J];電子與封裝;2009年08期

5 董永吉;陳庶樵;李玉峰;李印海;;Xilinx PCI-Express核總線接口設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J];電子技術(shù)應(yīng)用;2011年08期

6 陳利杰;周維超;郭帥;蘇海冰;吳欽章;;基于CPCIE的高速數(shù)據(jù)交換中心的設(shè)計(jì)[J];光電工程;2011年07期

7 余輝龍;何昕;魏仲慧;王東鶴;;應(yīng)用NAND型閃存的高速大容量圖像存儲(chǔ)器[J];光學(xué)精密工程;2009年10期

8 張?zhí)炝?張思敏;;CPCI-E與VPX總線標(biāo)準(zhǔn)的比較分析[J];工業(yè)控制計(jì)算機(jī);2009年07期

9 張峰;;基于Nandflash陣列的高速存儲(chǔ)技術(shù)[J];電訊技術(shù);2013年01期

10 雷雨;任國(guó)強(qiáng);孫健;徐永剛;黃輝;;基于PCIE的高速光纖圖像實(shí)時(shí)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)[J];電子技術(shù)應(yīng)用;2013年10期

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 孫科林;基于多核DSP的實(shí)時(shí)圖像處理平臺(tái)研究[D];電子科技大學(xué);2012年


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