本文關(guān)鍵詞：陽(yáng)離子遷移型阻變存儲(chǔ)材料與器件研究進(jìn)展，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：硅基閃存是當(dāng)前半導(dǎo)體市場(chǎng)的主流非易失性存儲(chǔ)器,但其小型化日益接近物理極限.陽(yáng)離子遷移型阻變存儲(chǔ)器是下一代高速、高密度和低功耗非易失性存儲(chǔ)器的有力競(jìng)爭(zhēng)者之一,近些年受到科學(xué)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注.本文從材料、阻變機(jī)理和器件性能3個(gè)方面綜述了陽(yáng)離子遷移型阻變存儲(chǔ)器的研究進(jìn)展,其中材料部分包括電極材料和存儲(chǔ)介質(zhì),阻變機(jī)理部分包括金屬導(dǎo)電細(xì)絲的存在、生長(zhǎng)模式和生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué),而器件性能部分包括開(kāi)關(guān)比、擦寫(xiě)速度、擦寫(xiě)功耗、循環(huán)耐受性、數(shù)據(jù)保持特性以及器件小型化潛力.最后,對(duì)本領(lǐng)域的未來(lái)研究重點(diǎn)進(jìn)行了展望.
【作者單位】： 先進(jìn)材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(清華大學(xué));清華大學(xué)材料學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 阻變存儲(chǔ)器 陽(yáng)離子遷移 氧化還原反應(yīng) 金屬導(dǎo)電細(xì)絲 非易失性存儲(chǔ)器
【基金】：國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃資助項(xiàng)目(2014AA032901) 國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(51231004)
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【正文快照】： 當(dāng)前,基于硅材料的閃存(Flash memory)由于具有非易失性、高密度和低功耗等優(yōu)點(diǎn)而占據(jù)了二級(jí)存儲(chǔ)器的主流市場(chǎng).但是,由于漏電流效應(yīng)會(huì)隨著器件尺寸的減小而急劇增大,基于電荷捕獲機(jī)理工作的Flash存儲(chǔ)器即將達(dá)到其小型化極限.為了突破Flash存儲(chǔ)器所面臨的小型化極限,同時(shí)也為了

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1 Agostino Pirovano;Roberto Bez;;面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器[J];電子設(shè)計(jì)技術(shù);2010年03期

2 Antony Watts;;正確選擇非易失性存儲(chǔ)器[J];電子設(shè)計(jì)技術(shù);1996年06期

3 ;意法半導(dǎo)體在非易失性存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)中取得進(jìn)步[J];世界電子元器件;2004年07期

4 R．Arghavani;V．Banthia;M．Balseanu;N．Ingle;N．Derhacobian;S．E．Thompson;;應(yīng)變工程在非易失性存儲(chǔ)器中的應(yīng)用[J];集成電路應(yīng)用;2006年06期

5 ;美國(guó)研發(fā)出加密硬件可以確保非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用安全[J];廣西科學(xué)院學(xué)報(bào);2012年02期

6 葉發(fā);非易失性存儲(chǔ)器在二十一世紀(jì)的問(wèn)題、挑戰(zhàn)和發(fā)展趨向[J];世界電子元器件;1997年03期

7 王耘波 ,李東 ,郭冬云;幾種新型非易失性存儲(chǔ)器[J];電子產(chǎn)品世界;2004年03期

8 陳乃超;黃錦杰;劉言;梁磊;;非易失性存儲(chǔ)器在測(cè)試儀器中的應(yīng)用[J];上海電力學(xué)院學(xué)報(bào);2007年01期

9 楊晉中;非易失性存儲(chǔ)器:在二十一世紀(jì)的問(wèn)題、挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢(shì)[J];電子產(chǎn)品世界;1997年02期

10 Gary Evan Jensen;MRAM即將步入實(shí)用階段[J];今日電子;2004年10期

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1 PeterW.Lee;;關(guān)注非易失性存儲(chǔ)器IP及其在消費(fèi)類(lèi),通信類(lèi)及無(wú)線電子產(chǎn)品中的應(yīng)用[A];2003中國(guó)通信專用集成電路技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會(huì)論文集[C];2003年

2 高旭;佘小健;劉杰;王穗東;;有機(jī)納米浮柵型非易失性存儲(chǔ)器[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第29屆學(xué)術(shù)年會(huì)摘要集——第17分會(huì)：光電功能器件[C];2014年

中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前9條

1 Mastipuram;非易失性存儲(chǔ)器發(fā)展趨勢(shì)[N];電子資訊時(shí)報(bào);2008年

2 劉霞;加密硬件可確保非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用安全[N];科技日?qǐng)?bào);2011年

3 ;非易失性存儲(chǔ)器:比閃存快100倍[N];科技日?qǐng)?bào);2011年

4 趙效民;非易失性存儲(chǔ)器的變革（上）[N];計(jì)算機(jī)世界;2003年

5 記者 華凌;美用有機(jī)分子創(chuàng)建新型鐵電性晶體材料[N];科技日?qǐng)?bào);2012年

6 MCU;SEMATECH介紹在非易失性存儲(chǔ)器方面取得新的突破[N];電子報(bào);2009年

7 四川 蘭虎;數(shù)字電位器應(yīng)用匯集（上）[N];電子報(bào);2006年

8 本報(bào)記者 郭濤;企業(yè)級(jí)SSD既快又省[N];中國(guó)計(jì)算機(jī)報(bào);2013年

9 趙效民;閃存與時(shí)俱進(jìn)[N];計(jì)算機(jī)世界;2004年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 孫銳;基于氧化鋅納米材料的阻變存儲(chǔ)器研究[D];浙江大學(xué);2015年

2 卿驍;BiFeO_3薄膜阻變性能的研究[D];電子科技大學(xué);2015年

3 曹正義;新型非易失性存儲(chǔ)器的原子層沉積技術(shù)制備及其存儲(chǔ)性能的研究[D];南京大學(xué);2015年

4 曾柏文;氧化鈦薄膜的阻變性能研究[D];湘潭大學(xué);2015年

5 李健;非易失性存儲(chǔ)器的能耗研究[D];重慶大學(xué);2015年

6 程鵬;基于半侵入式侵入式攻擊的非易失性存儲(chǔ)器內(nèi)容提取研究[D];清華大學(xué);2015年

7 黃科杰;基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的非易失性存儲(chǔ)器的研究[D];浙江大學(xué);2006年

8 胡小方;基于憶阻器的非易失性存儲(chǔ)器研究[D];西南大學(xué);2012年

9 賈曉云;基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)[D];蘭州大學(xué);2013年

10 邱浩鑫;非易失性存儲(chǔ)器IP的功能研究與設(shè)計(jì)[D];電子科技大學(xué);2010年

  本文關(guān)鍵詞：陽(yáng)離子遷移型阻變存儲(chǔ)材料與器件研究進(jìn)展，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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