本文關鍵詞：提高NAND Flash存儲系統(tǒng)可靠性的關鍵技術研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：近年來NAND Flash憑借更大的存儲容量、更快的I/O響應能力和更低的功耗等獨有的特性得到了快速的發(fā)展，，成為一種非常重要的存儲介質(zhì)，并且廣泛的應用于高速大容量存儲器中，進而應用于雷達外場試驗和電子信號偵察等外場實驗和作戰(zhàn)中。本文致力于研究提高NAND Flash存儲系統(tǒng)可靠性的關鍵技術研究，并且提出一些解決方案來解決基于NAND Flash的存儲系統(tǒng)在可靠性方面的不足。 本文首先介紹了NAND Flash的可靠性問題，分析并提出了一些保障數(shù)據(jù)完整可靠性的解決方案，如采用硬件實現(xiàn)的糾錯技術以減小存儲錯誤率、采用可靠的壞塊管理技術以避免壞塊影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性、采用磨損均衡算法以提高存儲系統(tǒng)的壽命。然后主要針對存儲系統(tǒng)中的糾錯技術展開了詳細的介紹，利用Hamming碼和BCH碼兩種糾錯技術來解決NAND Flash的誤碼問題，并通過實驗和測試對其糾錯能力進行了驗證。繼而又對壞塊管理技術和磨損均衡技術的實現(xiàn)方法進行了簡要介紹。最后對本文的研究內(nèi)容做出了總結(jié)和展望。
【關鍵詞】：NAND Flash 糾錯技術 壞塊管理 磨損均衡
【學位授予單位】：北京理工大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TP333
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-9
• 圖目錄9-11
• 表目錄11-12
• 第1章 緒論12-19
• 1.1 課題研究背景和意義12
• 1.2 NAND Flash 介紹12-16
• 1.2.1 NAND Flash 芯片結(jié)構(gòu)13-14
• 1.2.2 NAND Flash 分類14-15
• 1.2.3 NAND Flash 的誤碼率15-16
• 1.3 可靠性研究的必要性16-18
• 1.4 論文結(jié)構(gòu)及其章節(jié)安排18-19
• 第2章 糾錯技術的研究19-33
• 2.1 概述19
• 2.2 Hamming 碼糾錯19-26
• 2.2.1 Hamming 碼簡介19-20
• 2.2.2 編碼原理20-24
• 2.2.3 譯碼原理24-26
• 2.3 BCH 碼糾錯26-32
• 2.3.1 BCH 碼簡介26
• 2.3.2 BCH 碼基本原理26-28
• 2.3.3 編碼原理28-30
• 2.3.4 譯碼原理30-32
• 2.4 本章小結(jié)32-33
• 第3章 糾錯技術的設計和實現(xiàn)33-58
• 3.1 Hamming 碼糾錯33-50
• 3.1.1 參數(shù)選擇34-36
• 3.1.2 結(jié)構(gòu)設計36-37
• 3.1.3 FPGA 實現(xiàn)37-40
• 3.1.4 驗證及結(jié)果40-49
• 3.1.5 占用資源論證49-50
• 3.2 BCH 碼糾錯50-55
• 3.2.1 BCH IP 核介紹50-51
• 3.2.2 FPGA 設計和實現(xiàn)51-52
• 3.2.3 驗證及結(jié)果52-55
• 3.2.4 占用資源論證55
• 3.3 對比與分析55-57
• 3.4 本章小結(jié)57-58
• 第4章 壞塊管理與磨損均衡技術研究58-66
• 4.1 壞塊管理技術58-61
• 4.1.1 概述58
• 4.1.2 壞塊管理的實現(xiàn)58-61
• 4.2 磨損均衡技術61-66
• 4.2.1 概述61-62
• 4.2.2 磨損均衡的研究62-65
• 4.2.3 磨損均衡技術的應用65-66
• 結(jié)論66-67
• 參考文獻67-70
• 攻讀學位期間發(fā)表論文與研究成果清單70-71
• 致謝71

【參考文獻】

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  本文關鍵詞：提高NAND Flash存儲系統(tǒng)可靠性的關鍵技術研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：489343