ARM的SDRAM模塊概述
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【摘要】:ARM系統(tǒng)之中能夠作為高速緩存的有靜態(tài)RAM、動(dòng)態(tài)RAM、FLSAHROM三種。而動(dòng)態(tài)RAM又分為SDRAM和DDR兩種,SDRAM具有高速,大容量等優(yōu)點(diǎn),是一種具有同步接口技術(shù)的高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。根據(jù)設(shè)計(jì)的性價(jià)比,我們可以采用SDRAM實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸,但由于SDRAM的讀寫、刷新等命令操作的時(shí)序要求比較嚴(yán)格,因此SDRAM的控制設(shè)計(jì)也就成了我們探討的關(guān)鍵。
【作者單位】: 沈陽(yáng)理工大學(xué);
【關(guān)鍵詞】: ARM DARAM 高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)
【分類號(hào)】:TP333
【正文快照】: 在當(dāng)前世界背景下,嵌入式系統(tǒng)無(wú)疑是當(dāng)前最熱門、最有發(fā)展前途的IT應(yīng)用領(lǐng)域之一。嵌入式系統(tǒng)用在一些特定專用設(shè)備上,通常這些設(shè)備的硬件資源,非常有限,如處理器、存儲(chǔ)器等,并且對(duì)成本很敏感,有時(shí)對(duì)實(shí)時(shí)響應(yīng)要求很高等。特別是隨著消費(fèi)家電的智能化,嵌入式更顯重要。例如,我們
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1 臧松干;王鵬飛;林曦;劉昕彥;丁士進(jìn);張衛(wèi);;一種新型高速嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器[J];微電子學(xué);2012年01期
2 吳進(jìn);劉路;;同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的控制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J];西安郵電學(xué)院學(xué)報(bào);2012年05期
3 Ronald.P Cenker,房振華;容錯(cuò)64K動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器[J];微電子學(xué);1983年03期
4 譚必熙;;圖象1兆位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器[J];集成電路應(yīng)用;1986年05期
5 李高積;同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器組件[J];今日電子;1996年09期
6 朱小紅,鄭東寧;鈦酸鍶鋇材料應(yīng)用于超高密度動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的研究[J];物理;2004年01期
7 衛(wèi)欣;動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器新動(dòng)向[J];世界電子元器件;1998年08期
8 姚志斌;羅尹虹;陳偉;何寶平;張鳳祁;郭紅霞;;同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器輻射效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)研制[J];強(qiáng)激光與粒子束;2013年10期
9 蘇光榮;;一個(gè)16K單元?jiǎng)討B(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器[J];電子計(jì)算機(jī)動(dòng)態(tài);1977年04期
10 ;產(chǎn)品之窗[J];電子產(chǎn)品世界;1996年06期
中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
1 魯翔;王巍;;基于FPGA的DDR2 SDRAM控制器的設(shè)計(jì)[A];全國(guó)第4屆信號(hào)和智能信息處理與應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2010年
中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條
1 馮衛(wèi)東;電路世界有了第四種基本元件[N];科技日?qǐng)?bào);2008年
2 師煒;孫清云會(huì)見美國(guó)客人[N];西安日?qǐng)?bào);2004年
3 記者 郭見洌;AMD-760與DDR共筑新平臺(tái)[N];計(jì)算機(jī)世界;2000年
4 江蘇 快樂鼠;跟著感覺走[N];中國(guó)電腦教育報(bào);2002年
5 湖北 曾安君;DVD機(jī)檢修經(jīng)驗(yàn)[N];電子報(bào);2006年
中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前8條
1 董存霖;一種應(yīng)用于增益單元嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)刷新及寫電壓調(diào)整方案[D];復(fù)旦大學(xué);2011年
2 易旭東;0.13μm堆疊式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器光刻工藝優(yōu)化的研究[D];復(fù)旦大學(xué);2011年
3 嚴(yán)冰;高速嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器可編程內(nèi)建自測(cè)試設(shè)計(jì)及優(yōu)化[D];復(fù)旦大學(xué);2012年
4 吳雨健;DRAM原理及工藝流程的研究[D];天津大學(xué);2007年
5 馬亞楠;基于2T GC的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器版圖設(shè)計(jì)及其關(guān)鍵參數(shù)表征與優(yōu)化[D];復(fù)旦大學(xué);2012年
6 曹成偉;新型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)與ZnO納米線/Si異質(zhì)結(jié)研究[D];復(fù)旦大學(xué);2013年
7 李木子;DRAM器件制造的新工藝和電性測(cè)試參數(shù)的分析[D];天津大學(xué);2007年
8 史紹偉;圖像聲納數(shù)字平臺(tái)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];哈爾濱工程大學(xué);2012年
本文關(guān)鍵詞:ARM的SDRAM模塊概述,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
本文編號(hào):480809
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