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存儲(chǔ)器電源模塊的設(shè)計(jì)與仿真

發(fā)布時(shí)間:2017-06-08 23:10

  本文關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)器電源模塊的設(shè)計(jì)與仿真,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:本文對(duì)于存儲(chǔ)器芯片電源模塊電路中帶隙基準(zhǔn)源,,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)和上電復(fù)位電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)的帶隙基準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)了低功耗和較高輸出的功能。設(shè)計(jì)的LDO實(shí)現(xiàn)了快速反應(yīng)和快速調(diào)節(jié)的性能;趲痘鶞(zhǔn)源和低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)設(shè)計(jì)的上電復(fù)位電路實(shí)現(xiàn)了電源電壓3.0-3.6V的調(diào)節(jié)范圍和上電脈沖波形可調(diào)節(jié)的功能?偟膩(lái)說(shuō),設(shè)計(jì)的電源模塊電路不僅實(shí)現(xiàn)了預(yù)期功能,而且還有快速反應(yīng)和快速調(diào)節(jié)的優(yōu)點(diǎn)。 本文中設(shè)計(jì)的電源電路基于130nm工藝進(jìn)行了仿真和流片試驗(yàn),結(jié)果證明在整個(gè)芯片工作環(huán)境中,電源模塊在存儲(chǔ)器一次性讀寫(xiě)50ns讀寫(xiě)速度的情況下達(dá)到了存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)指標(biāo)。
【關(guān)鍵詞】:存儲(chǔ)器電源電路 帶隙基準(zhǔn)源 低壓差線性穩(wěn)壓器 上電復(fù)位
【學(xué)位授予單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2014
【分類號(hào)】:TP333
【目錄】:
  • 摘要3-4
  • ABSTRACT4-7
  • 第一章 緒論7-13
  • 1.1 不同的存儲(chǔ)器電源7-9
  • 1.2 存儲(chǔ)器電源9-11
  • 1.2.1 控制電壓電源9-10
  • 1.2.2 上電復(fù)位10-11
  • 1.3 研究存儲(chǔ)器電源的意義11-12
  • 1.4 論文結(jié)構(gòu)及內(nèi)容安排12-13
  • 第二章 電源模塊的基本原理13-31
  • 2.1 基本內(nèi)容和基本參數(shù)13-17
  • 2.1.1 基本內(nèi)容13-15
  • 2.1.2 基本參數(shù)15-17
  • 2.2 帶隙基準(zhǔn)電路原理17-22
  • 2.2.1 基本模型17-18
  • 2.2.2 與溫度無(wú)關(guān)的電壓18-21
  • 2.2.3 與溫度無(wú)關(guān)的電流21-22
  • 2.3 LDO 電路原理22-27
  • 2.3.1 LDO 原理綜述22-23
  • 2.3.2 穩(wěn)壓特性23-25
  • 2.3.3 功率特性25-26
  • 2.3.4 工作環(huán)境26-27
  • 2.4 復(fù)位簡(jiǎn)介27-31
  • 第三章 實(shí)用性低功耗帶隙基準(zhǔn)31-45
  • 3.1 端口及外部說(shuō)明31-32
  • 3.2 電路設(shè)計(jì)及其結(jié)構(gòu)32-39
  • 3.2.1 帶隙基準(zhǔn)和啟動(dòng)模塊32-35
  • 3.2.2 誤差放大器的選擇與設(shè)計(jì)35-39
  • 3.2.3 調(diào)節(jié)基準(zhǔn)源39
  • 3.3 電路仿真結(jié)果及分析39-45
  • 3.3.1 溫度系數(shù)39-40
  • 3.3.2 電壓的影響40-45
  • 第四章 快速 LDO 設(shè)計(jì)與仿真45-61
  • 4.1 LDO 架構(gòu)及問(wèn)題分析45-46
  • 4.2 LDO 設(shè)計(jì)與討論46-52
  • 4.2.1 差分放大器46-47
  • 4.2.2 反饋網(wǎng)絡(luò)47-49
  • 4.2.3 頻率補(bǔ)償和電源抑制49-51
  • 4.2.4 壓差51-52
  • 4.3 LDO 仿真結(jié)果52-61
  • 4.3.1 電源特性52-55
  • 4.3.2 溫度特性55-56
  • 4.3.3 交流特性56-57
  • 4.3.4 瞬態(tài)特性57-61
  • 第五章 閾值翻轉(zhuǎn)型上電復(fù)位61-65
  • 5.1 電路結(jié)構(gòu)和原理61-62
  • 5.2 電路仿真結(jié)果62-65
  • 第六章 總結(jié)與展望65-67
  • 致謝67-69
  • 參考文獻(xiàn)69-71

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前6條

1 盧艷;辛偉德;;雙極型LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)[J];半導(dǎo)體技術(shù);2011年11期

2 周滔;馮軍;;多輸出的CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)[J];中國(guó)集成電路;2008年11期

3 方明;姚若河;;基于施密特比較器的高可靠上電復(fù)位電路[J];微電子學(xué);2010年05期

4 蹇俊杰;馮全源;;采用增強(qiáng)型AB跟隨器的快速響應(yīng)LDO[J];微電子學(xué);2012年01期

5 李景虎;張興寶;周斌;沙學(xué)軍;;高階分段非線性曲率校正帶隙基準(zhǔn)源[J];華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2013年08期

6 李樹(shù)榮;李丹;王亞杰;姚素英;;一種適應(yīng)于低電壓工作的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源[J];天津大學(xué)學(xué)報(bào);2006年01期


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本文編號(hào):433951

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