本文關(guān)鍵詞：存儲器電源模塊的設(shè)計與仿真，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：本文對于存儲器芯片電源模塊電路中帶隙基準源，，低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）和上電復(fù)位電路進行了設(shè)計。設(shè)計的帶隙基準實現(xiàn)了低功耗和較高輸出的功能。設(shè)計的LDO實現(xiàn)了快速反應(yīng)和快速調(diào)節(jié)的性能。基于帶隙基準源和低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）設(shè)計的上電復(fù)位電路實現(xiàn)了電源電壓3.0-3.6V的調(diào)節(jié)范圍和上電脈沖波形可調(diào)節(jié)的功能。總的來說，設(shè)計的電源模塊電路不僅實現(xiàn)了預(yù)期功能，而且還有快速反應(yīng)和快速調(diào)節(jié)的優(yōu)點。 本文中設(shè)計的電源電路基于130nm工藝進行了仿真和流片試驗，結(jié)果證明在整個芯片工作環(huán)境中，電源模塊在存儲器一次性讀寫50ns讀寫速度的情況下達到了存儲器設(shè)計指標。
【關(guān)鍵詞】：存儲器電源電路 帶隙基準源 低壓差線性穩(wěn)壓器 上電復(fù)位
【學(xué)位授予單位】：西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類號】：TP333
【目錄】：

• 摘要3-4
• ABSTRACT4-7
• 第一章 緒論7-13
• 1.1 不同的存儲器電源7-9
• 1.2 存儲器電源9-11
• 1.2.1 控制電壓電源9-10
• 1.2.2 上電復(fù)位10-11
• 1.3 研究存儲器電源的意義11-12
• 1.4 論文結(jié)構(gòu)及內(nèi)容安排12-13
• 第二章 電源模塊的基本原理13-31
• 2.1 基本內(nèi)容和基本參數(shù)13-17
• 2.1.1 基本內(nèi)容13-15
• 2.1.2 基本參數(shù)15-17
• 2.2 帶隙基準電路原理17-22
• 2.2.1 基本模型17-18
• 2.2.2 與溫度無關(guān)的電壓18-21
• 2.2.3 與溫度無關(guān)的電流21-22
• 2.3 LDO 電路原理22-27
• 2.3.1 LDO 原理綜述22-23
• 2.3.2 穩(wěn)壓特性23-25
• 2.3.3 功率特性25-26
• 2.3.4 工作環(huán)境26-27
• 2.4 復(fù)位簡介27-31
• 第三章 實用性低功耗帶隙基準31-45
• 3.1 端口及外部說明31-32
• 3.2 電路設(shè)計及其結(jié)構(gòu)32-39
• 3.2.1 帶隙基準和啟動模塊32-35
• 3.2.2 誤差放大器的選擇與設(shè)計35-39
• 3.2.3 調(diào)節(jié)基準源39
• 3.3 電路仿真結(jié)果及分析39-45
• 3.3.1 溫度系數(shù)39-40
• 3.3.2 電壓的影響40-45
• 第四章 快速 LDO 設(shè)計與仿真45-61
• 4.1 LDO 架構(gòu)及問題分析45-46
• 4.2 LDO 設(shè)計與討論46-52
• 4.2.1 差分放大器46-47
• 4.2.2 反饋網(wǎng)絡(luò)47-49
• 4.2.3 頻率補償和電源抑制49-51
• 4.2.4 壓差51-52
• 4.3 LDO 仿真結(jié)果52-61
• 4.3.1 電源特性52-55
• 4.3.2 溫度特性55-56
• 4.3.3 交流特性56-57
• 4.3.4 瞬態(tài)特性57-61
• 第五章 閾值翻轉(zhuǎn)型上電復(fù)位61-65
• 5.1 電路結(jié)構(gòu)和原理61-62
• 5.2 電路仿真結(jié)果62-65
• 第六章 總結(jié)與展望65-67
• 致謝67-69
• 參考文獻69-71

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前6條

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本文編號：433951