本文關鍵詞：基于非易失性存儲器的存儲系統(tǒng)技術研究進展，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：非易失性存儲器(NVM)主要包括兩類,即適用于外存的、塊尋址的閃存和適用于內(nèi)存的、字節(jié)尋址的持久性內(nèi)存。相比于傳統(tǒng)磁盤,閃存具有性能高、能耗低和體積小等優(yōu)勢;相比于DRAM(動態(tài)隨機存儲器),持久性內(nèi)存如PCM(相變存儲器)、RRAM(阻變存儲器)等,具有非易失、存儲密度高以及同等面積/內(nèi)存插槽下能給多核環(huán)境的CPU提供更多的數(shù)據(jù)等優(yōu)點,這些都為存儲系統(tǒng)的高效構建帶來了巨大的機遇。然而,傳統(tǒng)存儲系統(tǒng)的構建方式不適用于非易失性存儲器,阻礙了其優(yōu)勢的發(fā)揮。為此,分析了基于非易失性存儲器構建存儲系統(tǒng)的挑戰(zhàn),從閃存、持久性內(nèi)存兩個層次分別綜述了它們在存儲體系結(jié)構、系統(tǒng)軟件以及分布式協(xié)議方面的變革,總結(jié)了基于非易失性存儲器構建存儲系統(tǒng)的主要研究方向。
【作者單位】： 清華大學計算機科學與技術系;
【關鍵詞】： 非易失性存儲器 閃存 持久性內(nèi)存 存儲系統(tǒng)
【基金】：國家自然科學基金項目(61327902,61232003) 北京市科委項目(D151100000815003)
【分類號】：TP333
【正文快照】： 近年來,非易失性存儲器(nonvolatile memory,NVM)技術得到了快速發(fā)展。非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。以閃存(flash memory)為代表的塊尋址非易失性存儲器已經(jīng)廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)、桌面系統(tǒng)及數(shù)據(jù)中心等系統(tǒng)中。字節(jié)尋址的非易失性存儲器主要包括相變存儲器(

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 Agostino Pirovano;Roberto Bez;;面向納電子時代的非易失性存儲器[J];電子設計技術;2010年03期

2 Antony Watts;;正確選擇非易失性存儲器[J];電子設計技術;1996年06期

3 ;意法半導體在非易失性存儲器開發(fā)中取得進步[J];世界電子元器件;2004年07期

4 R．Arghavani;V．Banthia;M．Balseanu;N．Ingle;N．Derhacobian;S．E．Thompson;;應變工程在非易失性存儲器中的應用[J];集成電路應用;2006年06期

5 ;美國研發(fā)出加密硬件可以確保非易失性存儲器應用安全[J];廣西科學院學報;2012年02期

6 葉發(fā);非易失性存儲器在二十一世紀的問題、挑戰(zhàn)和發(fā)展趨向[J];世界電子元器件;1997年03期

7 王耘波 ,李東 ,郭冬云;幾種新型非易失性存儲器[J];電子產(chǎn)品世界;2004年03期

8 陳乃超;黃錦杰;劉言;梁磊;;非易失性存儲器在測試儀器中的應用[J];上海電力學院學報;2007年01期

9 楊晉中;非易失性存儲器:在二十一世紀的問題、挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢[J];電子產(chǎn)品世界;1997年02期

10 Gary Evan Jensen;MRAM即將步入實用階段[J];今日電子;2004年10期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 PeterW.Lee;;關注非易失性存儲器IP及其在消費類,通信類及無線電子產(chǎn)品中的應用[A];2003中國通信專用集成電路技術及產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會論文集[C];2003年

2 高旭;佘小健;劉杰;王穗東;;有機納米浮柵型非易失性存儲器[A];中國化學會第29屆學術年會摘要集——第17分會：光電功能器件[C];2014年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前9條

1 Mastipuram;非易失性存儲器發(fā)展趨勢[N];電子資訊時報;2008年

2 劉霞;加密硬件可確保非易失性存儲器應用安全[N];科技日報;2011年

3 ;非易失性存儲器:比閃存快100倍[N];科技日報;2011年

4 趙效民;非易失性存儲器的變革（上）[N];計算機世界;2003年

5 記者 華凌;美用有機分子創(chuàng)建新型鐵電性晶體材料[N];科技日報;2012年

6 MCU;SEMATECH介紹在非易失性存儲器方面取得新的突破[N];電子報;2009年

7 四川 蘭虎;數(shù)字電位器應用匯集（上）[N];電子報;2006年

8 本報記者 郭濤;企業(yè)級SSD既快又省[N];中國計算機報;2013年

9 趙效民;閃存與時俱進[N];計算機世界;2004年

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 孫銳;基于氧化鋅納米材料的阻變存儲器研究[D];浙江大學;2015年

2 卿驍;BiFeO_3薄膜阻變性能的研究[D];電子科技大學;2015年

3 曹正義;新型非易失性存儲器的原子層沉積技術制備及其存儲性能的研究[D];南京大學;2015年

4 曾柏文;氧化鈦薄膜的阻變性能研究[D];湘潭大學;2015年

5 李健;非易失性存儲器的能耗研究[D];重慶大學;2015年

6 程鵬;基于半侵入式侵入式攻擊的非易失性存儲器內(nèi)容提取研究[D];清華大學;2015年

7 黃科杰;基于標準CMOS工藝的非易失性存儲器的研究[D];浙江大學;2006年

8 胡小方;基于憶阻器的非易失性存儲器研究[D];西南大學;2012年

9 賈曉云;基于標準CMOS工藝的非易失性存儲器設計[D];蘭州大學;2013年

10 邱浩鑫;非易失性存儲器IP的功能研究與設計[D];電子科技大學;2010年

  本文關鍵詞：基于非易失性存儲器的存儲系統(tǒng)技術研究進展，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：428484