發(fā)布時(shí)間：2017-06-03 14:11

  本文關(guān)鍵詞：硅基阻性存儲(chǔ)器特性及其滲流通道型開關(guān)機(jī)理研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：阻性隨機(jī)存儲(chǔ)器i(阻性存儲(chǔ)器)同時(shí)結(jié)合了Flash的高密度和DRAM的快速和耐用性特點(diǎn),另外還具有低能耗、轉(zhuǎn)換速度快、微縮特性優(yōu)異(10nm以下)等突出優(yōu)勢,成為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的代表之一。硅基阻性存儲(chǔ)器因?yàn)橹谱骱唵?可靠性高,與當(dāng)前的CMOS工藝相容等特點(diǎn)得到了廣泛關(guān)注。本文研究了Ag/a-silicon/p-silicon, Ag/SixC 1-x/p-silicon兩種結(jié)構(gòu)阻性存儲(chǔ)器的變阻特性及其狀態(tài)轉(zhuǎn)換機(jī)制。本文首先對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展及研究現(xiàn)狀予以介紹,簡單分析了各種類型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用范圍,介紹了阻性存儲(chǔ)器及相關(guān)的幾種導(dǎo)通機(jī)制。接著介紹了阻變式非易失性存儲(chǔ)器(阻性存儲(chǔ)器)的主要性能參數(shù),器件的制作過程,I-V特性曲線,傅里葉紅外光譜(FTIR),電化學(xué)阻抗譜等分析手段。最后對(duì)兩種器件分別進(jìn)行討論,根據(jù)I-V特性曲線set/reset過程緩變的特性,提出器件的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程與細(xì)絲型導(dǎo)電通道的建立無關(guān),而是滲流通道的建立過程。兩類硅基阻性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)都表現(xiàn)了穩(wěn)定的雙極特性,有較高的關(guān)斷比,可靠性高。與此同時(shí),滲流模型的提出,是對(duì)阻性存儲(chǔ)器器件機(jī)理研究的有益補(bǔ)充。
【關(guān)鍵詞】：阻性存儲(chǔ)器 導(dǎo)通特性 滲流機(jī)制
【學(xué)位授予單位】：大連理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TP333
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-8
• 1 緒論8-21
• 1.1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器8-10
• 1.1.1 易失性存儲(chǔ)器9
• 1.1.2 非易失存儲(chǔ)器9-10
• 1.2 阻性存儲(chǔ)器技術(shù)的研究現(xiàn)狀10-15
• 1.2.1 阻性存儲(chǔ)器的發(fā)展10-12
• 1.2.2 阻性存儲(chǔ)器的器件結(jié)構(gòu)12-13
• 1.2.3 阻性存儲(chǔ)器電學(xué)特性及器件參數(shù)13-15
• 1.2.3.1 阻性存儲(chǔ)器的電學(xué)特性13-14
• 1.2.3.2 阻性存儲(chǔ)器的器件參數(shù)14-15
• 1.3 阻性存儲(chǔ)器的工作機(jī)理15-20
• 1.3.1 ECM機(jī)制15-16
• 1.3.2 VCM機(jī)制16-17
• 1.3.3 TCM機(jī)制17-19
• 1.3.4 PCM機(jī)制19-20
• 1.4 選題及意義20-21
• 1.4.1 Ag/a-silicon/p-silicon結(jié)構(gòu)阻性存儲(chǔ)器20
• 1.4.2 Ag/SixCl-x/p-silicon結(jié)構(gòu)阻性存儲(chǔ)器20-21
• 2 器件制備及表征方法21-29
• 2.1 器件制備21-23
• 2.1.1 HWCVD制備介質(zhì)層21-22
• 2.1.2 濺射法制備金屬電極22-23
• 2.2 表征方法23-29
• 2.2.1 結(jié)構(gòu)特性表征23-24
• 2.2.2 電學(xué)特性表征24-29
• 2.2.2.1 線性元件阻抗譜特性25-26
• 2.2.2.2 復(fù)合元件阻抗譜特性26-29
• 3 Ag/a-silicon/p-silicon阻性存儲(chǔ)器及測試結(jié)果29-34
• 3.1 器件制備過程29
• 3.2 器件測試結(jié)果及分析29-33
• 3.3 本章小結(jié)33-34
• 4 Ag/Si_xC_(1-x)/p-silicon型器件特性研究34-43
• 4.1 器件制備及測試34
• 4.2 器件特性研究34-42
• 4.2.1 Ⅰ-Ⅴ特性曲線和滲流通道模型34-36
• 4.2.2 對(duì)數(shù)擬合及缺陷態(tài)控制的空間電荷限制電流36-39
• 4.2.3 缺陷態(tài)密度對(duì)set/reset電壓的影響39-40
• 4.2.4 阻抗譜分析及導(dǎo)通機(jī)制40-42
• 4.3 本章小結(jié)42-43
• 結(jié)論43-44
• 參考文獻(xiàn)44-48
• 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文情況48-49
• 致謝49-50

【共引文獻(xiàn)】

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 戴磊;基于納米敏感材料和固體電解質(zhì)的NO_2和H_2傳感器的研究[D];燕山大學(xué);2013年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 楊文豪;ATO透明導(dǎo)電薄膜的性能及其在有機(jī)太陽電池中的應(yīng)用研究[D];河南大學(xué);2013年

  本文關(guān)鍵詞：硅基阻性存儲(chǔ)器特性及其滲流通道型開關(guān)機(jī)理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：418354