本文關(guān)鍵詞：硅基阻性存儲器特性及其滲流通道型開關(guān)機理研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：阻性隨機存儲器i(阻性存儲器)同時結(jié)合了Flash的高密度和DRAM的快速和耐用性特點,另外還具有低能耗、轉(zhuǎn)換速度快、微縮特性優(yōu)異(10nm以下)等突出優(yōu)勢,成為下一代存儲技術(shù)的代表之一。硅基阻性存儲器因為制作簡單,可靠性高,與當前的CMOS工藝相容等特點得到了廣泛關(guān)注。本文研究了Ag/a-silicon/p-silicon, Ag/SixC 1-x/p-silicon兩種結(jié)構(gòu)阻性存儲器的變阻特性及其狀態(tài)轉(zhuǎn)換機制。本文首先對半導體存儲器的發(fā)展及研究現(xiàn)狀予以介紹,簡單分析了各種類型半導體存儲器的優(yōu)缺點及其應用范圍,介紹了阻性存儲器及相關(guān)的幾種導通機制。接著介紹了阻變式非易失性存儲器(阻性存儲器)的主要性能參數(shù),器件的制作過程,I-V特性曲線,傅里葉紅外光譜(FTIR),電化學阻抗譜等分析手段。最后對兩種器件分別進行討論,根據(jù)I-V特性曲線set/reset過程緩變的特性,提出器件的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程與細絲型導電通道的建立無關(guān),而是滲流通道的建立過程。兩類硅基阻性存儲器結(jié)構(gòu)都表現(xiàn)了穩(wěn)定的雙極特性,有較高的關(guān)斷比,可靠性高。與此同時,滲流模型的提出,是對阻性存儲器器件機理研究的有益補充。
【關(guān)鍵詞】：阻性存儲器 導通特性 滲流機制
【學位授予單位】：大連理工大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TP333
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-8
• 1 緒論8-21
• 1.1 半導體存儲器8-10
• 1.1.1 易失性存儲器9
• 1.1.2 非易失存儲器9-10
• 1.2 阻性存儲器技術(shù)的研究現(xiàn)狀10-15
• 1.2.1 阻性存儲器的發(fā)展10-12
• 1.2.2 阻性存儲器的器件結(jié)構(gòu)12-13
• 1.2.3 阻性存儲器電學特性及器件參數(shù)13-15
• 1.2.3.1 阻性存儲器的電學特性13-14
• 1.2.3.2 阻性存儲器的器件參數(shù)14-15
• 1.3 阻性存儲器的工作機理15-20
• 1.3.1 ECM機制15-16
• 1.3.2 VCM機制16-17
• 1.3.3 TCM機制17-19
• 1.3.4 PCM機制19-20
• 1.4 選題及意義20-21
• 1.4.1 Ag/a-silicon/p-silicon結(jié)構(gòu)阻性存儲器20
• 1.4.2 Ag/SixCl-x/p-silicon結(jié)構(gòu)阻性存儲器20-21
• 2 器件制備及表征方法21-29
• 2.1 器件制備21-23
• 2.1.1 HWCVD制備介質(zhì)層21-22
• 2.1.2 濺射法制備金屬電極22-23
• 2.2 表征方法23-29
• 2.2.1 結(jié)構(gòu)特性表征23-24
• 2.2.2 電學特性表征24-29
• 2.2.2.1 線性元件阻抗譜特性25-26
• 2.2.2.2 復合元件阻抗譜特性26-29
• 3 Ag/a-silicon/p-silicon阻性存儲器及測試結(jié)果29-34
• 3.1 器件制備過程29
• 3.2 器件測試結(jié)果及分析29-33
• 3.3 本章小結(jié)33-34
• 4 Ag/Si_xC_(1-x)/p-silicon型器件特性研究34-43
• 4.1 器件制備及測試34
• 4.2 器件特性研究34-42
• 4.2.1 Ⅰ-Ⅴ特性曲線和滲流通道模型34-36
• 4.2.2 對數(shù)擬合及缺陷態(tài)控制的空間電荷限制電流36-39
• 4.2.3 缺陷態(tài)密度對set/reset電壓的影響39-40
• 4.2.4 阻抗譜分析及導通機制40-42
• 4.3 本章小結(jié)42-43
• 結(jié)論43-44
• 參考文獻44-48
• 攻讀碩士學位期間發(fā)表學術(shù)論文情況48-49
• 致謝49-50

【共引文獻】

中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 戴磊;基于納米敏感材料和固體電解質(zhì)的NO_2和H_2傳感器的研究[D];燕山大學;2013年

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 楊文豪;ATO透明導電薄膜的性能及其在有機太陽電池中的應用研究[D];河南大學;2013年

  本文關(guān)鍵詞：硅基阻性存儲器特性及其滲流通道型開關(guān)機理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：418354