近年來,物聯(lián)網概念被提出并且得到迅速推廣。這既得益于經濟社會日益發(fā)展為其提供了廣闊的發(fā)展空間,更主要的是微電子集成電路技術的快速發(fā)展為其提供了有效的技術支持。然而,物聯(lián)網的發(fā)展也對集成電路的性能提出了更高的要求,特別是在嵌入式存儲領域。傳統(tǒng)的嵌入式存儲器在按比例縮小、存儲單元尺寸、速度、功耗和芯片面積等方面越來越難以適應物聯(lián)網的發(fā)展需求。 新一代嵌入式存儲器的研究方向歸納起來主要分為兩類：嵌入式非揮發(fā)存儲器和嵌入式揮發(fā)性存儲器,嵌入式非揮發(fā)存儲器又分為高速和低功耗兩個應用方向。這幾類存儲器分別針對了不同的應用場合,且均有很強的應用前景。 對于新興的新型存儲器的研究,一方面主要是對于存儲單元,存儲結構和存儲介質的研發(fā)和改進,另一方面,則是對應于不同的工作條件和存儲特性,設計符合實際應用需求的存儲器工作電路,在實現(xiàn)基本讀寫功能的基礎上進一步實現(xiàn)存儲器的高速、低功耗、高密度等特性。 本論文以嵌入式存儲的電路設計為中心思想,針對實驗室內部現(xiàn)階段研究的存儲方向,提出了三套電源方案,分別適用于高速阻變存儲器,低功耗阻變存儲器以及嵌入式動態(tài)存儲器。除此之外,對于嵌入式動態(tài)存儲器的高速需求,本論文設計...

【文章頁數】：84 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1—嵌入式存儲器在SOC中所占面積的比重l’】圖1.1中可以看到，嵌入式存儲器在SOC的面積比重逐年增加，由1999年平均20%的芯片面積上升到2007年60一70%乃至2014年的90%的面積

199920022005200820112014圖1.1—嵌入式存儲器在SOC中所占面積的比重l’】圖1.1中可以看到，嵌入式存儲器在SOC的面積比重逐年增加，由1999年平均20%的芯片面積上升到2007年60一70%乃至2014年的90%的面積。由此可見，嵌入式存儲器性能的優(yōu)....

圖2.1阻變存儲器的結構和I一V特性曲線

VO找age漢)圖2.1阻變存儲器的結構和I一V特性曲線圖2.1顯示了采用基于CuxO的阻變存儲器的I一V特性曲線，通過采用電壓掃描的辦法，先正向從OV掃描到4V，再負向從OV掃掐到一1.5V，這里的對最大電流的限流則由選通Mos管的柵電壓vg決定。首先觀察從ov一4v開始掃描時....

圖2.3RRAM疲勞特性151

圖2.2RRA五4。n態(tài)和。ff態(tài)電流分布151圖2.3RRAM疲勞特性151最基本的阻變存儲器的存儲單元由一個選通晶體管和一個存儲電阻組成的ITIR結構，如圖2.4所示。選通管的漏端和存儲電阻的一端相連接，存儲電阻的另一端連到位線(bit一hne)上，選通管的柵端連接到字線(w....

圖2.5高速阻變存儲器內的模塊框架設計

}圖2.5高速阻變存儲器內的模塊框架設計如圖2.5所示，整個設計由幾大重要模塊組成:1.存儲陣列:有眾多的存儲單元行列排列而成，為不同存儲器的主要差異所在。這部分的具體工藝和存儲單元結構的設計決定了整個芯片的關鍵性能和總體面積。11

本文編號：3982566