隨著信息時(shí)代的到來,高性能存儲器件受到了越來越多的關(guān)注,人們不斷尋找新的材料來制備性能優(yōu)良的存儲器件。近幾年來,一種新型的有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦材料,因其結(jié)晶度好、遷移率大等優(yōu)點(diǎn),在光電子領(lǐng)域受到越來越多的關(guān)注。本論文主要圍繞有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦(MAPbI3)開展了有機(jī)電雙穩(wěn)器件的研究,主要工作內(nèi)容如下:(1)聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT:PSS)因其良好的透光性與導(dǎo)電性被廣泛的應(yīng)用到光電器件的研究中,本工作將PEDOT:PSS與鈣鈦礦相結(jié)合,制備新型電雙穩(wěn)存儲器件,并研究其電雙穩(wěn)特性。首先,采用一步法(one-step)制備了鈣鈦礦薄膜并對其形貌進(jìn)行了表征。通過溶液旋涂法在玻璃襯底上制備結(jié)構(gòu)為 ITO/PEDOT:PSS/MAPbI3/Metal(Cu/Au/Ag/Al)的器件,并對器件的電雙穩(wěn)特性進(jìn)行了測試。通過對比不同金屬電極器件的性能,發(fā)現(xiàn)不同金屬電極的雙穩(wěn)器件工作電壓不同,但都具有一定的雙穩(wěn)特性,其中,以鋁、銅作為電極的雙穩(wěn)器件穩(wěn)定性較好,最大開關(guān)比均可達(dá)到103。最終,通過對器件Ⅰ-Ⅴ進(jìn)行了線性擬合,探究了器件在不同階段電荷傳輸?shù)臋C(jī)制,分析了器件電雙穩(wěn)...

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
摘要
ABSTRACT
1 序言
    1.1 有機(jī)電雙穩(wěn)器件研究背景
    1.2 電雙穩(wěn)器件的基本介紹
    1.3 有機(jī)電雙穩(wěn)態(tài)器件的工作機(jī)制
    1.4 有機(jī)電雙穩(wěn)器件/材料體系
        1.4.1 有機(jī)金屬配合物材料體系
        1.4.2 有機(jī)/無機(jī)納米雜化體系
        1.4.3 聚合物結(jié)合小分子體系
        1.4.4 有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦體系
    1.5 本論文工作和意義
2 基于鈣鈦礦(MAPbI₃)薄膜電雙穩(wěn)器件的制備與研究
    2.1 引言
    2.2 制備過程使用的化學(xué)試劑
    2.3 鈣鈦礦(MAPbI₃)電雙穩(wěn)器件制備過程
    2.4 鈣鈦礦電雙穩(wěn)器件不同電極性能探究
        2.4.1 Ag電極[電雙穩(wěn)器件Ⅰ-Ⅴ曲線
        2.4.2 Au電極電雙穩(wěn)器件Ⅰ-Ⅴ曲線
        2.4.3 Al電極電雙穩(wěn)器件Ⅰ-Ⅴ曲線
        2.4.4 Cu電極電雙穩(wěn)器件Ⅰ-Ⅴ曲線
    2.5 穩(wěn)定性結(jié)果表征
    2.6 Ⅰ-Ⅴ曲線線性擬合以及結(jié)果分析
    2.7 本章小結(jié)
3 基于PMMA:MAPbI₃電雙穩(wěn)器件的制備與研究
    3.1 引言
    3.2 基于PMMA:MAPbI₃體系的電雙穩(wěn)器件的制備與表征
        3.2.1 制備過程使用的化學(xué)試劑
        3.2.2 共混薄膜器件實(shí)驗(yàn)制備過程
    3.3 基于PMMA:MAPbI₃的電雙穩(wěn)態(tài)器件的研究
        3.3.1 不同濃度PMMA對器件ITO/PMMA:MAPbI₃/Al的性能影響
        3.3.2 器件ITO/MAPbI₃/Al的Ⅰ-Ⅴ曲線
        3.3.3 雙層器件制備以及雙穩(wěn)性能表征
        3.3.4 器件ITO/PMMA:MAPbI₃/Al穩(wěn)定性結(jié)果表征
    3.4 ITO/PMMA:M APbI₃/Al機(jī)理討論與曲線擬合
    3.5 本章小結(jié)
4 結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
作者簡歷及攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集



本文編號：3949406