伴隨著可攜帶式電子產(chǎn)品的普及,如筆記本電腦、手機(jī)、記憶卡等,非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中扮演著越來越重要的角色。隨著存儲(chǔ)器件尺寸的縮小,三十多年前就被提出的基于SONOS(Silicon-Oxide-Nitirde-Oxide-Silicon)結(jié)構(gòu)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件又重新被關(guān)注。除了小的器件尺寸之外,SONOS器件還具有很多優(yōu)勢(shì),如更好的抗擦寫能力(Endurance)、低操作電壓和低功率,且工藝過程簡單并與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容。對(duì)于SONOS器件,隨著器件尺寸的減小,特別是隧穿氧化硅層變薄,作為存儲(chǔ)器件最重要的性能指標(biāo)之一的電荷保持性能(Data Retention),并不理想,這也成為SONOS器件被廣泛應(yīng)用的致命障礙。 本論文的研究方法是基于對(duì)無定形氮化硅及氧或氟摻雜無定形氮化硅的文獻(xiàn)報(bào)道的實(shí)驗(yàn)研究,尤其是電子順磁共振(Electron Spin Resonance,ESR)實(shí)驗(yàn),所提供的信息,建立和推測(cè)無定形氮化硅和氧、硫、氟、氯、磷摻雜氮化硅中各種缺陷的簇模型,再使用先進(jìn)的密度泛函理論(Density Functional Theory,DFT)方法,優(yōu)化并計(jì)算出各種缺陷...

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1SONOS存儲(chǔ)器件的截面

成為SONOS器件被廣泛應(yīng)用中缺陷，被認(rèn)為是電子和空穴的俘獲中心的缺陷的方法，達(dá)到改善SONOS非揮發(fā)論計(jì)算方法，從眾多可以用來摻雜氮化硅試驗(yàn)研究的理論指導(dǎo)，簡化試驗(yàn)工作，是理論（DFT）方法，對(duì)所建立無定形氮化中缺陷的簇模型進(jìn)行計(jì)算，來到達(dá)理論研非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件、密度....

圖1.2熱電子注入過程示意圖

空穴FN隧穿機(jī)制和熱空穴注入（HotHolesEnhancedI機(jī)制。[2]熱載流子注入機(jī)制器件的漏處置高電壓時(shí)，溝道中的電子將從源端向漏區(qū)域流動(dòng)；在器，電場急劇增強(qiáng)，電子被高電場加速。許多電子獲得足夠的能量，而化（ImpactIonization），其破壞了電子－空....

圖1.4新器件和一定寫/擦除循環(huán)操作后SONOS器件的閾值電壓保持性能比較

定寫/擦除循環(huán)操作后SONOS器件的閾值電來說，由于遂穿氧化層不斷變薄，導(dǎo)致為影響SONOS器件得以廣泛應(yīng)用的最重以下五種機(jī)制[7-10]：T–B(Trap-to-BandTrap-to-TrapTunneling)，B–T(Band-toission)。如圖1....

圖1.5描述電荷損失機(jī)制的SONOS器件能帶圖（過剩電子狀態(tài)）

一定寫/擦除循環(huán)操作后SONOS器件的閾值電壓件來說，由于遂穿氧化層不斷變薄，導(dǎo)致成為影響SONOS器件得以廣泛應(yīng)用的最重有以下五種機(jī)制[7-10]：T–B(Trap-to-BandTun(Trap-to-TrapTunneling)，B–T(Band-to-TE....

本文編號(hào)：3945385