伴隨著可攜帶式電子產(chǎn)品的普及,如筆記本電腦、手機、記憶卡等,非揮發(fā)性存儲器件在半導體存儲器件中扮演著越來越重要的角色。隨著存儲器件尺寸的縮小,三十多年前就被提出的基于SONOS(Silicon-Oxide-Nitirde-Oxide-Silicon)結(jié)構(gòu)非揮發(fā)性存儲器件又重新被關注。除了小的器件尺寸之外,SONOS器件還具有很多優(yōu)勢,如更好的抗擦寫能力(Endurance)、低操作電壓和低功率,且工藝過程簡單并與標準CMOS工藝兼容。對于SONOS器件,隨著器件尺寸的減小,特別是隧穿氧化硅層變薄,作為存儲器件最重要的性能指標之一的電荷保持性能(Data Retention),并不理想,這也成為SONOS器件被廣泛應用的致命障礙。 本論文的研究方法是基于對無定形氮化硅及氧或氟摻雜無定形氮化硅的文獻報道的實驗研究,尤其是電子順磁共振(Electron Spin Resonance,ESR)實驗,所提供的信息,建立和推測無定形氮化硅和氧、硫、氟、氯、磷摻雜氮化硅中各種缺陷的簇模型,再使用先進的密度泛函理論(Density Functional Theory,DFT)方法,優(yōu)化并計算出各種缺陷...

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1SONOS存儲器件的截面

成為SONOS器件被廣泛應用中缺陷，被認為是電子和空穴的俘獲中心的缺陷的方法，達到改善SONOS非揮發(fā)論計算方法，從眾多可以用來摻雜氮化硅試驗研究的理論指導，簡化試驗工作，是理論（DFT）方法，對所建立無定形氮化中缺陷的簇模型進行計算，來到達理論研非揮發(fā)性存儲器件、密度....

圖1.2熱電子注入過程示意圖

空穴FN隧穿機制和熱空穴注入（HotHolesEnhancedI機制。[2]熱載流子注入機制器件的漏處置高電壓時，溝道中的電子將從源端向漏區(qū)域流動；在器，電場急劇增強，電子被高電場加速。許多電子獲得足夠的能量，而化（ImpactIonization），其破壞了電子－空....

圖1.4新器件和一定寫/擦除循環(huán)操作后SONOS器件的閾值電壓保持性能比較

定寫/擦除循環(huán)操作后SONOS器件的閾值電來說，由于遂穿氧化層不斷變薄，導致為影響SONOS器件得以廣泛應用的最重以下五種機制[7-10]：T–B(Trap-to-BandTrap-to-TrapTunneling)，B–T(Band-toission)。如圖1....

圖1.5描述電荷損失機制的SONOS器件能帶圖（過剩電子狀態(tài)）

一定寫/擦除循環(huán)操作后SONOS器件的閾值電壓件來說，由于遂穿氧化層不斷變薄，導致成為影響SONOS器件得以廣泛應用的最重有以下五種機制[7-10]：T–B(Trap-to-BandTun(Trap-to-TrapTunneling)，B–T(Band-to-TE....

本文編號：3945385