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基于Flash的紅外相機數(shù)據(jù)高速存儲

發(fā)布時間:2024-03-16 06:39
  隨著光電經(jīng)緯儀數(shù)字化改造和航天需要,要求一種存儲速度高、容量大、體積小、可靠性高的存儲系統(tǒng),將事先采集的數(shù)據(jù)存儲,然后進行后續(xù)的處理。隨著數(shù)據(jù)采集技術的發(fā)展,采集的數(shù)據(jù)速度越來越高,容量越來越大,傳統(tǒng)的計算機存儲的方式受到帶寬和速度的限制,已經(jīng)很難再有很大突破。相反,非易失性存儲器隨著半導體的發(fā)展,其價格越來越低,容量越來越大,得到更多人的關注。 本文討論了Flash存儲陣列實現(xiàn)高速度,大容量的數(shù)據(jù)采集存儲方案。在深入理解Flash存儲器存儲數(shù)據(jù)的特點后,采用多片F(xiàn)lash交叉編程,并行工作的方法,以獲得較高的速度和較大存儲容量。整個系統(tǒng)以一片F(xiàn)PGA為控制核心,控制數(shù)據(jù)的讀寫等。數(shù)據(jù)采集完成之后,為了能夠分析處理,通過USB2.0將數(shù)據(jù)輸出到計算機。 本文首先分析了現(xiàn)代一些存儲系統(tǒng)的優(yōu)缺點,在此基礎上提出了Flash陣列存儲的方案。給出了存儲系統(tǒng)硬件設計框圖,并對各硬件模塊進行了設計。FPGA內(nèi)部時序設計是Flash陣列存儲的重點,本文對Flash的擦除、讀、寫、無效塊識別、FPGA與USB的數(shù)據(jù)通信時序進行了詳細分析和設計。然后對USB的固件程序和驅(qū)動程序開發(fā)也做了設置。最后討論了...

【文章頁數(shù)】:60 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖2.3KgWAG08UIA的封裝

圖2.3KgWAG08UIA的封裝

圖2.3KgWAG08UIA的封裝3為KgwAG08ulA的封裝圖,其管腳信號的定義如下:~工/07:命令、地址。數(shù)據(jù)復用的8位工/O線。既作為數(shù)據(jù)的輸址、命令的輸入口。當芯片的片選無效或者輸出無效時,工/0總線(ColnlnandLatChEnable):命令鎖存使能信號,輸入....


圖2.6DsgoeR286的封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)

圖2.6DsgoeR286的封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)

圖2.6DsgoeR286的封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)針CameraLink接線端口及FPGA的主要連片將CameraLink接線端口傳輸?shù)?組LV數(shù)據(jù)信號和一個時鐘信號。O十RxINO+Rx0UTOO-RxlNO-RXOUTII+RXJNI+I-口Z+R義INI-DS90CR286Rx】N....


圖2.9FXZ數(shù)據(jù)傳輸原理圖

圖2.9FXZ數(shù)據(jù)傳輸原理圖

中斷與8051內(nèi)核通信。緩沖。端點就是一個充滿了總線上接收或保持傳輸字節(jié)的個64字節(jié)的端點緩沖區(qū)和一個可定義為不同端點方式的沖區(qū)被設計為EPO、EPllN和EPIOUT。4KB緩沖區(qū)則被定O和EPI是小端點,只能被CPU訪問,不能直接與外部邏S是大端點,可配置并且能夠滿足USB2....


圖2.11SN74LVTH162245芯片的封裝

圖2.11SN74LVTH162245芯片的封裝

FPGA管腳輸出的驅(qū)動能力有的驅(qū)動能力,我們選用了Tl公裝如圖2.11,內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2飛Dl尺,,口‘:::IOE



本文編號:3929265

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