發(fā)布時(shí)間：2017-05-24 18:31

  本文關(guān)鍵詞：Flash存儲(chǔ)器總劑量效應(yīng)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：Flash存儲(chǔ)器具有高速度、大容量、非易失性和高可靠性等特點(diǎn)，近年來(lái)已經(jīng)逐步應(yīng)用于航天電子系統(tǒng)中，空間中的各種高能粒子會(huì)對(duì)包括Flash的各種電子元器件造成嚴(yán)重的影響，引起各種輻射效應(yīng)，總劑量效應(yīng)是Flash存儲(chǔ)器在空間應(yīng)用中需要面對(duì)的最重要的問(wèn)題之一，因此對(duì)Flash存儲(chǔ)器的總劑量效應(yīng)研究具有十分重要的意義。 本文從總劑量效應(yīng)在MOS器件中的產(chǎn)生機(jī)理出發(fā)，首先分析了總劑量效應(yīng)對(duì)MOS器件電參數(shù)和性能的影響。接著結(jié)合NOR型Flash存儲(chǔ)器的內(nèi)部各模塊的電路結(jié)構(gòu)和浮柵單元的工作原理研究其總劑量敏感單元和敏感參數(shù)，分析得出電荷泵和存儲(chǔ)單元是NOR型Flash敏感單元的結(jié)論。在調(diào)研國(guó)內(nèi)外輻射試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，制訂總劑量試驗(yàn)方案，開發(fā)設(shè)計(jì)出一套針對(duì)AM29LV160D芯片的總劑量效應(yīng)試驗(yàn)系統(tǒng)。在總劑量試驗(yàn)中，動(dòng)態(tài)偏置的芯片最先失效，，芯片的擦除時(shí)間在試驗(yàn)中嚴(yán)重退化且編程功能總是先于擦除功能失效。試驗(yàn)結(jié)果證明電荷泵是Flash存儲(chǔ)器的總劑量試驗(yàn)中最敏感的單元，存儲(chǔ)單元中輻射誘發(fā)的兩種陷阱電荷的不同可能是導(dǎo)致芯片編程和擦除功能先后失效的重要原因，開啟電荷泵的動(dòng)態(tài)偏置是Flash存儲(chǔ)器總劑量試驗(yàn)的最劣偏置。
【關(guān)鍵詞】：Flash存儲(chǔ)器 總劑量效應(yīng) 敏感性分析 電荷泵 動(dòng)態(tài)偏置
【學(xué)位授予單位】：西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類號(hào)】：TP333
【目錄】：

• 摘要3-4
• Abstract4-7
• 第一章 緒論7-15
• 1.1 研究背景7-10
• 1.1.1 Flash 存儲(chǔ)器的發(fā)展現(xiàn)狀和應(yīng)用需求7-8
• 1.1.2 空間輻射環(huán)境中的輻射效應(yīng)8-10
• 1.2 總劑量效應(yīng)研究現(xiàn)狀10-12
• 1.3 論文的主要工作及組織結(jié)構(gòu)12-15
• 第二章 總劑量效應(yīng)分析15-25
• 2.1 MOS 器件總劑量效應(yīng)產(chǎn)生機(jī)理15-17
• 2.1.1 氧化層陷阱電荷16-17
• 2.1.2 界面態(tài)陷阱電荷17
• 2.2 總劑量效應(yīng)對(duì) MOS 器件的影響17-21
• 2.2.1 閾值電壓漂移18-19
• 2.2.2 輻射導(dǎo)致的漏電流19-20
• 2.2.3 跨導(dǎo)退化20-21
• 2.3 總劑量效應(yīng)影響因素分析21-23
• 2.4 本章小結(jié)23-25
• 第三章 Flash 存儲(chǔ)器總劑量敏感性研究25-41
• 3.1 Flash 存儲(chǔ)器工作原理和組成結(jié)構(gòu)25-29
• 3.1.1 浮柵單元工作原理和操作25-27
• 3.1.2 Flash 存儲(chǔ)器的架構(gòu)27-29
• 3.2 Flash 存儲(chǔ)器內(nèi)部各模塊的總劑量敏感性分析29-38
• 3.2.1 Flash 存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)組成29-30
• 3.2.2 Flash 的存儲(chǔ)陣列及其總劑量敏感性分析30-32
• 3.2.3 Flash 外圍電路中電荷泵及其總劑量敏感性分析32-36
• 3.2.4 Flash 外圍電路其他部分的敏感性分析36-38
• 3.3 AM29LV160D 存儲(chǔ)器的輻射敏感性38-40
• 3.3.1 AM29LV160D 芯片介紹38-39
• 3.3.2 AM29LV160D 存儲(chǔ)器的總劑量敏感性分析39-40
• 3.4 本章小結(jié)40-41
• 第四章 Flash 存儲(chǔ)器總劑量試驗(yàn)及結(jié)果分析41-57
• 4.1 AM29LV160D 器件總劑量效應(yīng)試驗(yàn)方案41-44
• 4.1.1 試驗(yàn)偏置方案41-43
• 4.1.2 劑量率和退火的選擇43-44
• 4.2 AM29LV160D 總劑量效應(yīng)試驗(yàn)系統(tǒng)介紹44-50
• 4.2.1 測(cè)試系統(tǒng)硬件介紹45-47
• 4.2.2 測(cè)試系統(tǒng)軟件介紹47-50
• 4.3 AM29LV160D 器件總劑量效應(yīng)試驗(yàn)程序50-51
• 4.4 AM29LV160D 總劑量效應(yīng)試驗(yàn)結(jié)果和分析51-55
• 4.4.1 試驗(yàn)結(jié)果51-54
• 4.4.2 結(jié)果討論54-55
• 4.5 本章小結(jié)55-57
• 第五章 總結(jié)與展望57-59
• 致謝59-61
• 參考文獻(xiàn)61-64

【共引文獻(xiàn)】

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前9條

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中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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