信息時代的出現(xiàn)和發(fā)展以信息膨脹和信息傳播為特征,而這些都建立在信息存儲的基礎之上。磁存儲作為當前主要的數(shù)據(jù)存儲方式受到人們的廣泛關注。同時,為了滿足人們?nèi)找媾蛎浀拇鎯α啃枨?也為了保持硬盤產(chǎn)業(yè)在數(shù)據(jù)存儲領域的霸主地位,磁記錄研究人員一直致力于硬盤存儲密度的提高,其記錄密度也在產(chǎn)業(yè)界和研究人員的共同努力下不斷達到新的高度。時至今日,商業(yè)化硬盤存儲密度已從1956年的5 Kbit/in²增加到250 Gbit/in²,單個記錄位的尺寸已達到了納米量級的尺度。在此情況下,超順磁效應成為當前限制記錄密度提高的主要因素。為了克服熱擾動的影響,采用高Ku的材料作為記錄介質(zhì)成為必然趨勢。但由此也引發(fā)了難寫入的問題。針對這一系列問題,人們提出了熱輔助磁記錄、構型記錄位介質(zhì)以及交換耦合復合介質(zhì)等解決方案。而交換耦合復合介質(zhì)被認為是下一代垂直磁記錄所要采用的最現(xiàn)實的方案。但是至今還沒有一個讓人們滿意的制備此類介質(zhì)的工藝,還有待進一步的研究。本文即從工藝的角度出發(fā),試圖尋找一種可行的方案把FePt應用在磁記錄介質(zhì)中,同時也能實現(xiàn)交換耦合介質(zhì)的制備。 在本文中,我們...

【文章頁數(shù)】：58 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 前言
    §1.1 垂直磁記錄原理
        §1.1.1 垂直磁記錄系統(tǒng)的主要構件
        §1.1.2 垂直磁記錄寫入和讀出的原理
        §1.1.3 超高密度垂直磁記錄介質(zhì)所面臨的三重困境
    §1.2 濺射成膜的機理
        §1.2.1 薄膜生長過程
        §1.2.2 磁控濺射各參數(shù)對成膜的影響
第二章 薄膜的制備及表征
    §2.1 薄膜的制備
        §2.1.1 磁控濺射的原理
        §2.1.2 本實驗所用濺射系統(tǒng)性能
    §2.2 薄膜的表征
        §2.2.1 X射線衍射方法
        §2.2.2 原子力顯微鏡
        §2.2.3 振動樣品磁強計
        §2.2.4 磁光克爾效應測磁性
第三章 Fe(002)織構的形成機理
    §3.1 Fe薄膜織構形成的兩種機制
        §3.1.1 熱平衡生長模式
        §3.1.2 非平衡模式
    §3.2 濺射條件對形成Fe(002)織構的影響
        §3.2.1 濺射功率對織構的影響
        §3.2.2 濺射氣壓的影響
        §3.2.3 基底溫度的影響
        §3.2.4 結論
    §3.3 退火對Fe薄膜織構的影響
        §3.3.1 退火溫度的影響
        §3.3.2 濺射條件對退火結果的影響
        §3.3.3 結論
    §3.3 小結
第四章 FePt/Fe雙層結構
    §4.1 Fe(002)織構上外延FePt(001)織構
    §4.2 FePt/Fe之間的交換耦合
        §4.2.1 Fe厚度變化對外延生長的影響
        §4.2.2 改變Fe厚度對FePt/Fe磁性的影響
        §4.2.3 結論
    §4.3 小結
第五章 總結與展望
參考文獻
碩士期間已發(fā)表論文
致謝



本文編號：3892017