隨著數(shù)字存儲技術(shù)在移動(dòng)通訊、數(shù)據(jù)終端、多媒體、及消費(fèi)類電子等領(lǐng)域得廣泛應(yīng)用,Flash存儲器成為SOC中一個(gè)重要的角色,并在行業(yè)中已經(jīng)占據(jù)了不可替代的地位。然而,隨著工藝技術(shù)的不斷提高,及人們對產(chǎn)品性能的要求越來越高,傳統(tǒng)浮柵存儲器受到多方面的限制不能滿足人們的需求,研發(fā)下一代快閃存儲器——電荷俘獲型存儲器(Charge Trapping Memory, CTM)成為一種必然的趨勢。由于CTM技術(shù)在我國還處于發(fā)展初期,對于電荷俘獲技術(shù)的研究和嵌入式系統(tǒng)的開發(fā)具有很高的科學(xué)和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。 論文根據(jù)電荷俘獲型存儲單元的操作特性及Numonyx₆5nm₃V₂Gbit的數(shù)據(jù)表,來設(shè)計(jì)容量為1Gbits的NOR型的存儲器的系統(tǒng)架構(gòu)。重點(diǎn)是設(shè)計(jì)適合1Gbits CTM存儲器的高性能的讀取通道,并對靈敏放大器,電荷泵系統(tǒng)的產(chǎn)生和管理,電平切換開關(guān)及帶隙基準(zhǔn)等相關(guān)電路進(jìn)行設(shè)計(jì)。最后,論文根據(jù)SMIC的65nm下的工藝對CTM存儲陣列和外圍電路進(jìn)行版圖的設(shè)計(jì),并提出在布局布線中應(yīng)該要注意的問題及解決方法。 本文基于SMIC的90nm spi...

【文章頁數(shù)】：76 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
目錄
第1章 緒論
    1.1 非揮發(fā)存儲器的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢
    1.2 嵌入式Flash存儲器的發(fā)展現(xiàn)狀和面臨的挑戰(zhàn)
    1.3 本論文的任務(wù)與內(nèi)容
第2章 新型CTM系統(tǒng)特性的研究
    2.1 本章引論
    2.2 新型CTM存儲單元的存儲特性
        2.2.1 新型CTM存儲單元的基本原理
        2.2.2 新型CTM存儲單元的編程和擦除操作
        2.2.3 新型CTM存儲單元的讀取操作
    2.3 存儲單元的陣列架構(gòu)
第3章 新型CTM存儲系統(tǒng)及電路設(shè)計(jì)
    3.1 本章引論
    3.2 系統(tǒng)描述與功能說明
        3.2.1 存儲器系統(tǒng)功能描述及引腳說明
        3.2.2 存儲器系統(tǒng)功能操作時(shí)序
    3.3 系統(tǒng)模塊設(shè)計(jì)與劃分
        3.3.1 存儲器陣列架構(gòu)設(shè)計(jì)
        3.3.2 存儲器陣列地址分配
    3.4 數(shù)據(jù)通道與關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì)
        3.4.1 譯碼電路的設(shè)計(jì)
        3.4.2 靈敏放大器電路設(shè)計(jì)
    3.5 編程及擦除通道設(shè)計(jì)
        3.5.1 電平切換電路設(shè)計(jì)
    3.6 高壓產(chǎn)生與管理
        3.6.1 Dickon電荷泵工作原理
        3.6.2 高壓電荷泵電路
        3.6.3 負(fù)高壓電荷泵電路及管理
        3.6.4 帶隙基準(zhǔn)電路
第4章 新型CTM版圖設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
    4.1 本章引論
    4.2 新型CTM存儲系統(tǒng)的布局
        4.2.1 新型CTM存儲系統(tǒng)版圖的布局
        4.2.2 新型CTM扇區(qū)的布局
        4.2.3 新型CTM存儲陣列內(nèi)部單元的布局
    4.3 數(shù)據(jù)通道版圖設(shè)計(jì)
        4.3.1 字線譯碼電路的版圖
        4.3.2 位線譯碼電路的版圖
        4.3.3 靈敏放大器的版圖
    4.4 電平切換電路的版圖
    4.5 電荷泵系統(tǒng)的版圖
    4.6 帶隙基準(zhǔn)電路的版圖
第5章 結(jié)論
    5.1 研究總結(jié)
    5.2 工作展望
參考文獻(xiàn)
致謝
碩士期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及申請專利情況



本文編號：3865258