發(fā)布時間：2023-11-04 11:29

　　硬盤是迄今為止應用最為廣泛的數(shù)據存儲設備,其具有高速讀寫、大容量數(shù)據存儲等特點,能夠滿足各種數(shù)據存儲需求。但是,由于近年來電子技術的快速發(fā)展,硬盤逐漸不能適應一些新的數(shù)據存儲要求,例如:航空航天領域中,往往需要存儲介質具有非常好的抗震能力,并且能夠在較高或較低的溫度下正常工作;手持嵌入式設備中,需要存儲介質具有較小的體積。但是,由于硬盤的機械結構特性,硬盤無法滿足這些要求,同時,硬盤的機械局限性也影響了其I/O速度的提高,硬盤與CPU、高速數(shù)據總線之間的速度不匹配問題隨之日益嚴重。在這種現(xiàn)狀下,閃存作為一種新型的數(shù)據存儲介質適時而生。 閃存出現(xiàn)于20世紀80年代末,它具有高速、非易失、低功耗、高抗震、體積小等特點,這些優(yōu)良特性使得它能夠成為突破磁盤局限性的首選存儲介質之一。隨著近年來閃存芯片價格的不斷下降和容量的快速增長,閃存已經成為目前最為重要的新型二級存儲設備,并且已經開始應用于企業(yè)級計算環(huán)境(Sina 2008)。 由于閃存的重要性日益顯現(xiàn),各國的研究者們都開始把目光投向閃存存儲管理的研究上。由于閃存與傳統(tǒng)硬盤在物理結構、存儲方式等方面存在著顯著的差異,因此以往基于硬盤而設計的存...

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 閃存存儲管理研究
        1.2.1 快速啟動
        1.2.2 混合存儲
    1.3 閃存研究驗證環(huán)境
    1.4 本文的工作
    1.5 本文的組織
第2章 相關背景及工作
    2.1 引言
    2.2 閃存存儲設備
        2.2.1 NAND 型和NOR 型閃存芯片
    2.3 閃存存儲管理系統(tǒng)
        2.3.1 閃存文件系統(tǒng)
        2.3.2 閃存轉換層
    2.4 小結
第3章 FlashDBSim 閃存設備仿真平臺
    3.1 引言
    3.2 相關背景
    3.3 FlashDBSim 仿真平臺設計
        3.3.1 FlashDBSim 硬件組件設計
        3.3.2 FlashDBSim 軟件組件設計
        3.3.3 FlashDBSim 系統(tǒng)模塊化
    3.4 FlashDBSim 仿真平臺應用實驗
        3.4.1 實驗說明及設置
        3.4.2 FlashDBSim 環(huán)境
        3.4.3 實驗結果
    3.5 相關工作
    3.6 小結
第4章 FlashDBSim 應用研究
    4.1 引言
    4.2 相關工作
    4.3 緩沖區(qū)管理算法驗證
        4.3.1 實驗環(huán)境
        4.3.2 實驗結果及分析
    4.4 閃存轉換層算法驗證
        4.4.1 實驗環(huán)境
        4.4.2 實驗結果及分析
    4.5 小結
第5章 結束語
    5.1 本文主要工作
    5.2 本文主要貢獻
參考文獻
致謝
在讀期間發(fā)表的學術論文
在讀期間參加的科研項目



本文編號：3860218