基于SystemVerilog語(yǔ)言的同步/異步存儲(chǔ)控制器的驗(yàn)證
發(fā)布時(shí)間:2023-02-13 14:52
隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,芯片的尺寸在逐漸縮小,然而其復(fù)雜度和功能在不斷的增加,加之芯片的市場(chǎng)需求也在增大,這使芯片的功能驗(yàn)證工作面臨著巨大的壓力和挑戰(zhàn)。目前業(yè)界普遍存在的問(wèn)題是芯片首次流片的成功率低和芯片的開(kāi)發(fā)周期較長(zhǎng)。首次流片的失敗往往是因?yàn)楣δ茯?yàn)證不完備導(dǎo)致設(shè)計(jì)存在功能缺陷,開(kāi)發(fā)周期較長(zhǎng)是因?yàn)轵?yàn)證所花費(fèi)的時(shí)間在不斷增加。針對(duì)上述問(wèn)題,如何搭建一個(gè)高效率、高可靠性、可重用的驗(yàn)證環(huán)境并且通過(guò)分析覆蓋率和加入斷言來(lái)完善驗(yàn)證工作成為了本文的重點(diǎn)。本文從功能驗(yàn)證方法基礎(chǔ)學(xué)習(xí)出發(fā),對(duì)EBIU(External Bus Interface Unit)模塊進(jìn)行功能驗(yàn)證。首先,論文介紹了EBIU的基本結(jié)構(gòu)和功能,EBIU實(shí)際上是一種外部存儲(chǔ)器接口,功能和存儲(chǔ)器接口相同。在充分了解EBIU設(shè)計(jì)規(guī)范的基礎(chǔ)上提取了功能測(cè)試點(diǎn),搭建了針對(duì)EBIU功能驗(yàn)證的驗(yàn)證平臺(tái)。然后,論文詳細(xì)說(shuō)明了EBIU功能驗(yàn)證過(guò)程,其中包括驗(yàn)證環(huán)境的建立和驗(yàn)證平臺(tái)各部分的功能以及實(shí)現(xiàn)方式;闡述了帶約束隨機(jī)激勵(lì)的生成以及斷言的使用;分析了驗(yàn)證環(huán)境中數(shù)據(jù)的自動(dòng)比對(duì)以及覆蓋率統(tǒng)計(jì)模型的搭建;討論了如何將功能覆蓋率、斷言和傳統(tǒng)的驗(yàn)證方法有效...
【文章頁(yè)數(shù)】:87 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
ABSTRACT
序言
1 引言
1.1 課題背景與研究意義
1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.3 論文的設(shè)計(jì)指標(biāo)
1.4 論文的主要工作
1.5 研究?jī)?nèi)容與章節(jié)安排
2 驗(yàn)證技術(shù)和驗(yàn)證方法
2.1 常用的驗(yàn)證技術(shù)
2.1.1 動(dòng)態(tài)驗(yàn)證
2.1.2 靜態(tài)驗(yàn)證
2.2 功能驗(yàn)證流程
2.3 驗(yàn)證方法及原理
2.3.1 SystemVerilog語(yǔ)言簡(jiǎn)介
2.3.2 隨機(jī)化驗(yàn)證
2.3.3 覆蓋率驅(qū)動(dòng)驗(yàn)證
2.3.4 基于斷言的驗(yàn)證
2.3.5 Synopsys VCS 工具簡(jiǎn)介
2.4 本章小結(jié)
3 EBIU結(jié)構(gòu)和工作原理
3.1 EBIU簡(jiǎn)介
3.1.1 EBIU結(jié)構(gòu)功能
3.1.2 EBIU模塊接口
3.1.3 外部地址映射
3.1.4 錯(cuò)誤檢查機(jī)制
3.1.5 總線請(qǐng)求與許可
3.2 AHB總線協(xié)議
3.2.1 AHB總線的結(jié)構(gòu)
3.2.2 AHB總線的基本信號(hào)
3.2.3 AHB總線數(shù)據(jù)傳輸
3.3 常用存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
3.3.1 SRAM
3.3.2 SDRAM
3.4 本章小節(jié)
4 EBIU模塊的功能驗(yàn)證
4.1 驗(yàn)證功能點(diǎn)提取
4.2 VCS仿真腳本的編寫(xiě)
4.3 驗(yàn)證平臺(tái)結(jié)構(gòu)
4.3.1 傳統(tǒng)的驗(yàn)證平臺(tái)結(jié)構(gòu)
4.3.2 高效率層次化的驗(yàn)證平臺(tái)結(jié)構(gòu)
4.4 關(guān)鍵驗(yàn)證技術(shù)與驗(yàn)證步驟
4.4.1 約束隨機(jī)化激勵(lì)生成
4.4.2 功能覆蓋率模型建立
4.4.3 斷言的使用
4.4.4 數(shù)據(jù)的自動(dòng)比對(duì)
4.4.5 驗(yàn)證步驟與實(shí)現(xiàn)
4.5 本章小結(jié)
5 仿真結(jié)果分析
5.1 EBIU基本功能測(cè)試
5.1.1 寄存器讀寫(xiě)訪問(wèn)測(cè)試
5.1.2 SRAM讀寫(xiě)訪問(wèn)測(cè)試
5.1.3 SDRAM讀寫(xiě)訪問(wèn)測(cè)試
5.1.4 SDRAM Self-Refreash(自刷新)測(cè)試
5.1.5 從機(jī)響應(yīng)測(cè)試
5.1.6 總線訪問(wèn)與許可測(cè)試
5.2 功能覆蓋率報(bào)告分析
5.3 代碼覆蓋率報(bào)告分析
5.4 斷言覆蓋率報(bào)告分析
5.5 本章小結(jié)
6 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)歷
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集
本文編號(hào):3741927
【文章頁(yè)數(shù)】:87 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
ABSTRACT
序言
1 引言
1.1 課題背景與研究意義
1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.3 論文的設(shè)計(jì)指標(biāo)
1.4 論文的主要工作
1.5 研究?jī)?nèi)容與章節(jié)安排
2 驗(yàn)證技術(shù)和驗(yàn)證方法
2.1 常用的驗(yàn)證技術(shù)
2.1.1 動(dòng)態(tài)驗(yàn)證
2.1.2 靜態(tài)驗(yàn)證
2.2 功能驗(yàn)證流程
2.3 驗(yàn)證方法及原理
2.3.1 SystemVerilog語(yǔ)言簡(jiǎn)介
2.3.2 隨機(jī)化驗(yàn)證
2.3.3 覆蓋率驅(qū)動(dòng)驗(yàn)證
2.3.4 基于斷言的驗(yàn)證
2.3.5 Synopsys VCS 工具簡(jiǎn)介
2.4 本章小結(jié)
3 EBIU結(jié)構(gòu)和工作原理
3.1 EBIU簡(jiǎn)介
3.1.1 EBIU結(jié)構(gòu)功能
3.1.2 EBIU模塊接口
3.1.3 外部地址映射
3.1.4 錯(cuò)誤檢查機(jī)制
3.1.5 總線請(qǐng)求與許可
3.2 AHB總線協(xié)議
3.2.1 AHB總線的結(jié)構(gòu)
3.2.2 AHB總線的基本信號(hào)
3.2.3 AHB總線數(shù)據(jù)傳輸
3.3 常用存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
3.3.1 SRAM
3.3.2 SDRAM
3.4 本章小節(jié)
4 EBIU模塊的功能驗(yàn)證
4.1 驗(yàn)證功能點(diǎn)提取
4.2 VCS仿真腳本的編寫(xiě)
4.3 驗(yàn)證平臺(tái)結(jié)構(gòu)
4.3.1 傳統(tǒng)的驗(yàn)證平臺(tái)結(jié)構(gòu)
4.3.2 高效率層次化的驗(yàn)證平臺(tái)結(jié)構(gòu)
4.4 關(guān)鍵驗(yàn)證技術(shù)與驗(yàn)證步驟
4.4.1 約束隨機(jī)化激勵(lì)生成
4.4.2 功能覆蓋率模型建立
4.4.3 斷言的使用
4.4.4 數(shù)據(jù)的自動(dòng)比對(duì)
4.4.5 驗(yàn)證步驟與實(shí)現(xiàn)
4.5 本章小結(jié)
5 仿真結(jié)果分析
5.1 EBIU基本功能測(cè)試
5.1.1 寄存器讀寫(xiě)訪問(wèn)測(cè)試
5.1.2 SRAM讀寫(xiě)訪問(wèn)測(cè)試
5.1.3 SDRAM讀寫(xiě)訪問(wèn)測(cè)試
5.1.4 SDRAM Self-Refreash(自刷新)測(cè)試
5.1.5 從機(jī)響應(yīng)測(cè)試
5.1.6 總線訪問(wèn)與許可測(cè)試
5.2 功能覆蓋率報(bào)告分析
5.3 代碼覆蓋率報(bào)告分析
5.4 斷言覆蓋率報(bào)告分析
5.5 本章小結(jié)
6 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)歷
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集
本文編號(hào):3741927
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