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基于OMP的SRAM成品率分析的分組建模方法

發(fā)布時(shí)間:2023-01-08 18:02
  靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)電路的失效是極小概率事件,并且不同電路條件下的失效區(qū)域邊界可能相距很遠(yuǎn)。因此,為了更高效地獲得更精準(zhǔn)的SRAM成品率預(yù)測結(jié)果,提出一種基于正交匹配追蹤(OMP)算法的SRAM性能分組建模方法,并應(yīng)用于典型SRAM電路成品率的預(yù)測。此方法主要根據(jù)不同SRAM電路條件下失效區(qū)域邊界距離的差異將仿真數(shù)據(jù)劃分為多組,之后利用OMP算法對不同組的數(shù)據(jù)分別建立多項(xiàng)式模型,該模型可用于對SRAM電路的成品率進(jìn)行快速分析預(yù)測。與標(biāo)準(zhǔn)蒙特卡洛統(tǒng)計(jì)算法及基于OMP的單一建模方法相比,基于OMP的分組建模方法不僅可以縮短建模時(shí)間,提高建模準(zhǔn)確度,還能夠獲得更加精確的SRAM成品率預(yù)測結(jié)果。 

【文章頁數(shù)】:5 頁

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]商用CMOS工藝SRAM脈沖中子輻射效應(yīng)實(shí)驗(yàn)[J]. 齊超,楊善潮,劉巖,陳偉,林東生,金曉明,王晨輝.  太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報(bào). 2016(05)
[2]重要性采樣研究進(jìn)展[J]. 郭瑛,艾渤,鐘章隊(duì).  信息與電子工程. 2011(05)



本文編號:3728935

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