CMOS電路面臨的工藝尺寸極限以及存儲(chǔ)墻問(wèn)題,是當(dāng)前制約計(jì)算機(jī)發(fā)展與計(jì)算效率提高的瓶頸。隨著“第四種基本無(wú)源元件”憶阻器實(shí)物的發(fā)現(xiàn),學(xué)界對(duì)此投入了極大關(guān)注。作為納米電子學(xué)的最新成果,憶阻器具有非易失存儲(chǔ)的特性,被認(rèn)為具有延續(xù)摩爾定律10-15年的潛力;憶阻器兼具存儲(chǔ)與運(yùn)算特性,基于憶阻器有望設(shè)計(jì)存儲(chǔ)與運(yùn)算融合特性的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu),提高計(jì)算效率,突破存儲(chǔ)墻。本課題針對(duì)憶阻器的特性,面向數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用,從憶阻器建模與存儲(chǔ)運(yùn)算結(jié)構(gòu)等方面進(jìn)行了研究,研究成果表現(xiàn)在以下四個(gè)方面: 第一,綜述與本課題研究方向相關(guān)的憶阻器理論建模、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)與讀寫(xiě)的理論基礎(chǔ)以及相關(guān)研究成果,通過(guò)理論分析與對(duì)比找出現(xiàn)有研究尚存在的缺陷,提出新的建模方法。根據(jù)憶阻器特點(diǎn),提出面向數(shù)據(jù)庫(kù)的應(yīng)用。 第二,建立了磁控憶阻器模型。本課題根據(jù)離子漂移理論,結(jié)合已有研究,提出具有記憶磁通量能力（磁控）的憶阻器模型,并在幾個(gè)主流電路仿真軟件中進(jìn)行驗(yàn)證,結(jié)果證明提出的憶阻器模型在符合理論的基礎(chǔ)上能更好地與憶阻器實(shí)物測(cè)試結(jié)果相符合�；谔岢龅哪Ｐ�,本研究給出了過(guò)渡時(shí)間的顯式定量表達(dá),理論上分析了邏輯操作需要的電路結(jié)構(gòu)與器件特性... 

【文章頁(yè)數(shù)】：82 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 課題背景與意義
    1.2 課題的相關(guān)研究現(xiàn)狀
    1.3 課題研究?jī)?nèi)容與創(chuàng)新
    1.4 論文結(jié)構(gòu)
第二章 憶阻器機(jī)理與研究概述
    2.1 憶阻器理論的提出與發(fā)現(xiàn)
    2.2 憶阻器機(jī)理與建模研究
        2.2.1 導(dǎo)電機(jī)理
        2.2.2 建模理論
    2.3 基于憶阻器面向存儲(chǔ)與運(yùn)算結(jié)構(gòu)研究
        2.3.1 憶阻器的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
        2.3.2 憶阻器的讀寫(xiě)機(jī)理
        2.3.3 數(shù)字邏輯運(yùn)算機(jī)理
    2.4 本章小結(jié)
第三章 磁通控制憶阻器建模與分析
    3.1 磁控憶阻器建�？蚣�
    3.2 憶阻器關(guān)鍵技術(shù)研究
        3.2.1 狀態(tài)開(kāi)關(guān)過(guò)程分析
        3.2.2 邏輯運(yùn)算分析
    3.3 仿真分析
        3.3.1 不同軟件環(huán)境模型實(shí)現(xiàn)
        3.3.2 憶阻器關(guān)鍵技術(shù)仿真
    3.4 本章小結(jié)
第四章 憶阻器智能存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
    4.1 憶阻器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
        4.1.1 憶阻器智能存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
        4.1.2 單存儲(chǔ)塊結(jié)構(gòu)
    4.2 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與運(yùn)算實(shí)現(xiàn)
        4.2.1 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與讀寫(xiě)
        4.2.2 數(shù)據(jù)復(fù)制與邏輯操作
    4.3 仿真實(shí)驗(yàn)
        4.3.1 仿真結(jié)構(gòu)描述
        4.3.2 數(shù)據(jù)賦值與復(fù)制仿真
        4.3.3 數(shù)據(jù)邏輯操作仿真
    4.4 本章小結(jié)
第五章 面向數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用數(shù)據(jù)比較算法
    5.1 面向數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
        5.1.1 外部層
        5.1.2 邏輯層
        5.1.3 內(nèi)部層
    5.2 數(shù)據(jù)比較算法設(shè)計(jì)
        5.2.1 組合邏輯操作設(shè)計(jì)
        5.2.2 數(shù)據(jù)相等比較
        5.2.3 數(shù)據(jù)大小比較
        5.2.4 數(shù)據(jù)比較算法分析
    5.3 仿真實(shí)驗(yàn)
        5.3.1 數(shù)據(jù)相等比較
        5.3.2 數(shù)據(jù)大小比較
    5.4 本章小結(jié)
第六章 結(jié)束語(yǔ)
    6.1 全文工作總結(jié)
    6.2 未來(lái)工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
作者在學(xué)期間取得的學(xué)術(shù)成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]憶阻器交叉陣列及在圖像處理中的應(yīng)用[J]. 胡小方,段書(shū)凱,王麗丹,廖曉峰.  中國(guó)科學(xué):信息科學(xué). 2011(04)

博士論文
[1]層次存儲(chǔ)的訪問(wèn)分析與優(yōu)化方法研究[D]. 吳俊杰.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2009



本文編號(hào)：3702251