發(fā)布時間：2022-08-01 17:03

　　作為非易失性存儲技術(shù),相變存儲被認為是下一代存儲技術(shù)最優(yōu)解決方案之一。GeTe-Sb₂Te₃偽二元合金是目前為止比較成熟的一類相變材料,其中GeTe和Ge₂Sb₂Te₅研究的最多。在近幾十年的研究中,人們對GeTe和GeSbTe的晶體相結(jié)構(gòu)已經(jīng)有了深入的認識,但對于其非晶相結(jié)構(gòu)和相變機理的認識仍然存在著很大的分歧。因此深刻理解GeTe和GeSbTe的非晶相結(jié)構(gòu)對該材料的發(fā)展具有積極的推動作用。本文利用第一性原理計算,對相變存儲材料GeTe和Ge₂Sb₂Te₅的非晶結(jié)構(gòu)進行了深入的研究。利用電子局域函數(shù)（Electron Localization Function,ELF）方法,我們詳細研究了GeTe和Ge₂Sb₂Te₅非晶態(tài)模型中的成鍵信息和原子局域結(jié)構(gòu)構(gòu)型的關(guān)系。結(jié)果如下:1.采用物理截斷和電子局域函數(shù)相結(jié)合的方法,并對配位數(shù)和鍵角分布進行對比,... 

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 磁存儲
    1.3 光存儲
    1.4 半導(dǎo)體存儲器
        1.4.1 閃存
        1.4.2 相變隨機存取存儲器
    1.5 相變存儲材料
        1.5.1 相變存儲材料的發(fā)現(xiàn)
        1.5.2 相變存儲材料GeSbTe的結(jié)構(gòu)和相變機理
    1.6 GeSbTe非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的研究現(xiàn)狀及存在的問題
    1.7 本論文的研究內(nèi)容及意義
        1.7.1 研究意義
        1.7.2 研究內(nèi)容
第2章 實驗原理及方法
    2.1 絕熱近似（Born-Oppenheimer）
    2.2 Hartree-Fock近似
    2.3 密度泛函理論（Density Functional Theory, DFT）
        2.3.1 Hohenberg-Kohn定理
        2.3.2 Kohn-Sham方程
        2.3.3 自洽方法求解
        2.3.4 局域密度近似
        2.3.5 廣義梯度近似
    2.4 VASP代碼
第3章 物理截斷與電子局域函數(shù)結(jié)合法研究GeTe非晶態(tài)原子成鍵
    3.1 前言
    3.2 實驗方法
    3.3 實驗結(jié)果與討論
    3.4 本章小結(jié)
第4章 GeTe非晶態(tài)中局域結(jié)構(gòu)與原子成鍵的研究
    4.1 前言
    4.2 GeTe非晶態(tài)局域結(jié)構(gòu)的分析
    4.3 GeTe非晶態(tài)結(jié)構(gòu)中Ge原子態(tài)密度分析
    4.4 本章小結(jié)
第5章 Sb_2Te_3加入對Ge原子局域結(jié)構(gòu)以及材料性能的影響
    5.0 前言
    5.1 實驗方法
    5.2 Ge_2Sb_2Te_5的非晶態(tài)結(jié)構(gòu)分析
        5.2.1 確定分析Ge_2Sb_2Te_5非晶態(tài)時的物理截斷長度和ELF閾值
        5.2.2 分析Ge_2Sb_2Te_5非晶態(tài)結(jié)構(gòu)中Ge和Sb的配位情況
        5.2.3 利用拆分結(jié)構(gòu)的方法分析同質(zhì)鍵對Ge原子局域結(jié)構(gòu)構(gòu)型的影響
        5.2.4 Ge_2Sb_2Te_5非晶態(tài)結(jié)構(gòu)中Ge和Sb原子態(tài)密度分析
        5.2.5 Sb_2Te_3的加入對相變材料性能的影響
    5.3 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻
攻讀碩士學(xué)位期間所發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
致謝


【參考文獻】：
期刊論文
[1]信息文明的虛擬形態(tài)——兼論虛擬實在的信息本質(zhì)[J]. 張易帆,葉帥.  產(chǎn)業(yè)與科技論壇. 2015(10)
[2]淺談信息的發(fā)展歷程[J]. 石昌來.  無線互聯(lián)科技. 2014(07)
[3]磁存儲技術(shù)[J]. 鄭晨溪.  信息系統(tǒng)工程. 2012(04)
[4]三種AMR磁頭性能比較[J]. 鄧俊彥,鄧沛然.  磁性材料及器件. 2010(01)
[5]信息存儲技術(shù)的現(xiàn)狀及發(fā)展[J]. 張立.  信息記錄材料. 2006(05)

碩士論文
[1]Al2O3納米顆粒/光致聚合物復(fù)合材料全息特性的研究[D]. 李赟璽.河南大學(xué) 2014
[2]NAND閃存卡低成本測試方案開發(fā)和實現(xiàn)[D]. 邱清武.上海交通大學(xué) 2013
[3]硫?qū)傧嘧兇鎯ζ鰿RAM的存儲元結(jié)構(gòu)設(shè)計及優(yōu)化[D]. 李娟.武漢理工大學(xué) 2009
[4]硫系化合物相變存儲材料結(jié)構(gòu)與性能研究[D]. 李志華.江蘇大學(xué) 2009
[5]基于串行閃存的數(shù)據(jù)診斷分析及研究[D]. 李磊.南京理工大學(xué) 2007



本文編號：3667836