基于高壓LDMOS工藝,設(shè)計(jì)了一款A(yù)RINC429總線驅(qū)動(dòng)器。電路在±12～±15 V雙電源電壓下工作,能夠接收CMOS/TTL邏輯輸入信號(hào),產(chǎn)生一對(duì)差分輸出驅(qū)動(dòng)電平。同時(shí),輸出上升和下降時(shí)間斜率可調(diào),能同時(shí)適應(yīng)高速或低速ARINC429總線。電路采用0.18μm HV LDMOS工藝流片,測(cè)試結(jié)果表明,數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定可靠且各項(xiàng)電參數(shù)均滿足總線規(guī)范。 

【文章來源】：電子與封裝. 2020,20(08)

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

總體電路框圖

帶隙基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu)如圖3所示，其中Q2由多個(gè)三級(jí)管并聯(lián)組成，其面積為Q1的n倍。而晶體管MN0～MN7采用復(fù)合串管結(jié)構(gòu)，可有效提高運(yùn)放的輸出阻抗，從而提高運(yùn)放增益。高增益運(yùn)放使差分輸入端X、Y兩點(diǎn)電位近似相等，使得流過電阻R1的電流IR1主要取決于m、n，進(jìn)而可求出流過電阻R2的電流IR2。調(diào)節(jié)R2/R1比率及m、n，可在運(yùn)放的輸出端得到全溫全壓范圍內(nèi)隨溫度和電源變化較小的基準(zhǔn)電壓VREF[6-7]:圖3 帶隙電壓基準(zhǔn)

圖2 驅(qū)動(dòng)電路時(shí)序圖電路內(nèi)部±5 V電壓產(chǎn)生電路如圖4所示，其中電阻R5約為R4的3倍，電阻R6和R7值近似相等。前級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓VREF首先經(jīng)過由運(yùn)算放大器OP1和反饋電阻R4、R5構(gòu)成的同相放大器，經(jīng)同相放大4倍后，產(chǎn)生+5 V參考電壓V5P；再將該+5 V參考電壓輸入由運(yùn)算放大器OP2和反饋電阻R6、R7構(gòu)成的單位增益反相放大器，產(chǎn)生穩(wěn)定的-5 V參考電壓V5N。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3621180