硬盤(pán)核心系統(tǒng)包括存儲(chǔ)信息的磁介質(zhì)、讀寫(xiě)信息的磁頭和實(shí)現(xiàn)快速讀寫(xiě)的機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)，其中涉及的學(xué)科非常廣泛，包括材料、機(jī)械、電子、自動(dòng)化、計(jì)算機(jī)等工科的研究，也與物理、化學(xué)這些理科的基礎(chǔ)研究密切相關(guān)。本文的研究主要集中在對(duì)硬盤(pán)工業(yè)最關(guān)鍵的核心磁性器件的研究領(lǐng)域。微磁學(xué)（micromagnetics）可以計(jì)算磁滯回線、磁導(dǎo)率、磁疇和信息的讀寫(xiě)過(guò)程，通過(guò)計(jì)算和設(shè)計(jì)，可以大幅度地減少器件制備、材料制備過(guò)程中的盲目性，并可以設(shè)計(jì)硬盤(pán)系統(tǒng)的重要參數(shù)。本論文的研究?jī)?nèi)容從超高密度磁記錄介質(zhì)到CPP-GMR器件，再到熱輔助磁記錄系統(tǒng)（包括磁性記錄層，中間層，軟磁襯底層，SPT寫(xiě)磁頭以及激光光源）。根據(jù)具體的研究步驟，論文主要分為以下三個(gè)部分：第一部分超高密度磁記錄用記錄介質(zhì)的微磁學(xué)模擬分析這一部分主要以磁晶各項(xiàng)異性能和磁彈性能為核心對(duì)實(shí)驗(yàn)室制備出來(lái)的磁性能良好的垂直取向L1₀相FePt合金單層膜和多層膜以及水平取向的CoCrPt合金單層膜進(jìn)行微磁學(xué)分析，主要得到以下一些結(jié)論：1)在FePt/Pt/CrW單層膜中，隨著襯底層中W含量從0增加到15 at．%，CrW合金的晶格常數(shù)變大，Cr... 

【文章來(lái)源】：蘭州大學(xué)甘肅省211工程院校985工程院校教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：129 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

1磁記錄面密度的發(fā)展歷程

世界最大的硬磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器制造商之一的seagate(希捷)科技提出一種稱(chēng)之為熱輔助磁記錄(Heat一 AssistedMa， etieRecording，HAMR)的居里點(diǎn)記錄技術(shù)【18】，如圖1.1.3所示。采用這種方法既可以克服高矯頑力介質(zhì)記錄的困難，又能改善信息位的熱穩(wěn)定性，從而獲得非常高的面記錄密度。希捷準(zhǔn)備將這項(xiàng)技術(shù)用于新的硬磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中。據(jù)稱(chēng)，采用這種技術(shù)將顯著提高硬磁盤(pán)的面記錄密度，預(yù)計(jì)可以比現(xiàn)行面密度提高約兩個(gè)數(shù)量級(jí)，達(dá)到50Th/in“。雖然希捷的HAMR技術(shù)在短時(shí)間內(nèi)不大可能成為現(xiàn)實(shí)，但由于該技術(shù)是建立在目前已經(jīng)熟知的技術(shù)的基礎(chǔ)上的，所以專(zhuān)家認(rèn)為，在2010年之前出現(xiàn)HAMR硬磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器是完全可能的。有關(guān)熱輔助磁記錄的基本原理，我們將在第五章中做詳細(xì)的講解。

圖2.2.1朗道十誡圖論的大師，在磁矩的基本運(yùn)動(dòng)方程的提的。在推導(dǎo)磁矩運(yùn)動(dòng)方程時(shí)，假設(shè)某個(gè)中g(shù)為磁矩的g因子，群，一eh/2m。=9.27、磁場(chǎng)廳有關(guān)的第一級(jí)哈密頓量為(c邵制H毗頓=一戶H=g心S·H，根據(jù)量子力學(xué)海森堡表象的算符運(yùn)動(dòng)S，〕=論ijks*，自旋了的運(yùn)動(dòng)方程為:六;H一弩l!了H了一臀

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器巨磁電阻（GMR）磁頭:從微米到納米[J]. 蔣致誠(chéng).  物理. 2004(07)
[2]全面理解納米科技內(nèi)涵 促進(jìn)納米科技在我國(guó)的健康發(fā)展[J]. 白春禮.  微納電子技術(shù). 2003(01)



本文編號(hào)：3614730